公开(公告)号：KR1020060074194A

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020040112845

申请日：2004-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  구경범 ,  이은택 ,  최윤호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/56 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/32051

Abstract: 샤워 헤드 온도 조절 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치는 샤워 헤드를 가열하기 위해 상기 샤워 헤드의 상부에 구비되는 히터, 상기 샤워 헤드의 열을 발산시키기 위해 상기 샤워 헤드의 상부에 구비되는 방열판을 구비한다. 상기 방열판의 내부에는 상기 샤워 헤드를 냉각시키기 위한 냉각 가스를 순환하기 위한 냉각 라인이 구비된다. 따라서 상기 히터, 방열판 및 냉각 라인을 이용하여 상기 샤워 헤드의 온도를 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR100452273B1

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020020064554

申请日：2002-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  이현덕 ,  홍진기 ,  박지순 ,  이응준

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/0245 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for cleaning a processing chamber and manufacturing a semiconductor device by removing impurities from a substrate in the processing chamber with a plasma of a first gas including hydrogen gas. After the substrate is removed from the processing chamber, the processing chamber is etched with the plasma of a non-hydrogenous second gas. Thus, the etching selectivity can be improved and the particles are prevented from depositing and/or forming on the substrate.

Abstract translation: 本发明提供一种清洗处理室的半导体装置的制造方法，以及含有氢气的第一气体的等离子体从处理室内的基板去除杂质的方法。 在将衬底从处理室移除之后，用非氢的第二气体的等离子体蚀刻处理室。 因此，可以提高蚀刻选择性并且防止颗粒在基板上沉积和/或形成。

公开(公告)号：KR1020040016696A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：KR1020020048979

申请日：2002-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승재 ,  홍진기

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273

Abstract: PURPOSE: A method for forming an electrode of a semiconductor device is provided to prevent chlorine ions from being diffused to an underlying polysilicon layer and avoid abnormal growth of polysilicon by making a crystalline polysilicon layer capped with an amorphous silicon layer. CONSTITUTION: Tungsten silicide is formed after an amorphous silicon thin film is formed on the polysilicon layer so that the chlorine ions used in a process for forming the tungsten silicide are prevented from being diffused to the polysilicon layer. The amorphous silicon layer is 50 angstrom or more in thickness. The polysilicon layer is formed of either polysilicon or polysilicon crystallized from amorphous silicon.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的电极的方法，以防止氯离子扩散到下面的多晶硅层，并通过使非晶硅层覆盖晶体多晶硅层来避免多晶硅的异常生长。 构成：在多晶硅层上形成非晶硅薄膜后形成硅化钨，防止在形成硅化钨的工艺中使用的氯离子扩散到多晶硅层。 非晶硅层的厚度为50埃以上。 多晶硅层由从非晶硅结晶的多晶硅或多晶硅形成。

公开(公告)号：KR100354441B1

公开(公告)日：2002-09-28

申请号：KR1020000082829

申请日：2000-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구주선 ,  홍은기 ,  김홍근 ,  홍진기

IPC: H01L21/316

公开(公告)号：KR100278681B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980032936

申请日：1998-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도형 ,  홍진기

IPC: H01L21/76

Abstract: 본 발명은 트렌치 격리의 상부 영역의 에지 부위에서 발생되는 질화막 라이너의 덴트 현상을 방지하는 트렌치 격리의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 차례로 형성된 패드 산화막과 질화막이 부분적으로 식각되어 트렌치 형성영역을 정의하는 마스크 패턴이 형성되고, 상기 마스크 패턴이 사용되어 상기 반도체 기판의 일부가 식각되어 트렌치가 형성된다. 상기 트렌치의 바닥면과 양측벽에 열산화막이 형성되고, 상기 열산화막상에 질화막 라이너가 형성되는데, 상기 질화막 라이너는 상기 마스크 패턴의 질화막보다 식각율이 작은 질화막으로 형성된다. 상기 질화막 라이너 상에 상기 트렌치를 완전히 채우도록 트렌치 격리막이 형성되고, 상기 트렌치 양측의 마스크 패턴의 상부 표면이 노출될 때까지 상기 트렌치 격리막이 평탄화 식각된다. 이어, 상기 마스크 패턴이 제거된다. 이와 같은 트렌치 격리의 제조 방법에 의해서, 트렌치 격리의 상부 영역의 에지 부위에서 질화막 라이너가 과식각 되어 발생되는 질화막 라이너 덴트의 발생을 방지할 수 있어, 상기 덴트에 의한 누설 전류를 방지할 수 있고, 이 누설 전류의 방지로 인해 DRAM 장치의 리프레쉬 특성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 질화막 라이너 덴트내에 도전 물질 스트링거가 잔존하여 발생되는 소자간 전기적 쇼트를 방지할 수 있으며, 활성 영역의 선폭 산포를 줄일 수 있어 반도체 장치의 전기적 특성을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019930003279A

公开(公告)日：1993-02-24

申请号：KR1019910011542

申请日：1991-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주범 ,  홍진기

IPC: H01L21/31

Abstract: 내용 없음.