公开(公告)号：CN106892398A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610935772.3

申请日：2016-10-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·赖兴巴赫 ,  T·沙德 ,  J·赖因穆特 ,  P·卡佩 ,  A·伊林 ,  M·阿梅特沃布拉 ,  J·阿姆托尔

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5733 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B7/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00277 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81B7/02 ,  G01C19/5733 ,  G01P15/08

Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，该微机械构件具有基底并且具有与基底连接并且与基底一起包围第一空腔的盖，其中，在第一空腔中存在第一压力并且包含有具有第一化学组成的第一混合气体，其中，在第一方法步骤中，在基底中或盖中构造将第一空腔与微机械构件的周围环境连接的进入开口，其中，在第二方法步骤中调整在第一空腔中的第一压力和/或第一化学组成，其中，在第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入到基底或盖的吸收部分中来封闭进入开口，其特征在于，在第四方法步骤中，在进入开口区域中在基底的或盖的背离第一空腔的表面中构造槽口，用于降低在进入开口封闭的情况下出现的局部应力。

公开(公告)号：CN106698330A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611139921.1

申请日：2013-03-11

Applicant: 矽立科技有限公司

Inventor： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 ,  提-希斯·特伦斯·李 ,  阿里·J·拉斯特加尔 ,  姆谷拉尔·斯唐库 ,  肖·查理斯·杨

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L27/06

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B3/0013 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0022 ,  B81B7/0064 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/05 ,  B81C2203/0735 ,  H01L27/0688

Abstract: 一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻(DRIE)的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构(MEMS)。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏(PID)。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。

公开(公告)号：CN106276776A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510244071.0

申请日：2015-05-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01J5/20

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  G01J5/20

Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一膜体和第二膜体的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二膜体不需要制作悬臂梁，所以第二膜体可以制作得比第一膜体大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。

公开(公告)号：CN105721997A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510164691.3

申请日：2015-04-08

Applicant: 上海微联传感科技有限公司

Inventor： 缪建民

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/038 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及硅麦克风技术领域，尤其涉及一种MEMS硅麦克风及其制备方法，通过在多孔背极板硅基上方设有单晶硅振膜，并由二氧化硅层分离，其通过硅硅键合法与多孔背极板硅基键合，两者形成麦克风的电容结构；另外单晶硅振膜具有残余应力小且一致性好的特点，从而可提高MEMS硅麦克风的灵敏度和良率；振膜上设有弹簧支撑、凸柱、微孔等其它结构，可快速释放振膜的残余应力，同时避免振膜和多孔背极板硅基间吸和可能性，进一步提高麦克风的良率和可靠性，因此，本发明技术方案生产的MEMS硅麦克风结构具有生产工艺简单、灵敏度高、成本低、一致性好、可靠性强等特点。

公开(公告)号：CN104071743B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410117424.6

申请日：2014-03-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特 ,  M·扎加

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0051 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括执行时间多路复用蚀刻处理的步骤，其中时间多路复用蚀刻处理中最后的蚀刻步骤具有第一持续时间。在执行该时间多路复用蚀刻处理之后，执行具有第二持续时间的蚀刻步骤，其中第二持续时间大于第一持续时间。

公开(公告)号：CN102712462B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080052626.7

申请日：2010-09-27

Applicant: 梅姆斯塔有限公司

Inventor： 安东尼·奥哈拉

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻微结构及类似物的方法和装置，当使用二氟化氙(XeF2)蚀刻硅时，所述方法和装置对周围材料提供改进的选择性。通过向处理室添加氢气大大增强了蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN104215236A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310221698.5

申请日：2013-06-05

Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所

Inventor： 于连忠 ,  孙晨

IPC: G01C19/574 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01C19/5769 ,  B81B3/0048 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5747

Abstract: 一种MEMS反相振动陀螺仪，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体为两个，沿垂直方向相对连接，每个所述测量体包括外框架、位于所述外框架内的内框架以及位于所述内框架内的质量块；两个所述测量体之间通过所述外框架相连接；所述外框架与所述内框架之间通过第一弹性梁相连接；所述质量块与所述内框架通过所述第二弹性梁相连接；所述内框架与所述外框架之间的相对边设置有梳状耦合结构；两个所述质量块在垂直方向上以相反方向振动，本发明通过测量所述梳状耦合结构之间的电容变化来测量旋转角速度。本发明具有检测灵敏度高、耦合能耗小、噪声小等特点。

公开(公告)号：CN104111345A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410156351.1

申请日：2014-04-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： A·A·盖斯伯格 ,  贾克妙

IPC: G01P3/44 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01P15/0888 ,  B81C99/004 ,  B81C2201/0132 ,  G01B5/24 ,  G01C19/5656 ,  G01C19/5663 ,  G01C25/005

Abstract: 本发明涉及估算结构的侧壁歪斜角。装置（36）包括运动放大结构（52）、致动器（54）以及接近所述结构（52）的传感电极（50）。所述致动器（54）在所述结构（52）上引起轴向力（88），其在所述结构（52）一个或多个梁（58、60）内导致了相对大量的面内运动（108）。当梁（58、60）的侧壁（98）展示歪斜角的时候，梁（58、60）的面内运动（108）产生了被连接到梁（58、60）的末端的桨元件（62）的面外运动（110）。由蚀刻工艺产生的歪斜角（28）限定了梁（58、60）的侧壁（98）偏移于或倾斜于其设计取向的度数。元件（62）的面外运动（110）在电极（50）被感测，并被用于确定估算的歪斜角（126）。

公开(公告)号：CN103964371A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310034420.7

申请日：2013-01-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙其梁

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明涉及一种硅晶片的钝化层的腐蚀方法，包括往顶部开口的容器中倒入氢氟酸溶液、将硅晶片放置于容器的开口处，使硅晶片的形成有钝化层的一面与氢氟酸溶液相对，以及在常温下保持足够腐蚀的时间，氢氟酸溶液挥发产生氟化氢气体将硅晶片的钝化层腐蚀的步骤，其中，足够腐蚀的时间为(钝化层的厚度/腐蚀速率)×(1+0.2)。该利用氢氟酸挥发产生的氟化氢气体腐蚀硅晶片的钝化层，避免了一般的湿法腐蚀中由于液体的表面张力的作用，腐蚀液难以完全浸润钝化层的表面而使得腐蚀精度较低的问题，腐蚀精度较高。

公开(公告)号：CN103832965A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201210482401.6

申请日：2012-11-23

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/32137 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。