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    Herstellung eines elektronischen Bauelements
    71.
    发明专利
    Herstellung eines elektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015116263A1

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：DE102015116263

    申请日：2015-09-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL ,  GEBUHR TOBIAS

    IPC: H01L33/52

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Trägers mit einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip und einer auf dem Träger angeordneten Rahmenstruktur. Der Halbleiterchip ist in einem von der Rahmenstruktur umschlossenen Bereich angeordnet. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Aufbringen einer an die Rahmenstruktur angrenzenden Formmasse auf dem Träger durch Durchführen eines Formprozesses, wobei die Formmasse die Rahmenstruktur umschließt und der von der Rahmenstruktur umschlossene Bereich frei von der Formmasse ist. Die Erfindung betrifft ferner ein elektronisches Bauelement.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    72.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102011056706B4

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：DE102011056706

    申请日：2011-12-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  ZITZLSPERGER MICHAEL

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (2) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (3) für die Halbleiterbauteile (1), wobei die Leiterrahmen (3) je mindestens zwei Leiterrahmenteile (34, 38) umfassen, wobei die Leiterrahmen (3) und mindestens ein Teil der Leiterrahmenteile (34, 38) in dem Leiterrahmenverbund (2) durch Verbindungsstege (6) elektrisch miteinander verbunden sind, – Aufbringen des Leiterrahmenverbunds (2) auf einen Zwischenträger (12), – Entfernen und/oder Unterbrechen mindestens eines Teils der Verbindungsstege (6), – Anbringen von zusätzlichen elektrischen Verbindungsmitteln (4) zwischen benachbarten Leiterrahmen (3) und/oder Leiterrahmenteilen (34, 38), – Erstellen eines Vergusskörpers (50) für Gehäusekörper (5) der einzelnen Halbleiterbauteile (1), wobei der Vergusskörper (50) die Leiterrahmenteile (34, 38) der einzelnen Leiterrahmen (3) mechanisch miteinander verbindet, und – Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1).

    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
    73.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014117764A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：DE102014117764

    申请日：2014-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  ILLEK STEFAN ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  GÖÖTZ BRITTA

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben mit – einer Strahlungsdurchtrittsfläche (S), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht (R) tritt, – einer ersten Barriereschicht (1), die an einer Oberseite der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) angeordnet ist und dort zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) steht, – einem Konversionselement (3), welches an der der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) abgewandten Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, – einer zweiten Barriereschicht (2), die an der der ersten Barriereschicht (1) abgewandten Oberseite des Konversionselements (3) und an der Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, wobei – die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) das Konversionselement (3) gemeinsam vollständig umschließen, und – die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) stellenweise in direktem Kontakt miteinander stehen.

    Optoelektronisches Bauteil
    75.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102014112883A1

    公开(公告)日：2016-03-10

    申请号：DE102014112883

    申请日：2014-09-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ DAVID ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SPATH GÜNTER

    IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil, umfassend: einen Träger, eine auf einer Oberfläche des Trägers angeordnete Lichtquelle, die zumindest eine von zumindest einer lichtemittierenden Diode gebildete Leuchtfläche aufweist, wobei auf der Leuchtfläche ein transparenter konverterfreier Abstandshalter angeordnet ist, so dass ein Abstand zwischen der Leuchtfläche und einer der Leuchtfläche abgewandten Abstandshalteroberfläche des Abstandshalters gebildet ist, und wobei die Lichtquelle mittels einer Vergussmasse vergossen ist, so dass die Abstandshalteroberfläche bündig mit einer der Oberfläche des Trägers abgewandten Vergussmasseoberfläche verlaufend gebildet ist und eine mittels der Abstandshalteroberfläche und der Vergussmasseoberfläche gebildete Fläche eben ist. Die Erfindung betrifft ferner ein weiteres optoelektronisches Bauteil sowie entsprechende Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils.

    Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement und eines elektronischen Bauelements, Gehäuse für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement
    79.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement und eines elektronischen Bauelements, Gehäuse für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014103942A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：DE102014103942

    申请日：2014-03-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL

    IPC: H01L21/56 ,  B29C45/14 ,  H01L23/04 ,  H01L23/31 ,  H05K5/02

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses (31) für ein elektronisches Bauelement (40) angegeben, bei dem in einem dreidimensionalen Formprozess mit einem Kunststoff ein Gehäuseteileverbund (20) einer Mehrzahl zusammenhängender Kunststoffgehäuseteile (21) hergestellt wird und durch ein Trennverfahren der Gehäuseteileverbund (20) in eine Mehrzahl einzelner Kunststoffgehäuseteile (21) zerteilt wird, von denen jedes zumindest einen Teil eines Gehäuses (31) bildet, wobei der Formprozess Transfer-Spritzpressen oder Formpressen ist, wobei für den Formprozess ein Formwerkzeug (90) verwendet wird, das Formstifte (93) aufweist, durch die beim Formprozess angeformte erste Seitenflächen (23) an jedem der Kunststoffgehäuseteile (21) erzeugt werden, wobei durch das Trennverfahren an jedem der Kunststoffgehäuseteile (21) zweite Seitenflächen (24) erzeugt werden und wobei die ersten und zweiten Seitenflächen (23, 24) Außenflächen der Kunststoffgehäuseteile (21) bilden. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einem solchen Gehäuse, ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement und ein elektronisches Bauelement mit einem solchen Gehäuse angegeben.

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