半导体装置及该半导体装置用绝缘衬底

    公开(公告)号:CN1835223B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200610058819.9

    申请日:2006-02-28

    Inventor: 山田顺治

    Abstract: 本发明提供在半导体装置的温度变化时,防止在构成绝缘衬底的陶瓷衬底上发生裂纹的半导体装置。本发明的半导体装置,其中包括:包含设有第一主面和第二主面的陶瓷衬底、固定于第一主面的第一金属导体及固定于第二主面的第二金属导体的绝缘衬底;搭载到第一主面的第一金属导体上的半导体元件;以及与第二主面的该第二金属导体接合,并承放绝缘衬底的基片,为缓和该陶瓷衬底周围的热应力,上述第二金属导体在与所述第二主面相接触的区域包括固定于上述第二主面的接合区和设于上述接合区周围且不与所述第二主面相接合的非接合区。

    电子部件的制造方法
    80.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100571490C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200480018756.3

    申请日:2004-06-08

    Abstract: 本发明涉及在被导体膜和下部导体层夹在中间的绝缘部件的上述导体膜侧的表面使由下部导体层连接的导体部露出的电子部件的制造方法。在该方法中,在导体部的形成区域从导体膜侧形成以下部导体层为底部的开口部,将下部导体层作为电极而使金属电镀从开口部的底部开始生长。然后,当该金属电镀到达导体膜而在开口部内形成导体部后,将导体膜和导体部作为电极,使金属电镀在这些导体膜和导体部的上表面生长而形成仅仅形成上述导体层的厚度。

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