LOW-STRESS DOPED ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND
    71.
    发明申请
    LOW-STRESS DOPED ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND 审中-公开
    低应力超声波超声波钻石

    公开(公告)号:WO2015179421A1

    公开(公告)日:2015-11-26

    申请号:PCT/US2015/031610

    申请日:2015-05-19

    Abstract: Nanocrystalline diamond coatings exhibit stress in nano/micro-electro mechanical systems (MEMS). Doped nanocrystalline diamond coatings exhibit increased stress. A carbide forming metal coating reduces the in-plane stress. In addition, without any metal coating, simply growing UNCD or NCO with thickness in the range of 3-4 micron also reduces inplane stress significantly. Such coatings can be used in MEMS applications.

    Abstract translation: 纳米/微机电系统(MEMS)中的纳米晶金刚石涂层表现出应力。 掺杂的纳米晶体金刚石涂层表现出增加的应力。 碳化物形成金属涂层减少了面内应力。 此外,没有任何金属涂层,简单地生长厚度在3-4微米范围内的UNCD或NCO也显着降低了平面内的应力。 这种涂层可用于MEMS应用。

    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
    73.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE 审中-公开
    非易失性存储器件

    公开(公告)号:WO2007052039A1

    公开(公告)日:2007-05-10

    申请号:PCT/GB2006/004107

    申请日:2006-11-02

    Abstract: A non-volatile memory device and method of manufacturing a non-volatile micro-electromechanical memory cell. The method comprises the first step of depositing a first layer of sacrificial material on a substrate by use of Atomic Layer Deposition The second step of the method is providing a cantilever (101) over at least a portion of the first layer of sacrificial material. The third step is depositing, by use of Atomic Layer Deposition, a second layer of sacrificial material over the first layer of sacrificial material and over a portion of the cantilever such that a portion of the cantilever is surrounded by sacrificial material. The fourth step is providing a further layer material (107) which covers at least a portion of the second layer of sacrificial material. Finally, the last step is etching away the sacrificial material surrounding the cantilever, thereby defining a cavity (102) in which the cantilever is suspended.

    Abstract translation: 一种非易失性存储器件和制造非易失性微机电存储单元的方法。 该方法包括通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一层牺牲材料的第一步骤。该方法的第二步是在第一牺牲材料层的至少一部分上提供悬臂(101)。 第三步是通过使用原子层沉积在第一层牺牲材料上并在悬臂的一部分上沉积第二层牺牲材料,使得悬臂的一部分被牺牲材料包围。 第四步是提供覆盖牺牲材料的第二层的至少一部分的另外的层材料(107)。 最后,最后一步是蚀刻掉围绕悬臂的牺牲材料,由此限定悬臂悬挂在其中的空腔(102)。

    半導体圧力センサ
    74.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017215224A

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:JP2016109795

    申请日:2016-06-01

    Inventor: 佐藤 公敏

    Abstract: 【課題】応力制御のための熱処理を必要とせず、かつ信頼性が高い半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】半導体圧力センサ100Aは、半導体基板11の主面に位置する固定電極18と、半導体基板11の厚み方向で空隙51を介して、少なくとも固定電極18に対向した位置で厚み方向に可動であるダイアフラム61とを備える。ダイアフラム61は、可動電極39と、可動電極39の空隙51側に位置する第1絶縁膜39dと、可動電極39の空隙51とは反対側に位置して第1絶縁膜39dと同じ膜種の第2絶縁膜58と、可動電極39とともに第2絶縁膜58を挟むシールド膜59とを有する。 【選択図】図1

Patent Agency Ranking