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公开(公告)号：KR101602942B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020090095268
申请日：2009-10-07
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139
Abstract: 패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는, 서로다른표면성질을나타내는제 1 영역과제 2 영역을가지는자기조립유도층상에블록공중합체층을형성하고상분리를시켜, 원기둥형태의제 1 패턴과눕혀진반원기둥형태의제 2 패턴을형성할수 있다. 상기제 1 영역과제 2 영역의선폭은포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭일수 있으며, 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴은각각제 1 영역과제 2 영역에서, 각각제 1 영역과제 2 영역의선폭보다작은선폭을가지도록형성될수 있다. 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴을식각마스크로이용하여원하는패턴을형성할수 있다. 이로써, 포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭보다작은선폭을가지는미세한패턴을형성할수 있다. 또한라인형태와섬 형태의패턴을동시에형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160022495A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020140108097
申请日：2014-08-20
IPC: G02F1/137 , G02F1/1334
CPC classification number: G02F1/1334 , G02F1/133377 , G02F1/1341 , G02F1/13718 , G02F2001/13345 , G02F2001/13775 , G02F2201/52 , G02F2202/023 , G02F2202/06
Abstract: 화소별 동일구동전압을가지는디스플레이장치및 그제조방법을제공하고자한다. 일측면에따른디스플레이장치는, 제 1 기판, 제 2 기판및 제 1 기판과제 2 기판사이에배치되며, 복수개의서브셀을가지는액정층을포함하고, 복수개의서브셀은, 콜레스테릭액정과콜레스테릭액정의나선피치를고정하도록경화된폴리머를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种对于每个像素具有相同驱动电压的显示装置及其制造方法。 根据本发明的一个方面，显示装置包括：第一基板; 第二基板; 以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层，并且具有多个子单元。 子电池包括胆固醇液晶和硬化以固定胆甾型液晶螺旋间距的聚合物。
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公开(公告)号：KR1020130124861A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048321
申请日：2012-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/308 , G03F1/00 , G03F1/70 , G03F7/0002 , G03F7/2024 , G03F7/203 , G03F7/70466 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0335
Abstract: A method for forming patterns comprises a first exposure step for exposing at least one first region in a photoresist layer; a process for forming at least one first hole by removing the first region by using a first developing solution; a second exposure step for exposing at least one second region surrounding the first hole in the photoresist layer; a process for forming at least one second hole by removing the non-exposure region of the photoresist layer by using a second developing solution.
Abstract translation: 用于形成图案的方法包括用于曝光光致抗蚀剂层中的至少一个第一区域的第一曝光步骤; 通过使用第一显影液去除第一区域来形成至少一个第一孔的方法; 第二曝光步骤，用于暴露光致抗蚀剂层中围绕第一孔的至少一个第二区域; 通过使用第二显影液去除光致抗蚀剂层的非曝光区域来形成至少一个第二孔的工艺。
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公开(公告)号：KR101245380B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020070119830
申请日：2007-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C7/20 , G11C5/04 , G11C5/066 , G11C7/1078 , G11C7/1084 , G11C7/1093 , G11C2207/105
Abstract: 본 발명은 메모리 모듈을 공개한다. 본 발명의 메모리 모듈은 메모리 모듈 기판, 메모리 모듈 기판 상에 장착된 복수개의 반도체 메모리 장치들을 구비하고, 메모리 모듈 기판은 복수개의 반도체 메모리 장치들을 개별적으로 제어하는 제1 신호들을 인가받는 제1 입력 단자들 및 복수개의 반도체 메모리 장치들을 공통으로 제어하는 제2 신호들을 인가받는 제2 입력 단자들을 구비하며, 복수개의 반도체 메모리 장치들 각각은 제1 신호들을 제1 입력 핀들에 입력받는 제1 신호 입력부들; 제2 신호들을 제2 입력 핀들에 입력받는 제2 신호 입력부들; 제1 신호 입력부들 각각과 병렬로 연결되어 제1 신호들을 제3 입력 핀들에 입력받아 신호 라인 로딩을 보상하는 더미 입력부들을 구비하고, 메모리 모듈 기판의 제1 입력 단자들은 제1 신호 라인들을 통하여 복수개의 반도체 메모리 장치들 각각의 제1 및 제2 입력 핀들에 공통으로 연결되고 메모리 모듈 기판의 제2 입력 단자들은 제2 신호 라인들을 통하여 복수개의 반도체 메모리 장치들 각각의 제3 입력 핀들에 연결되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의할 경우 반도체 메모리 장치들의 신호들간 스큐 현상을 방지함으로써 반도체 메모리 장치의 사이즈를 증가시키지 않고 메모리 시스템 동작을 고속화하고 데이터 처리 용량을 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110037718A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020090095268
申请日：2009-10-07
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/70433
Abstract: PURPOSE: A method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type are provided to form a pattern having a line narrower a minimum width in a photolithographic process by using a copolymers forming a cylinder type domain array. CONSTITUTION: In a method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type, a self-assembly guiding layer(6) including a first region and a second region is formed on a semiconductor substrate(1). A block copolymer layer is coated on the self-assembly guiding layer. A first pattern, a second pattern, and a third pattern are formed by dividing the block copolymer layer. At least one of a first to a third pattern is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种同时形成线型和岛型的图案的方法，以通过使用形成圆柱型畴阵列的共聚物在光刻工艺中形成具有窄最小宽度的线的图案。 构成：在同时形成线型和岛型图案的方法中，在半导体衬底（1）上形成包括第一区域和第二区域的自组装引导层（6）。 嵌段共聚物层涂覆在自组装引导层上。 通过分割嵌段共聚物层形成第一图案，第二图案和第三图案。 去除了第一至第三图案中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100891095B1
公开(公告)日：2009-03-31
申请号：KR1020070014935
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00434 , B01J2219/00466 , B01J2219/00497 , B01J2219/005 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00648 , B01J2219/00659 , B01J2219/00662 , B01J2219/00675 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B82Y30/00 , C12Q1/6837 , C12Q2563/155
Abstract: 광 검출 강도가 개선된 마이크로 어레이 및 그 제조 방법이 제공된다. 마이크로 어레이는 기판, 기판 상에 배치된 복수의 미세 파티클로서, 각 미세 파티클이 일정 간격으로 이격되어 배열되어 있는 복수의 미세 파티클, 및 각 미세 파티클에 커플링된 프로브를 포함한다.
마이크로 어레이, 미세 파티클, 광 결정 구조-
公开(公告)号：KR1020080075738A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070015056
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C12Q1/6837 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00434 , B01J2219/00466 , B01J2219/00497 , B01J2219/005 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00648 , B01J2219/00659 , B01J2219/00662 , B01J2219/00675 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B82Y30/00 , B82Y15/00 , C12Q2563/155
Abstract: An oligomer probe array is provided to improve reaction yield by immobilizing nanoparticles to an immobilization layer, and increase detection intensity after hybridizing with a target material by using photo crystal structure formed by nanoparticles. An oligomer probe array(100) comprises: a substrate(110); an immobilization layer(120) on the substrate, containing a plurality of probe cell regions(A) where the nanoparticles are coupled, which are divided by probe cell separation regions(B); nanoparticles(140) coupled to the immobilization layer and forming photo crystal structure for amplifying wavelength of light emitted from fluorescent materials attached to a target material to be hybridized; and an oligomer probe(165) coupled to the nanoparticles, wherein the diameter of nanoparticles is 100-1,000 nm and the distance between nanoparticle centers is 100-1,000 nm; and the nanoparticle is polystyrene, polymethylmethacrylate, polymethylmethacrylate copolymer or silica, glass, magnet, Wang resin, Merrifield resin, metal, plastic, cellulose, sephadex or sepharose. Further, the plurality of probe cell regions have three-dimensional surfaces.
Abstract translation: 提供了一种低聚物探针阵列，以通过将纳米颗粒固定在固定化层上来提高反应产率，并通过使用纳米颗粒形成的光致结晶结构，与目标物质杂交后提高检测强度。 低聚物探针阵列（100）包括：基底（110）; 在所述基板上的固定层（120），其包含被所述探针单元分离区域（B）分割的多个所述纳米粒子耦合的探针单元区域（A）。 纳米颗粒（140），其耦合到固定层并形成光晶体结构，用于放大从附着于待杂交的靶材上的荧光材料发出的光的波长; 和耦合到纳米颗粒的低聚物探针（165），其中纳米颗粒的直径为100-1,000nm，并且纳米颗粒中心之间的距离为100-1000nm; 纳米颗粒是聚苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸甲酯共聚物或二氧化硅，玻璃，磁铁，王氏树脂，Merrifield树脂，金属，塑料，纤维素，sephadex或sepharose。 此外，多个探针单元区域具有三维表面。
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公开(公告)号：KR100818621B1
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：KR1020060076261
申请日：2006-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01R33/76
CPC classification number: H01R12/83 , H01R13/62988 , H01R13/631 , H05K1/0295 , H05K1/117 , H05K2201/09954 , H05K2201/10159
Abstract: 메모리 모듈, 메모리 모듈용 소켓 및 그를 구비한 메인 보드가 개시된다. 본 발명의 메모리 모듈용 소켓은, 메모리 모듈 기판의 어느 일변에 형성된 제1 커넥터와 전기적으로 연결 가능한 제1 소켓핀들을 구비하는 제1 단위소켓; 및 메모리 모듈 기판에 형성된 제2 커넥터와 전기적으로 연결 가능한 제2 소켓핀들을 구비하며, 메모리 모듈 기판이 장착되는 메인 보드(Main Board) 기판의 판면과 나란하게 메인 보드 기판에 장착되는 제2 단위소켓을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 단순하며 실제 구현이 용이하고 전기적 신뢰성을 확보할 수 있는 구조를 가질 뿐만 아니라 메모리 모듈의 면적을 늘리지 않고서도 메모리 모듈의 커넥터의 수를 확장하게 할 수 있다.
메모리 모듈, 메모리 모듈용 소켓, 제1 단위소켓, 제2 단위소켓-
公开(公告)号：KR100801080B1
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020060074355
申请日：2006-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07C205/57 , C07C205/06 , B82Y10/00
CPC classification number: C07H17/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00452 , B01J2219/00454 , B01J2219/00527 , B01J2219/00605 , B01J2219/00648 , B01J2219/00659 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00
Abstract: A photolabile compound, and a substrate for an oligomer probe array using the photolabile compound are provided to increase the entire reaction yield in the manufacturing process of an oligomer probe array by improving the velocity of deprotection of a photolabile protection group. A photolabile compound is represented by the formula 1, wherein R1 is a methyl group, an amino group, a hydroxyl group, a phenyl group, a diphenyl group, a naphthalenyl group, a trimethylsilyl group, a cyanide group, an azide group, a thiophenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, or a heterocyclic group; n is 0-8; R2 is H or an alkyl group; and Y is a halogen atom, a hydroxyl group, or other specific groups.
Abstract translation: 提供光不稳定化合物和使用该光不稳定化合物的低聚物探针阵列用基板，通过提高光不稳定保护基的脱保护速度，提高低聚物探针阵列的制造工序中的全部反应产率。 光不稳定化合物由式1表示，其中R1是甲基，氨基，羟基，苯基，二苯基，萘基，三甲基甲硅烷基，氰基，叠氮基， 噻吩基，环烷基，环烯基或杂环基; n为0-8; R2是H或烷基; Y是卤素原子，羟基或其它特定基团。
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公开(公告)号：KR100782985B1
公开(公告)日：2007-12-07
申请号：KR1020060134007
申请日：2006-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/3151
Abstract: An etching apparatus using an ion beam is provided to prevent insulation of an ion extracting electrode from being damaged by reducing an amount of polymer attached on the ion extracting electrode. An etching apparatus includes a reaction chamber(10) in which a reaction gas is ionized by a high-frequency power to generate plasma, a porous ion extracting electrodes(12) extracting an ion beam from the plasma, and a chuck(15) supporting an object to be etched by the extracted ion beam. A high-dielectric coating layer(13) is formed on a surface of the ion extracting electrode to prevent the ion extracting electrode from being damaged due to charges accumulated on the polymer which is generated in the process of extracting the ion beam.
Abstract translation: 提供使用离子束的蚀刻装置，以通过减少附着在离子提取电极上的聚合物的量来防止离子提取电极的绝缘被损坏。 一种蚀刻装置，包括反应室（10），反应气体通过高频电力离子化以产生等离子体，多孔离子提取电极（12）从等离子体提取离子束;以及卡盘（15），其支撑 被提取的离子束蚀刻的物体。 在离子提取电极的表面上形成高电介质涂层（13），以防止由于在提取离子束的过程中产生的聚合物上累积的电荷而导致离子提取电极受损。
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