公开(公告)号：KR1020100012833A

公开(公告)日：2010-02-08

申请号：KR1020090068521

申请日：2009-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코쿠보타카유키 ,  야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/10 ,  B08B13/00 ,  B08B2230/01

Abstract: PURPOSE: A cleaning device and a cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus are provided to remove effectively a deposit by performing a cleaning process by using pure steam. CONSTITUTION: A deionized water steam production vessel(2) generates the deionized water steam from the deionized water. A supply unit(5) supplies the deionized water steam to a target. A supply line(4) connects the deionized water steam production vessel with the nozzle. A collection unit(6) is installed in the around the nozzle and collects used steam from the target. A collection vessel condense the used steam to collects it. A contact surface with the deionized water steam is formed with resin.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造装置的清洁装置和清洁方法，以通过使用纯蒸汽进行清洁处理来有效地去除沉积物。 构成：去离子水蒸汽生产容器（2）从去离子水中产生去离子水蒸气。 供应单元（5）将去离子水蒸汽供应到目标物。 供应线（4）将去离子水蒸汽生产容器与喷嘴连接。 收集单元（6）安装在喷嘴周围，并从目标物收集用过的蒸汽。 收集器冷凝二手蒸汽收集。 与去离子水蒸汽的接触表面用树脂形成。

公开(公告)号：KR1020090096335A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020090018646

申请日：2009-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N15/02

Abstract: A system and a method for detecting a particle generation source, and a storage medium therefor are provided to calculate the possibility of each particle generation factor by calculating the score based on more than one of the quality and a shape, and size of a particle. In a system and a method for detecting a particle generation source, and a storage medium therefor, a particle generation factor determination system(43) determines a generating factor of a particle. The particle generation factor determination system includes a storage(48) for a calculation program and an output unit(46). The output unit calculates the particle generation factor from a particle distribution based on the stored program.

Abstract translation: 提供了一种用于检测粒子发生源的系统和方法及其存储介质，用于通过基于粒子的质量和形状以及大小的一个以上的计算来计算每个粒子生成因子的可能性。 在用于检测粒子生成源的系统和方法及其存储介质中，粒子生成因子确定系统（43）确定粒子的生成因子。 粒子生成因子确定系统包括用于计算程序的存储器（48）和输出单元（46）。 输出单元基于存储的程序从粒子分布计算粒子生成因子。

公开(公告)号：KR1020090012057A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080061741

申请日：2008-06-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/67201

Abstract: A airtight module and the method of exhausting the same are provided to prevent the pattern formed on the main surface from being collapsed without the degradation of throughput. The transfer arm(31) of the loadlock module(5) receives the wafer(W) under the atmospheric pressure from the transfer arm within the transfer room. The wafer is inputted within the chamber(32). The main surface of the corresponding wafer faces the plate shape member(36). The loadlock module exhaust system(34) exhausts the air in the chamber. The target wafer is accepted within the chamber under the atmospheric pressure.

Abstract translation: 提供了一种气密组件及其排气方法，以防止形成在主表面上的图案不会折叠而不会降低生产量。 负载锁定模块（5）的传送臂（31）在大气压下从传送室内的传送臂接收晶片（W）。 晶片被输入室（32）内。 相应晶片的主表面面向板状构件（36）。 负载锁模块排气系统（34）排出腔室中的空气。 目标晶片在大气压下在腔室内被接受。

公开(公告)号：KR1020060096305A

公开(公告)日：2006-09-11

申请号：KR1020060019180

申请日：2006-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  무라카미다카히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/67069

Abstract: 가스를 체류시키는 일 없이 챔버내에 공급할 수 있는 가스 공급 부재 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 가스 공급 부재인 가스도입 샤워헤드(32)는 가스 구멍(35)의 챔버 대향부측의 외연부에, 가스 구멍(35)의 중심축으로 관해 n회 회전 대칭성(n은 2 이상의 자연수)을 갖는 사면(201)을 갖는다. 사면(201)의 경사각은 전극판 공간 대향면(36S)에 대해 20° 이다. 또한, 가스 구멍(35)은 직경이 2㎜이며, 각각의 간격이 5㎜로 되도록 배치된다.

公开(公告)号：KR1020060052455A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050105199

申请日：2005-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  미츠하시고우지 ,  우에도노아키라

IPC: H01L21/02

Abstract: 소결법 또는 CVD법에 의해서 형성된 탄화 규소체를 절삭 가공에 의해서 포커스링으로 성형하고, 성형된 포커스링을, 4불화탄소 가스 및 산소 가스 중 적어도 하나의 가스로부터 생성된 플라즈마에 노출하고, 포커스링의 표면 근방에 존재하는 공공 형상의 결함에 플라즈마로부터 생성된 불순물을 도입한다. 그 후, 불순물이 도입된 포커스링의 표면 근방에 양전자를 주입하고, 양전자 소멸법에 의해서 포커스링의 표면 근방에서의 결함 존재비를 검사한다.

公开(公告)号：KR100540051B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040008149

申请日：2004-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마를 이용해서 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 서로 다른 복수의 프로세스를 실행함에 있어서 장치의 공용화를 도모하는 것, 또한 복수의 장치에서 동일한 프로세스를 실행함에 있어서 장치간의 플라즈마의 상태를 용이하게 맞추는 것을 제공한다.
처리 용기내의 피 처리 기판을 절연재로 이루어지는 링부재로 둘러싸고, 이 링부재내에 플라즈마의 시스 영역을 조정하기 위한 전극을 설치하고, 예컨대 피 처리 기판에 대하여 제 1 프로세스를 실행할 때에는 해당 전극에 제 1 직류 전압을 인가하고, 제 2 프로세스를 실행할 때에는 제 2 직류 전압을 인가하는 구성으로 한다. 이 경우, 각 프로세스 또는 동일한 프로세스를 실행하는 각 장치에 따라서 적절한 직류 전압을 인가함으로써 플라즈마의 상태를 맞출 수 있으므로, 장치의 공용화를 도모할 수 있고, 또한 플라즈마의 상태의 조정을 용이하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050022359A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040066689

申请日：2004-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: An apparatus for detecting scattered particles is provided to purify a member by scattering the particles attached to a member in a decompression process chamber. CONSTITUTION: The particles scattered from a member in a decompression process chamber(100) is detected. A light source irradiates incident light to the decompression process chamber to pass through the space over the member. A light detecting unit detects scattered light caused by the particles, installed at a predetermined angle with the incident light. The member may be a stage(110) for mounting a substrate to be processed. The incident light is irradiated in parallel with the stage.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测散射颗粒的装置，通过将附着在构件上的颗粒散布在减压处理室中来净化构件。 构成：检测从减压处理室（100）中的构件散射的粒子。 光源将入射光照射到减压处理室以穿过构件上方的空间。 光检测单元检测由与入射光以预定角度安装的颗粒所引起的散射光。 构件可以是用于安装待处理衬底的台架（110）。 入射光与舞台平行地照射。

公开(公告)号：KR1020040072467A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：KR1020040008149

申请日：2004-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to adjust a plasma state in every process and commonly use an apparatus with respect to a plurality of different process treatments by applying a predetermined DC voltage to an electrode in a ring member composed of an insulator. CONSTITUTION: The ring member is composed of an insulating material installed to surround a substrate to be processed on a mounting table. The electrode(51) is installed in the ring member. A DC power source applies a DC voltage to the electrode to adjust a plasma sheath region above the ring member.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，用于在每个过程中调节等离子体状态，并且通过对由绝缘体组成的环形构件中的电极施加预定的DC电压，通常使用关于多个不同工艺处理的装置。 构成：环形构件由安装成围绕要安装台上要加工的基板的绝缘材料构成。 电极（51）安装在环状部件中。 直流电源向电极施加直流电压，以调整环件上方的等离子体护套区域。