公开(公告)号：KR1020050087807A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：KR1020057009559

申请日：2003-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  마츠자와고우메이 ,  마츠다츠카사 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a substrate processing chamber which causes less damage to members in the substrate processing chamber is disclosed. The method for cleaning a processing chamber of an apparatus for processing a substrate comprises a gas supply step wherein a gas is supplied into a remote plasma generating unit provided to the substrate processing apparatus, a reacting species formation step wherein a reacting species is formed by exciting the gas in the remote plasma generating unit, and a reaction step wherein the reacting species is supplied into the processing chamber from the remote plasma generating unit while keeping the pressure within the processing chamber at 1333 Pa or higher.

Abstract translation: 公开了一种用于清洁对衬底处理室中的构件造成较小损坏的衬底处理室的方法。 用于清洁处理基板的设备的处理室的方法包括：气体供给步骤，其中将气体供应到设置到基板处理设备的远程等离子体生成单元中，反应物质形成步骤，其中通过激发形成反应物质 远程等离子体发生单元中的气体，以及反应步骤，其中将反应物质从远程等离子体发生单元供应到处理室中，同时将处理室内的压力保持在1333Pa或更高。

公开(公告)号：KR1020030062365A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020037007362

申请日：2001-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  카와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 본 발명은 ALD법을 이용한 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치에 관한 것으로, ALD법에 의한 복수 종의 원료 가스를 한 종류씩 복수 회에 걸쳐 공급하는 성막에 앞서, 복수 종의 원료 가스를 동시에 공급하는 전처리를 실시하여, 성막에서의 인큐베이션 타임의 저감 및 작업 처리량의 향상을 도모한다.

公开(公告)号：KR1020020079783A

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1020027009180

申请日：2001-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  다치바나미츠히로 ,  오쿠보가즈야 ,  스즈키겐지 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285

Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 성분 가스를 기부 배리어 막(3)으로 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나는 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 성분 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 성분 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 성분 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.

公开(公告)号：KR1020000062779A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1020000011449

申请日：2000-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  구보겐이치 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 본발명은감압처리실로부터미반응원료가스나반응부생성물가스를배기하기위한진공펌프의안정가동을보증하는동시에반응부생성물을효율적으로회수하여자원의유효이용및 운전비용의절감을도모하는것을목적으로한다. 이감압 CVD 장치는감압 CVD법에의해구리의성막(成膜)을행하기위한처리실(10)과, 이처리실(10)에원료가스로서유기구리화합물예컨대 Cu(I) hfac TMVS를공급하기위한원료가스공급부(12)와, 처리실(10)을진공흡기하여배기하기위한진공배기부(14)로구성되어있다. 진공배기부(14)는진공펌프(26)와, 그전단및 후단에각각설치된고온트랩장치(28) 및저온트랩장치(30)로구성되어있다. 고온트랩장치(28)에서는처리실(10)로부터의배기가스에포함되어있는미반응 Cu(I) hfac TMVS를분해하여금속구리가트랩되고, 저온트랩장치(30)에서는반응부생성물인 Cu(II) (hfac)가트랩된다.