公开(公告)号：DE102018126494A1

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102018126494

申请日：2018-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPATH GÜNTER ,  LEISEN DANIEL ,  JEREBIC SIMON ,  KIESSLING MATTHIAS

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit:- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung (P) von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) aussendet,- einem Konversionselement (6), das Primärstrahlung (P) in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert,- einem ersten Verguss (8), der zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips (5) bedeckt, und- einem Haftvermittler (10), mit dem das Konversionselement (6) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) befestigt ist, wobei- der Haftvermittler (10) auf einer Deckfläche des ersten Vergusses (9) angeordnet ist.Des Weiteren werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben.

公开(公告)号：DE112015004104A5

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE112015004104

申请日：2015-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SPATH GÜNTER ,  RACZ DAVID

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE112015002048A5

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE112015002048

申请日：2015-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER MARKUS ,  RACZ DAVID ,  SPATH GÜNTER

IPC: C03C17/22 ,  H01L33/50 ,  C04B35/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

公开(公告)号：DE102015106865A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102015106865

申请日：2015-05-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  BURGER MARKUS ,  SPATH GÜNTER

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend den folgenden Schritt: Bilden eines Schichtenstapels aufweisend eine spritzgegossene oder extrudierte Konversionsschicht und eine spritzgegossene oder extrudierte Diffusorschicht. Die Erfindung betrifft ferner ein Konverterbauteil sowie eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.

公开(公告)号：DE102013111503A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE102013111503

申请日：2013-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/301

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102014112883A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112883

申请日：2014-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RACZ DAVID ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SPATH GÜNTER

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil, umfassend: einen Träger, eine auf einer Oberfläche des Trägers angeordnete Lichtquelle, die zumindest eine von zumindest einer lichtemittierenden Diode gebildete Leuchtfläche aufweist, wobei auf der Leuchtfläche ein transparenter konverterfreier Abstandshalter angeordnet ist, so dass ein Abstand zwischen der Leuchtfläche und einer der Leuchtfläche abgewandten Abstandshalteroberfläche des Abstandshalters gebildet ist, und wobei die Lichtquelle mittels einer Vergussmasse vergossen ist, so dass die Abstandshalteroberfläche bündig mit einer der Oberfläche des Trägers abgewandten Vergussmasseoberfläche verlaufend gebildet ist und eine mittels der Abstandshalteroberfläche und der Vergussmasseoberfläche gebildete Fläche eben ist. Die Erfindung betrifft ferner ein weiteres optoelektronisches Bauteil sowie entsprechende Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils.

公开(公告)号：DE102014102828A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102014102828

申请日：2014-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BURGER MARKUS ,  SPATH GÜNTER ,  RACZ DAVID

IPC: H01L33/50 ,  B41M1/12 ,  B41M5/40 ,  H01L33/62

Abstract: Anordnung mit einer Licht emittierenden Diode (8), mit einer Konverterschicht (2), die ausgebildet ist, um wenigstens bei einem Teil des Lichtes der Diode (8) eine Verschiebung einer Wellenlänge zu erreichen, wobei eine Streuschicht (3) vorgesehen ist, wobei die Streuschicht (3) einfallendes Licht wenigstens teilweise streut, und wobei die Streuschicht (3) als gedruckte Schicht ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE112016001664A5

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE112016001664

申请日：2016-04-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  BURGER MARKUS ,  SPATH GÜNTER

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

公开(公告)号：DE102015105474A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE102015105474

申请日：2015-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  BURGER MARKUS ,  SPATH GÜNTER

IPC: H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: – einen Hilfsträger, wobei – ein Schichtenstapel umfassend eine Basisschicht und eine Konverterschicht auf einer Oberfläche des Hilfsträgers gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils sowie eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.

公开(公告)号：DE102014114613A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102014114613

申请日：2014-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  JEREBIC SIMON ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.