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公开(公告)号:WO2015179421A1
公开(公告)日:2015-11-26
申请号:PCT/US2015/031610
申请日:2015-05-19
Applicant: UCHICAGO ARGONNE, LLC
Inventor: SUMANT, Anirudha V. , BUJA, Federico , VAN SPENGEN, Willem Merlijn
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0075 , B81C1/0038 , B81C2201/013 , B81C2201/017 , B81C2201/0171 , B81C2201/0176 , C23C14/16
Abstract: Nanocrystalline diamond coatings exhibit stress in nano/micro-electro mechanical systems (MEMS). Doped nanocrystalline diamond coatings exhibit increased stress. A carbide forming metal coating reduces the in-plane stress. In addition, without any metal coating, simply growing UNCD or NCO with thickness in the range of 3-4 micron also reduces inplane stress significantly. Such coatings can be used in MEMS applications.
Abstract translation: 纳米/微机电系统(MEMS)中的纳米晶金刚石涂层表现出应力。 掺杂的纳米晶体金刚石涂层表现出增加的应力。 碳化物形成金属涂层减少了面内应力。 此外,没有任何金属涂层,简单地生长厚度在3-4微米范围内的UNCD或NCO也显着降低了平面内的应力。 这种涂层可用于MEMS应用。
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公开(公告)号:WO2015059437A1
公开(公告)日:2015-04-30
申请号:PCT/GB2014/000415
申请日:2014-10-15
Applicant: SWANSEA UNIVERSITY
Inventor: LUI, Yufei , GUY, Owen
CPC classification number: B81C1/00111 , A61M37/0015 , A61M2037/003 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0159 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , C23C16/402
Abstract: A method of forming microneedles (28) where through a series of coating and etching processes microneedles are formed from a surface as an array. The microneedles have a bevelled end and bore which are formed as part of the process with no need use a post manufacturing process to finish the microneedle.
Abstract translation: 一种形成微针(28)的方法,其中通过一系列涂层和蚀刻处理微针从表面形成为阵列。 微针具有倾斜的端部和孔,其形成为该过程的一部分,而不需要使用后制造工艺来完成微针。
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公开(公告)号:WO2007052039A1
公开(公告)日:2007-05-10
申请号:PCT/GB2006/004107
申请日:2006-11-02
Applicant: CAVENDISH KINETICS LIMITED , VAN KAMPEN, Robert , KAZINCZI, Robert
Inventor: VAN KAMPEN, Robert , KAZINCZI, Robert
CPC classification number: H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
Abstract: A non-volatile memory device and method of manufacturing a non-volatile micro-electromechanical memory cell. The method comprises the first step of depositing a first layer of sacrificial material on a substrate by use of Atomic Layer Deposition The second step of the method is providing a cantilever (101) over at least a portion of the first layer of sacrificial material. The third step is depositing, by use of Atomic Layer Deposition, a second layer of sacrificial material over the first layer of sacrificial material and over a portion of the cantilever such that a portion of the cantilever is surrounded by sacrificial material. The fourth step is providing a further layer material (107) which covers at least a portion of the second layer of sacrificial material. Finally, the last step is etching away the sacrificial material surrounding the cantilever, thereby defining a cavity (102) in which the cantilever is suspended.
Abstract translation: 一种非易失性存储器件和制造非易失性微机电存储单元的方法。 该方法包括通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一层牺牲材料的第一步骤。该方法的第二步是在第一牺牲材料层的至少一部分上提供悬臂(101)。 第三步是通过使用原子层沉积在第一层牺牲材料上并在悬臂的一部分上沉积第二层牺牲材料,使得悬臂的一部分被牺牲材料包围。 第四步是提供覆盖牺牲材料的第二层的至少一部分的另外的层材料(107)。 最后,最后一步是蚀刻掉围绕悬臂的牺牲材料,由此限定悬臂悬挂在其中的空腔(102)。
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公开(公告)号:JP2017215224A
公开(公告)日:2017-12-07
申请号:JP2016109795
申请日:2016-06-01
Applicant: 三菱電機株式会社
Inventor: 佐藤 公敏
CPC classification number: B81B3/0072 , B81C1/00666 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C2201/0167 , B81C2201/0176
Abstract: 【課題】応力制御のための熱処理を必要とせず、かつ信頼性が高い半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】半導体圧力センサ100Aは、半導体基板11の主面に位置する固定電極18と、半導体基板11の厚み方向で空隙51を介して、少なくとも固定電極18に対向した位置で厚み方向に可動であるダイアフラム61とを備える。ダイアフラム61は、可動電極39と、可動電極39の空隙51側に位置する第1絶縁膜39dと、可動電極39の空隙51とは反対側に位置して第1絶縁膜39dと同じ膜種の第2絶縁膜58と、可動電極39とともに第2絶縁膜58を挟むシールド膜59とを有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017146101A
公开(公告)日:2017-08-24
申请号:JP2016025612
申请日:2016-02-15
Applicant: セイコーエプソン株式会社
Inventor: 田中 信幸
IPC: G01L19/00
CPC classification number: G01L19/14 , B81B7/0058 , B81C1/00333 , G01L7/08 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181
Abstract: 【課題】容易に防水性を付与することのできる防水部材、防水部材の製造方法、圧力センサーおよび電子モジュールを提供する。 【解決手段】防水部材1は、第2シリコン層23および第2酸化シリコン層24を備える積層体2と、積層体2に設けられ、液体の通過を阻止すると共に気体の通過を許容する貫通孔3と、を有し、貫通孔3は、第2シリコン層23を貫通する第1貫通孔31と、第2酸化シリコン層24を貫通すると共に第1貫通孔31と連通する第2貫通孔32と、を有し、第1貫通孔31の幅よりも第2貫通孔32の幅の方が小さい。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6180211B2
公开(公告)日:2017-08-16
申请号:JP2013146346
申请日:2013-07-12
Applicant: 富士フイルム株式会社
IPC: H01L41/113 , H01L41/316 , H01L29/84 , B81C1/00 , H04R17/00 , H04R17/10 , G01P15/09 , G01L9/08 , H03H9/17
CPC classification number: B81B3/0072 , B81C1/00666 , G01C19/56 , G01P15/09 , H01L41/0815 , H01L41/1138 , H01L41/319 , H03H9/17 , H04R17/10 , H04R31/00 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81B2203/04 , B81C2201/0112 , B81C2201/0169 , B81C2201/017 , B81C2201/0176 , G01P2015/084 , H03H2003/027 , H03H2003/0414 , H04R2201/003
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公开(公告)号:JP6394932B2
公开(公告)日:2018-09-26
申请号:JP2017502655
申请日:2014-07-17
Applicant: TDK株式会社
Inventor: ラスムッセン, クルト
CPC classification number: H04R19/04 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C2201/0104 , B81C2201/0176 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003
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公开(公告)号:JP6360205B2
公开(公告)日:2018-07-18
申请号:JP2016573545
申请日:2014-06-16
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト , EPCOS AG
Inventor: ヘン, グドルン , ギーセン, マルセル , デン デッカー, アルノルダス , ポーニン, ジャン−ルイ , サン−パトリス, ダミエン , レイ, ブルーノ
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B7/0041 , B81B2203/0315 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
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公开(公告)号:JP2005500507A
公开(公告)日:2005-01-06
申请号:JP2001546954
申请日:2000-12-19
Applicant: ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション
Inventor: サンゴーン・バエ , ジョウゼフ・クウィッフィ , スティーヴン・ジェイ・フォウナッシュ , ダニエル・ジェイ・ヘイズ
IPC: G01N27/62 , B81B3/00 , B81C1/00 , C12Q1/02 , C12Q1/68 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N1/28 , G01N21/17 , G01N27/447 , G01N30/04 , G01N33/48 , G01N33/543 , G01N33/552 , G01N33/68
CPC classification number: C23C16/511 , B81B2201/0214 , B81C1/0038 , B81C2201/0176 , C23C16/24 , G01N21/17 , G01N27/44717 , Y10T436/119163 , Y10T436/25 , Y10T436/2575
Abstract: 本発明は付着された薄いフィルムを化学的または生物学的な分析に使用することに関する。 さらに本発明は、生物学的試料の分離接着および化学物質の検出にこの薄いフィルムを使用することに関する。 この薄いフィルムの応用には、脱着−イオン化質量分析、有機の薄いフィルムおよび分子のための電気的接点、分析のための光エネルギーの光学的結合、生物学的物質の操作、クロマトグラフィー分離、頭隙吸着媒体、原子分子吸着または付着のための媒体、および細胞付着のための基板がある。
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公开(公告)号:WO2016065857A1
公开(公告)日:2016-05-06
申请号:PCT/CN2015/076636
申请日:2015-04-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/14 , C23C14/34 , F24S25/30 , F24S25/636 , F24S2025/016 , F24S2025/801 , F24S2025/807 , G01F1/56 , G01J1/42 , H02S20/00 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 一种微型传感器本体的制造方法,包括以下步骤:S1:在基板(10)上涂布湿润胶体材料形成胶体层(20),在胶体层(20)的表面覆盖一层一维纳米线膜(30),形成传感器胚体;S2:干燥传感器胚体的胶体层(20),使胶体层(20)开裂形成多个胶体岛(21),一维纳米线膜(30)一部分收缩形成粘附在胶体岛(21)表面的收缩膜片(32),另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片(32)之间的连接结构(33)。还提供一种微型传感器本体,包括基板(10),贴附在基板(10)上的多个胶体岛(21),贴附在多个胶体岛(21)上的触发网(31),触发网(31)包括多个粘附在胶体岛(21)表面的收缩膜片(32)以及连接在相邻收缩膜片(32)之间的连接结构(33)。以及一种包括上述微型传感器本体的微型传感器。所述传感器本体中,收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成,两者连接稳定性好,提高了传感器件的稳定性;使用裂化的方法,容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。
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