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公开(公告)号：KR1019970073078A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960014009
申请日：1996-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/74
Abstract: 본 발명은 배면타입의 프로젝션 티브이에 적용되는 스크린에 관한 것으로, 특히 확산면에 종횡방향으로 렌티큘러 형상을 갖게 하여 수평 뿐만아니라 수직방향으로도 확산이 이루어지게 함으로써 보다 넓은 시청범위를 갖도록 한 종곡률을 준 프로젝션티브이용 스크린에 관한 것이다. 본 스크린은 세로방향으로 소정의 곡률을 갖음으로써 확산제의 의한 확산효과보다 큰 확산효과를 갖아 수직방향의 시청범위를 보다 크게확대할 수 있다. 특히, 세로방향의 곡률을 조절함으로써 설치조건에 따라 시청범위를 조정할 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1019970058055A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950065611
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박준수
IPC: H04N13/00
Abstract: 본 발명은 더블 스캔 방식의 입체 TV에 관한 것으로 하나의 디스플레이 장치에서 더블 스캔으로 입체 화면을 표현시키도록 하는 것으로써 기존에 2개의 디스플레이 장치를 이용하는 번거로움을 피하는 것이다. 이러한 본 발명은 하나의 피사체를 각기 다른 각도에서 촬영한 영상신호를 복조시키는 복조 수단과, 복조 수단에서 복조된 영상신호의 수평 주파수를 배가시켜 더블 스캔으로 변환시키는 더블 스캔 수단과, 더블 스캔 수단에서 변환된 영상신호를 1H 주기로 절환시켜가며 선택하는 스위칭 수단과, 상기 스위칭 수단에서 선택된 신호를 스크린에서 디스플레이 시키는 신호처리 수단을 구비하므로써 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1019950007484A
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR1019930016206
申请日：1993-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박준수
IPC: H04N5/74
Abstract: 본 발명은 프로젝션 및 프로젝터 텔레비젼의 수직 셰이딩 현상을 감소시키거나 제거시키도록 하는 셰이딩 보정회로에 관한 것으로 종래 수평 방향의 셰이딩 보정만 행하여 세트를 슬림화 시킬 경우 수직 방향으로는 세이딩 현상이 발생되는 것을 보정해 주기 위한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 RG B 신호 복조 수단을 구비한 프로젝션 텔레비젼에 있어서, 세이딩 보정 펄스를 발생시키는 펄스 발생 수단을 구비하고 상기 신호 복조 수단의 RG B 출력을 펄스 발생 수단에서 발생시킨 펄스와 가산시키는 가산 수단을 구비하여된 것으로서 수직 방향의 셰이딩 현상을 보정시켜 균일한 밝기를 유지시킬 수 있다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150122516A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020140048876
申请日：2014-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0035 , H01L21/0274
Abstract: 본발명의패턴형성방법은지지층상에이중톤감광층(dual tone photoresist layer)을형성하는단계와, 그레이피쳐(gray feature)를포함하는마스크를이용하여상기이중톤감광층을노광함으로써상기이중톤감광층의제1 영역에낮은노광영역, 중간노광영역및 높은노광영역을형성하고, 상기이중톤감광층의제2 영역에낮은노광영역및 중간노광영역을형성하는단계와, 상기제1 영역의상기높은노광영역의상기이중톤감광층을포지티브현상공정을통해제거함으로써상기제1 영역에복수개의예비패턴들을형성하는단계와, 상기제1 영역의낮은노광영역의이중톤노광층과상기제2 영역의상기낮은노광영역의상기이중톤감광층을네거티브현상공정을통해제거함으로써상기제1 영역에서로떨어져위치하는복수개의제1 패턴들과상기제2 영역에서로떨어져위치하는복수개의제2 패턴들을형성하는단계을포함한다.
Abstract translation: 图案形成方法包括以下步骤：在支撑层上形成双色光致抗蚀剂层; 通过使用包含灰色特征的掩模曝光双色光致抗蚀剂层，以在双色光致抗蚀剂层的第一区域中形成低曝光区域，中间曝光区域和高曝光区域，并形成低曝光区域，以及 在双色光致抗蚀剂层的第二区域中的中间曝光区域; 通过正显影处理去除第一区域的高曝光区域的双色光致抗蚀剂层，以在第一区域中形成多个初步图案; 以及通过负显影处理去除第二区域的低曝光区域的低曝光区域的双曝光区域和第二区域的低曝光区域的双色调光致抗蚀剂层，以形成分别位于第一区域和多个第二区域中的多个第一图案 图案分开地定位在第二区域中。
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公开(公告)号：KR1020150042378A
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130120903
申请日：2013-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L27/10852 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/0274 , H01L21/306
Abstract: 반도체소자의패턴형성방법이제공된다. 패턴형성방법은기판에포함된하부막상에제1 개구부들을가지는마스크막을형성하는것; 상기제1 개구부들을채우며상기마스크막상으로돌출된필라들을형성하는것; 상기필라들을포함하는상기기판상에블록공중합체막을형성하는것; 상기블록공중합체막을열처리하여, 제1 블록부및 제2 블록부를형성하는것; 상기제2 블록부를제거하여, 상기마스크막을노출시키는가이드개구부들을형성하는것; 및상기가이드개구부들에의해노출된상기마스크막을식각하여, 제2 개구부를형성하는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了形成半导体器件的图案的方法。 形成图案的方法包括以下步骤：在衬底上包括的下层上形成具有第一开口部分的掩模层; 形成柱，其填充所述第一开口部并突出在所述掩模层上; 在包括所述柱的所述基材上形成嵌段共聚物; 通过热处理所述嵌段共聚物形成第一嵌段部分和第二嵌段部分; 形成引导开口部分，以通过去除所述第二块部分而露出所述掩模层; 以及通过蚀刻由所述引导开口部暴露的掩模层来形成所述第二开口部。
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公开(公告)号：KR1020080004784A
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020060063519
申请日：2006-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144
Abstract: A method for fabricating a semiconductor memory device is provided to perform a manufacturing process of a mask pattern for a fine contact hole shape with a desired pitch. A method for fabricating a semiconductor memory device includes the steps of: providing a plurality of filler photosensitive patterns onto a semiconductor substrate(100) in which an insulating film, a hard mask film, and an anti-reflective film are sequentially laminated; forming a surrounding film surrounding the filler photosensitive patterns by a chemical attached process for reacting chemical materials with the filler photosensitive patterns; filling a gap between the surrounding films with the photosensitive materials and etching back the gap; etching the surrounding films; forming a mask pattern for an inverted contact hole shape by etching the anti-reflective film, the hard mask film, and the insulating film by using the filler photosensitive patterns and the photosensitive materials as an etching mask.
Abstract translation: 提供一种用于制造半导体存储器件的方法，用于以期望的间距执行用于精细接触孔形状的掩模图案的制造工艺。 一种制造半导体存储器件的方法包括以下步骤：在绝缘膜，硬掩模膜和抗反射膜依次层叠的半导体衬底上提供多个填充光敏图案; 通过用于使化学材料与填充剂光敏图案反应的化学连接方法形成围绕填料光敏图案的周围膜; 用感光材料填充周围膜之间的间隙并蚀刻回间隙; 蚀刻周围的膜; 通过使用填充剂感光图案和感光材料作为蚀刻掩模，通过蚀刻抗反射膜，硬掩模膜和绝缘膜来形成用于反接触孔形状的掩模图案。
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公开(公告)号：KR100674970B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050033205
申请日：2005-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 이중 스페이서들을 이용한 미세 피치의 패턴 형성 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 패터닝 대상층 및 이격 거리에 비해 선폭이 작은 라인(line) 패턴의 제1하드 마스크들을 형성한다. 제1하드 마스크들의 측부를 덮는 제1스페이서층 및 제2스페이서층을 형성하고, 스페이서 식각하여 제1하드 마스크의 측부에 스페이서 패턴 형태의 제2하드 마스크를 형성한다. 제1하드 마스크와 상기 제2하드 마스크 사이에 존재하는 제1스페이서층 부분을 선택적으로 제거한다. 제1 및 제2하드 마스크를 식각 마스크로 패터닝 대상층을 선택적으로 식각하여 미세 패턴을 형성한다.
미세 패턴, 이중 스페이서, 하드 마스크, 라인 및 스페이스 패턴, 트리밍
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