公开(公告)号：KR100493988B1

公开(公告)日：2005-09-12

申请号：KR1019970045669

申请日：1997-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미

IPC: H01L21/304

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 대하여 레지스트액을 도포하고, 도포 레지스트를 현상하기 위한 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
기판의 반송중 또는 처리중에, 기판에 부착한 이물질을 최종적으로 제거할 수 있는 동시에, 케미컬필터의 사용량을 저감시킬 수가 있도록 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
레지스트 처리방법은 (a) 기판을 처리하기 위한 프로세스부와 카세트로부터 기판을 꺼내어 프로세스부로 반송하는 수단과, 프로세스부에서 처리된 기판을 최종 세정하기 위한 세정부와, 프로세스부로부터 세정부로 기판을 받아넘기는 수단과, 세정부로부터 기판을 받아넘겨 받아서 카세트에 기판을 수납하는 수단을 준비하며, (b) 카세트로부터 기판을 꺼내고, (c) 꺼낸 기판을 프로세스부로 반송하며, (d) 프로세스부에 있어서는 최소한 기판에 도포된 도포레지스를 현상하는 처리공정을 포함하고, (e) 최소한 현상처리 공정 후에 기판을 프로세스부로부터 세정부로 받아넘기며, (f) 세정부에서는, 최소한 기판의 비레지스트 도포면에 세정액을 뿌려서, 기판의 비레지스트 도포면을 최종 세정하여, (g) 이 최종세정된 기판을 카세트에 수납한다.
4. 발명의 중요한 용도
레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 이용한다.

公开(公告)号：KR100459957B1

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1019970047120

申请日：1997-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67754 ,  B05C13/00 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  Y10T29/41

Abstract: A substrate processing system comprises a cassette mounting section having a plurality of cassettes arranged therein, a sub-arm mechanism for transferring the substrate into and out of the cassette within the cassette mounting section, a first transfer path of the sub-arm mechanism extending along the arrangement of the cassettes in the cassette mounting section, a process section including a heat treating section for heating or cooling the substrate and a liquid treating section in which a process liquid is applied to the substrate, a main arm mechanism for transfer of the substrate from and onto the sub-arm mechanism and from and into the process section, and a second transfer path of the main arm mechanism. The heat treating section is positioned higher than the first transfer path, interposed between the cassette mounting section and the second transfer path in respect of a horizontal plane, and comprises a plurality of compartments stacked one upon the other.

Abstract translation: 一种基板处理系统，包括：盒安装部，其具有配置在其内部的多个盒;副臂机构，其用于将基板在盒安装部内进出盒;副臂机构的第一传送路径; 盒安装部中的盒的配置，包括用于加热或冷却基板的热处理部的处理部，以及处理液被施加到基板的液体处理部，用于传送基板的主臂机构 从副臂机构移出并进入处理部分，以及主臂机构的第二传送路径。 热处理部分定位成高于第一传送路径，相对于水平面介于盒安装部分和第二传送路径之间，并且包括彼此堆叠的多个隔室。

公开(公告)号：KR100309029B1

公开(公告)日：2001-12-17

申请号：KR1019960024416

申请日：1996-06-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미

IPC: H01L21/304

Abstract: 세정처리장치는, 기판을 화학세정하기 위한 세정액이 수용된 세정액 공급원(102)과, 처리대상으로 되는 기판을 회전가능하도록 유지하는 스핀척(50,250,350,450)과, 상기 세정액 공급원에 연이어 통하고, 상기 스핀척상의 기판에 상기 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급하는 노즐(70,281,370,481)과, 상기 세정액이 이 노즐로부터 기판을 향하여 공급되기 전에 설정된 처리온도범위 내에서 세정액의 온도를 조정하는 액 온도조정수단(100,106,106a,106b)과, 온도조정커버(71,271,371,471,)와, 상기 스핀척으로 유지된 기판으로부터 떨어지거나 근접하는 상기 온도조정커버를 이동시키는 커버이동수단(75)을 포함하여 구성되며, 상기 온도조정커버는 상기 스핀척상의 기판을 덮도록 상기 커버이동수단에 의해 근접되게 제공되고, 주위의 분위기로부터 열적영향을 받음으로 서 설정된 처리온도범위 밖에 존재하지 않도록 기판상에 제공되는 세정액의 온도를 조절한다.

公开(公告)号：KR1019990072442A

公开(公告)日：1999-09-27

申请号：KR1019990003880

申请日：1999-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미

IPC: H01L21/027

Abstract: 기판을 반송하는 2개의 반송장치와, 이들 2개의 반송장치의 사이에 설치되어, 기판을 일시적으로 올려놓는 중계부와, 한쪽의 반송장치에 의해 기판의 반출입이 행해지고, 반입된 기판에 레지스트도포처리를 실시하기 위한 도포처리유니트와, 다른쪽의 반송장치에 의해 기판의 반출입이 행해지고, 반입된 기판의 노광된 레지스트에 현상처리를 실시하기 위한 현상처리유니트를 구비하며, 상기 도포처리유니트와 상기 현상처리유니트는 상기 2개의 반송장치 및 중계부를 사이에 두고 서로 반대쪽에 대향하여 배치되어 있다.

公开(公告)号：KR1019980079949A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980007355

申请日：1998-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  요시하라고스케 ,  후쿠다유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 피처리기판을 소정 온도로 설정하고, 소정 온도로 설정된 피처리기판을 회전시키면서 레지스트액을 기판상에 도포하여 레지스트막을 기판상에 형성하며, 레지스트막이 형성된 피처리기판을 가열하고, 이 가열처리후에 피처리기판을 소정 온도로 냉각하는 레지스트 처리방법에 있어서, 가열처리와 냉각처리와의 사이에서 피처리기판상의 레지스트막의 막두께가 측정된다.

公开(公告)号：KR100116403B1

公开(公告)日：1997-06-13

申请号：KR1019890001425

申请日：1989-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

公开(公告)号：KR1019960002242B1

公开(公告)日：1996-02-13

申请号：KR1019890007138

申请日：1989-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  히라카와오사무 ,  아키모토마사미 ,  아나이노리유키 ,  아나이노리유키

IPC: G03F7/16

CPC classification number: G03F7/162 ,  B05B15/55 ,  B05C11/08

Abstract: Disclosed is a coating apparatus for applying a resist or developing solution to a semiconductor wafer. This coating apparatus comprises a plurality of nozzles supplied with various resist from a resist source and each adapted to drip the different solution onto the wafer, a vessel in which the nozzles is kept on stand-by, while maintaining the liquids in a predetermined state in the vicinity of discharge port portions of the nozzles, when the nozzles need not be operated, and a nozzle operating mechanism for selecting one of the nozzles kept on stand-by in the vessel, and transporting the selected nozzle to the location of the wafer, whereby the resist is applied to the wafer by means of only the nozzle transported by the nozzle operating mechanism.

公开(公告)号：KR1019890013744A

公开(公告)日：1989-09-25

申请号：KR1019890001425

申请日：1989-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우시지마미츠루 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR101200155B1

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：KR1020110106232

申请日：2011-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101117872B1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：KR1020060004421

申请日：2006-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키

IPC: B05C9/02 ,  B05B15/04 ,  B05D3/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67754

Abstract: 본 발명은 도포· 현상장치 및 도포 · 현상방법에 관한 것으로서 도포·현상 장치는 웨이퍼에 대해서 레지스트막을 형성한 후 노광 장치에 반송하고 노광후의 기판을 현상 처리하는 처리 블럭과 처리 블럭과 노광 장치와의 사이에 설치된 인터페이스 반송 기구를 구비하고 상기 처리 블럭은 도포막 형성용의 단위 블럭과 현상 처리용의 단위 블럭을 갖고 이들이 적층된 상태로 배치되고 있다. 상기 인터페이스 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 웨이퍼에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 실시한 후처리 후의 웨이퍼를 수용유니트에 퇴피시키는 것과 동시에 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 웨이퍼의 반입을 금지하는 기술을 제공한다.