公开(公告)号：KR100653702B1

公开(公告)日：2006-12-04

申请号：KR1020040067639

申请日：2004-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최한메 ,  이종철 ,  이승환 ,  최대식 ,  박기연 ,  김영선 ,  유차영 ,  김성태

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해서, 활성 영역들을 갖는 반도체 기판을 준비한다. 상기 활성 영역들의 상부를 가로질러서 달리도록 반도체 기판 상에 복수 개의 게이트 패턴들이 배치된다. 상기 게이트 패턴들은 차례로 적층된 부유 게이트 패턴, 게이트 층간 유전막 패턴 및 제어 게이트 패턴을 갖는다. 이때에, 상기 게이트 층간 유전막 패턴은 하프늄 산화막 및 알루미늄 산화막을 적어도 2번 이상 교대로 반복해서 적층된 것이다.
누설전류, 하프늄 산화막

公开(公告)号：KR100634262B1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：KR1020050018415

申请日：2005-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  윤경렬 ,  최대식 ,  최한메 ,  이승환

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 복합 유전막을 갖는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에는 제1도전막이 형성되며, 상기 복합 유전막은 상기 제1도전막 상에 형성된다. 상기 제1도전막의 표면 부위는 상기 제1도전막 상의 자연 산화막을 제거한 후에 질화처리된다. 상기 복합 유전막은 원자층 증착을 통해 형성될 수 있으며, 지르코늄 산화물을 포함하는 제1유전막과, 상기 제1유전막의 결정화를 억제하기 위한 제2유전막을 포함할 수 있다. 상기 제2유전막은 하프늄 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 복합 유전막을 통한 전류 누설 및 불순물 침투를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060104717A

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020050027080

申请日：2005-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최대식 ,  윤경렬 ,  최한메 ,  이승환 ,  박기연 ,  김영선

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/513 ,  H01L21/28273

Abstract: 불휘발성 메모리 장치의 게이트 구조물 및 이를 제조하는 방법에서, 터널 절연막과 전하 트랩핑막이 반도체 기판 상에 순차적으로 형성된 후, 상기 전하 트랩핑막 상에 블록킹막으로서 복합 유전막이 형성된다. 상기 복합 유전막은 알루미늄 산화물을 포함하는 제1 물질막들과 하프늄 산화물 또는 지르코늄 산화물을 포함하는 제2 물질막들이 교대로 적층된 라미네이트 구조를 갖는다. 상기 복합 유전막 상에 게이트 전극으로 사용될 도전막을 형성한 후, 상기 도전막, 복합 유전막, 전하 트랩핑막 및 터널 절연막을 순차적으로 패터닝하여 게이트 구조물을 완성한다.

公开(公告)号：KR1020060097807A

公开(公告)日：2006-09-18

申请号：KR1020050018525

申请日：2005-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최한메 ,  윤경렬 ,  이승환 ,  박기연 ,  최대식

IPC: H01L21/314 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521

Abstract: 복합 유전막을 갖는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에는 제1도전막이 형성되며, 상기 복합 유전막은 상기 제1도전막 상에 형성된다. 상기 복합 유전막은 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물 등과 같은 고유전율 물질들을 포함할 수 있으며, 산소 또는 질소를 포함하는 가스 분위기에 표면 처리된다. 상기 표면 처리된 복합 유전막 상에 제2도전막이 형성된다. 따라서, 상기 표면 처리된 복합 유전막을 통한 누설 전류 및 불순물 침투가 억제될 수 있으며, 상기 복합 유전막을 형성하는 동안 상기 복합 유전막 내에 잔류하는 탄소 성분이 제거된다.

公开(公告)号：KR1020060070007A

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020040108624

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  박영근 ,  최재형 ,  여재현 ,  최한메 ,  남갑진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881 ,  H01L27/11531

Abstract: 향상된 유전율을 가지면서도 얇은 두께를 갖는 유전층을 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 터널 산화막 패턴 및 플로팅 게이트를 순차적으로 형성한 후, 펄스 레이저 증착 공정을 이용하여 플로팅 게이트 상에 III족 전이 금속으로 도핑된 금속 산화물로 이루어진 유전층 패턴을 형성한다. 유전층 상에는 컨트롤 게이트가 형성된다. 스칸듐, 이트륨 또는 란탄과 같은 III족 전이 금속이 도핑된 금속 산화물을 사용하여 크게 향상된 유전율을 가지면서도 현저하게 감소된 두께를 갖는 유전층 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 펄스 레이저 증착 공정으로 표면 균일도 및 치밀성이 향상된 유전층 패턴을 형성하기 때문에, 유전층 패턴으로부터 발생되는 누설 전류를 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060057037A

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：KR1020040096065

申请日：2004-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최대식 ,  윤경렬 ,  최한메 ,  박기연 ,  이승환 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영

IPC: H01L27/108 ,  C23C16/12 ,  H01L27/115 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

公开(公告)号：KR1020050117286A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020040042551

申请日：2004-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  최한메 ,  남갑진

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

Abstract: In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

公开(公告)号：KR100532409B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020010049036

申请日：2001-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  이승환 ,  최한메 ,  이윤정 ,  남갑진 ,  박기연 ,  김영선 ,  김성태

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 본 발명의 반도체 소자의 커패시터 형성 방법에 의하면, 먼저 반도체 기판 위에 하부 전극을 형성한다. 다음에 하부 전극 위에 높은 유전율을 갖는 물질막으로 이루어진 유전체막을 형성한다. 이어서 유전체막 위에 금속 질화물막으로 이루어진 상부 전극을 형성한다. 그리고 하부 전극, 유전체막 및 상부 전극이 순차적으로 형성된 구조체에 대하여 200-500℃의 온도와 산소 분위기에의 제1 열처리 공정, 및 300-700℃의 온도와 진공 상태의 제2 열처리 공정을 순차적으로 수행한다.

公开(公告)号：KR100508755B1

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020030032023

申请日：2003-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박인성 ,  김재웅 ,  박영욱 ,  최한메 ,  김경석 ,  이병근 ,  임은택

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체 박막의 두께를 균일하게 형성하기 위한 방법 및 이를 위한 장치가 개시되어 있다. 공정챔버 내의 제 1 방향으로 박막형성에 필요한 가스를 도입하여 제 1 박막을 형성한다. 상기 제 1 박막상에 상기 제 1 방향과 반대로 상기 가스를 도입하여 상기 제1 박막의 두께의 불균일성을 보상할 수 있는 제 2 박막을 형성한다. 이와 같은 공정을 반복적으로 수행하여 균일한 두께를 가진 박막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100496890B1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020030054092

申请日：2003-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최한메 ,  권종완 ,  임재순 ,  김기철 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

Abstract: 액체 케미컬 공급 시스템 및 이 장치를 이용한 액체 케미컬 유출 절감 방법을 제공한다. 이 시스템은 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급원과, 액체 케미컬을 담고 있고, 가압 가스 공급원과 가압 라인으로 연결된 저장 캐니스터와, 캐니스터와 운반 라인으로 연결되고, 캐니스터로부터 운반된 액체 케미컬을 기화시키는 기화기와, 운반 라인에 설치되어 액체 케미컬의 흐름을 제어하는 액체 유량 제어기와, 기화기와 공급라인으로 연결되고 기화된 케미컬(vaporized chemical)을 공급받아 증착 공정이 수행되는 반응챔버와, 반응챔버로의 케미컬 공급이 중단될 때, 케미컬의 흐름을 우회시켜 저장하는 액체 케미컬 재활용 장치(liquid chemical recycling element)을 구비하고 있다. 소정의 유량으로 제어된 액체 케미컬은 상기 반응 챔버로의 케미컬 공급 차단시, 상기 반응 챔버로 향하는 케미컬의 흐름을 우회시켜 액체 케미컬을 저장된다.