公开(公告)号：DE102017105236A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102017105236

申请日：2017-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/428 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes enthalten: Einbringen (106) eines Dotanden (108) in ein Halbleitergebiet (102); Bilden einer Strahlungsabsorptionsschicht (114), die wenigstens ein Allotrop von Kohlenstoff enthält oder daraus gebildet ist, über wenigstens einem Abschnitt des Halbleitergebiets; und Aktivieren des Dotanden (108) wenigstens teilweise durch Bestrahlen der Strahlungsabsorptionsschicht (114) wenigstens teilweise mit elektromagnetischer Strahlung (110), um das Halbleitergebiet (102) wenigstens teilweise zu erwärmen.

公开(公告)号：DE102016102577A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：DE102016102577

申请日：2016-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  EDER HANNES

IPC: H01L21/3065 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: Ein Verfahren zum Dünnen eines Wafers enthält ein Dünnen des Wafers unter Verwendung eines Schleifprozesses. Der Wafer hat nach der Schleifprozessierung eine erste Ungleichförmigkeit in der Dicke. Der gedünnte Wafer wird unter Verwendung eines Plasmaprozesses geätzt. Der Wafer hat nach der Ätzprozessierung eine zweite Ungleichförmigkeit in der Dicke. Die zweite Ungleichförmigkeit ist kleiner als die erste Ungleichförmigkeit.

公开(公告)号：DE102013200761B4

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102013200761

申请日：2013-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  RÖSNER MICHAEL

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden eines Grabens von einer oberen Oberfläche eines Substrats, das ein Bauelementgebiet neben der oberen Oberfläche aufweist, zu einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei der Graben Seitenwände des Bauelementgebiets umgibt; Füllen des Grabens mit einem Kleber; Ausbilden einer Kleberschicht über der oberen Oberfläche des Substrats und dem gefüllten Graben, wobei ein Klebermaterial des Klebers von einem Klebermaterial der Kleberschicht verschieden ist; Anbringen eines Trägers mit der Kleberschicht; Verdünnen des Substrats von der unteren Oberfläche, um mindestens einen Abschnitt des Klebers und eine hintere Oberfläche des Bauelementgebiets zu exponieren; Entfernen der Kleberschicht mittels eines ersten Ätzschritts; und Ätzen des Klebers, um eine Seitenwand des Bauelementgebiets zu exponieren mittels eines nachfolgenden zweiten Ätzschritts.

公开(公告)号：DE102013223560A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013223560

申请日：2013-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HOFFMANN FRANK

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/301 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren zum Abtrennen einer Schicht von einem Substrat. Das Verfahren enthält das Bereitstellen mehrerer Gräben, die sich von einer ersten Hauptoberfläche des Substrats in das Substrat hinein erstrecken. Eine Wärmebehandlung des Substrats wird so ausgeführt, dass Ränder der Gräben an der ersten Hauptoberfläche zusammenwachsen, um eine geschlossene Schicht an der ersten Hauptoberfläche zu bilden, wobei untere Bereiche der Gräben einen oder mehrere Hohlräume innerhalb des Substrats bilden. Danach wird die geschlossene Schicht entlang dem einen oder den mehreren Hohlräumen vom Substrat abgetrennt.

公开(公告)号：DE102013106931A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：DE102013106931

申请日：2013-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: Eine Spannvorrichtung (220), ein eine Spannungsvorrichtung (220) enthaltendes System und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung werden offenbart. In einer Ausführungsform enthält die Spannvorrichtung (220) ein erstes leitendes Gebiet (222), das dazu ausgebildet ist, kapazitiv mit einem ersten HF-Leistungsgenerator gekoppelt zu werden, ein zweites leitendes Gebiet (224), das dazu ausgebildet ist, kapazitiv mit einem zweiten HF-Leistungsgenerator gekoppelt zu werden, und ein isoliertes Gebiet (223), das das erste leitende Gebiet (222) vom zweiten leitenden Gebiet (224) elektrisch isoliert.

公开(公告)号：DE102013105232A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013105232

申请日：2013-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAHLER JOACHIM ,  MAYER KARL ,  THEUSS HORST ,  TUTSCH GUENTER

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/673 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses wird bereitgestellt. Das Verfahren aufweisend: Halten eines Trägers (402), aufweisend eine Mehrzahl von Dies (4041, 4042, 4043, ..., 404n-1, 404n); Bilden einer Separation zwischen der Mehrzahl von Dies (4041, 4042, 4043, ..., 404n-1, 404n) mittels Entfernens eines oder mehr Bereiche (422) des Trägers (402) von dem Träger (402) zwischen der Mehrzahl von Dies (4041, 4042, 4043, ..., 404n-1, 404n); Bilden eines Verkapselungsmaterials (434) in dem einen oder den mehreren entfernten Bereichen (428) zwischen der Mehrzahl von Dies (4041, 4042, 4043, ..., 404n-1, 404n Vereinzeln der Dies (4041, 4042, 4043, ..., 404n-1, 404n) durch das Verkapselungsmaterial (434).

公开(公告)号：DE102012110616A1

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：DE102012110616

申请日：2012-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  FISCHER PETRA

IPC: H01L21/782 ,  H01L21/283 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/308

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen einer Mehrzahl von Chips (224a, 224b) wird bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: Definieren eines oder mehrerer von einem Träger (202), der eine Mehrzahl von Chips (224a, 224b) aufweist, zu entfernender Bereiche, indem die Eigenschaften des einen oder der mehreren zu entfernenden Bereiche (226), die zwischen den Chips (224a, 224b) angeordnet sind, chemisch verändert werden; Durchfahren eines Front-End-Of-Line Verfahrens an mindestens einem Chip (224a, 224b), so dass mindestens eine Halbleitervorrichtung (238) gebildet wird; und das selektive Entfernen des einen oder der mehreren Bereiche (226) des Trägers (202), deren Eigenschaften chemisch verändert wurden zum Trennen der Chips (224a, 224b) entlang des einen oder der mehreren entfernten Bereiche (226).

公开(公告)号：DE102012109870A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：DE102012109870

申请日：2012-10-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer gemusterten Metallschicht über einem Halbleitersubstrat; Ausbilden einer zweiten Schicht über der gemusterten Metallschicht; und Ätzen des Substrats.

公开(公告)号：DE102012216695A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102012216695

申请日：2012-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  G02B3/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrolinsenarrays wird bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bilden einer ersten Linsenmaterialstruktur auf einem Substrat. Die erste Linsenmaterialstruktur umfasst eine Mehrzahl von erhöhten Abschnitten. Die erhöhten Abschnitte sind durch Ausnehmungen getrennt. Ferner haben die Mehrzahl von erhöhten Abschnitten eine durchschnittliche Höhe von zumindest 3 Mikrometern. Das Verfahren zum Herstellen eines Mikrolinsenarrays umfasst ferner das Aufbringen eines dielektrischen Materials auf die erste Linsenmaterialstruktur und auf die Ausnehmungen, um eine zweite Linsenmaterialstruktur zu bilden. Die zweite Linsenmaterialstruktur hat eine durchschnittliche Dicke von zumindest 1 Mikrometer. Ferner bilden die erste und die zweite Linsenmaterialstruktur zusammen das Mikrolinsenarray.

公开(公告)号：DE10110468B4

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：DE10110468

申请日：2001-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: G02B5/20 ,  G02B6/293