公开(公告)号：KR101366804B1

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：KR1020070002168

申请日：2007-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백찬욱 ,  진용완 ,  김선일 ,  배민종

IPC: H01J43/06 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J43/04

Abstract: 본 발명은 이차전자 방출전극을 이용한 전자 증폭 전극 및 이를 이용한 테라헤르츠 발진기에 관한 것이다. 본 발명의 한 유형에 따른 전자 증폭 전극은, 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 배치된 것으로, 전자빔을 방출시키는 이미터; 상기 캐소드 전극 위에서 상기 이미터를 둘러싸도록 배치된 것으로, 전자빔의 스위칭을 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극 위에 배치된 것으로, 전자빔과의 충돌에 의해 이차전자를 방출시키는 이차전자 방출층을 구비하는 이차전자 방출전극;을 포함하는 것을 특징으로 하다.

公开(公告)号：KR101312259B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020070013747

申请日：2007-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박영수 ,  박재철

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극 및 채널층; 및 상기 채널층의 양단과 각각 접촉된 소오스 전극 및 드레인 전극;을 포함하되, 상기 채널층은 상부층의 캐리어 농도가 하부층의 캐리어 농도보다 낮은 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 채널층은 ZnO 계열의 물질층, 예컨대, Ga-In-Zn-O 물질층일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130091201A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：KR1020120012535

申请日：2012-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병룡 ,  이은경 ,  차승남 ,  이승완 ,  김선일

IPC: G02B3/14 ,  G02F1/13 ,  G02B7/04

CPC classification number: G02F1/133526 ,  G02F1/29 ,  G02F2001/294

Abstract: PURPOSE: A varifocal lens is provided to precisely implement variable focus by minutely controlling refractivity distribution within a liquid crystal layer. CONSTITUTION: A varifocal lens (1) comprises a first liquid crystal layer (121), a second liquid crystal layer (122), a common electrode (110), a curved type first electrode (140), a curved type second electrode (170), and a first upper substrate (181). The second liquid crystal layer is formed on the lower side of the first liquid crystal layer. The common electrode is placed between the first liquid crystal layer and the second liquid crystal layer. The curved type first electrode is formed on the upper side of the first liquid crystal layer. The curved type first electrode is formed on the lower side of the second liquid crystal layer. The first upper substrate comprises an upper surface of a flat type and a lower surface having a curve of a shape corresponding to the upper surface of a first electrode. The first electrode is formed on the lower side of the first upper substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种变焦透镜，通过微调液晶层内的折射率分布来精确地实现可变焦点。 构造：变焦透镜（1）包括第一液晶层（121），第二液晶层（122），公共电极（110），弯曲型第一电极（140），弯曲型第二电极（170） ）和第一上基板（181）。 第二液晶层形成在第一液晶层的下侧。 公共电极设置在第一液晶层和第二液晶层之间。 弯曲型第一电极形成在第一液晶层的上侧。 弯曲型第一电极形成在第二液晶层的下侧。 第一上基板包括平坦型的上表面和具有与第一电极的上表面对应的形状的曲线的下表面。 第一电极形成在第一上基板的下侧。

公开(公告)号：KR1020120100627A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110019646

申请日：2011-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  김창정 ,  박재철 ,  김선일

IPC: H01L31/08 ,  G01T1/24 ,  H01L27/146 ,  G01N23/04

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L31/085 ,  G01N23/04 ,  G01T1/24 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An x-ray detector with a large area is provided to perform wire bonding using a gap between chips without passing through the chip. CONSTITUTION: A redistribution layer electrically connects a pixel electrode(160) and a pixel pad(132). A plurality of first electrode pads(124) is formed on a rear side of a chip(120). The wire electrically connects a first electrode pad and a pin pad(134). A photo conductor(170) is formed on a plurality of pixel electrodes. A common electrode(180) is formed on the photo conductor.

Abstract translation: 目的：提供具有大面积的X射线检测器，以在芯片之间使用间隙进行引线接合，而不通过芯片。 构成：再分配层电连接像素电极（160）和像素焊盘（132）。 多个第一电极焊盘（124）形成在芯片（120）的后侧。 电线电连接第一电极焊盘和引脚焊盘（134）。 在多个像素电极上形成光导体（170）。 公共电极（180）形成在光导体上。

公开(公告)号：KR1020110132137A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：KR1020100051978

申请日：2010-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  김종민 ,  이장원

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7728 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/7783 ,  H01L51/502 ,  Y02B20/34

Abstract: PURPOSE: An energy conversion device and an apparatus applying the same are provided to transmit energy absorbed by metal nano particles to an inorganic light emitting particle, thereby converting ultraviolet light to colored light. CONSTITUTION: A substrate(11) is comprised of a base material. A metal nano particle(20) generates a surface Plasmon field inherent in the substrate. The metal nano particle comprises a material selected among a group including Au and Ag. An inorganic light emitting particle(30) is placed within the surface Plasmon field of the metal nano particle. The inorganic light emitting particle is selected among a group including Eu, Er, and Th.

Abstract translation: 目的：提供一种能量转换装置及其装置，用于将由金属纳米颗粒吸收的能量传递给无机发光颗粒，从而将紫外光转换成有色光。 构成：基材（11）由基材构成。 金属纳米颗粒（20）产生衬底固有的表面等离子体场。 金属纳米粒子包括选自包括Au和Ag的组中的材料。 将无机发光颗粒（30）放置在金属纳米颗粒的表面等离子体场内。 无机发光粒子选自包括Eu，Er和Th的组。

公开(公告)号：KR1020110110583A

公开(公告)日：2011-10-07

申请号：KR1020100029982

申请日：2010-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  박재철 ,  김선일 ,  김창정

IPC: H01L31/115

CPC classification number: G01T1/242 ,  H01L31/085

Abstract: 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기가 개시된다. 개시된 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기는, 엑스선이 입사되는 제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을 통과한 엑스선이 입사되는 제2 포토컨덕터층을 포함한다. 제1 포토컨덕터층과 제2 포토컨덕트층은 탠덤구조로 이루어져 있다. 제1 포토컨덕터층은 저 에너지 대역의 엑스선을 흡수하는 실리콘으로 이루어지며, 제2 포토컨덕터층은 실리콘 보다 높은 에너지 대역의 엑스선을 흡수하는 물질로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020110051859A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020090108660

申请日：2009-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김호정 ,  정우인 ,  신재광 ,  김선일 ,  송이헌 ,  김창정 ,  전상훈

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

Abstract: PURPOSE: An image sensor and a method of operating the same are provided to reduce the generation of a noise and improving the resolution of the image sensor. CONSTITUTION: An image sensor comprises a pixel array including a plurality of pixel(100), a light detector(PS) for creating a detection current which is determined by the energy of light incident, a reset part(102) for creating a reference current by activated based on a reset signal which resets one or more pixels, and a conversion part(103) for creating a sensing voltage and a reference voltage by converting the sensed current into voltage.

Abstract translation: 目的：提供图像传感器及其操作方法以减少噪声的产生并提高图像传感器的分辨率。 构成：图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素（100），用于产生由入射光的能量确定的检测电流的光检测器（PS）;用于产生参考电流的复位部分（102） 通过基于重置一个或多个像素的复位信号而被激活;以及转换部分（103），用于通过将感测的电流转换为电压来产生感测电压和参考电压。

公开(公告)号：KR1020110044122A

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：KR1020100012032

申请日：2010-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차승남 ,  김선일 ,  장재은 ,  문용권

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02B27/22

CPC classification number: G02B3/0087 ,  G02B3/0075 ,  G02F1/29 ,  G02F2001/294

Abstract: PURPOSE: An active lens and 3d image display adopting the same capable are provided to adjust an optical characteristic such as refractive power. CONSTITUTION: An active lens(100) includes as follows: a first substrate(110) having a first nano electrode unit(140); a second substrate(190) which is formed on a second nano electrode unit(160) facing the first nano electrode unit; a liquid crystal layer(150) is prepared between the first substrate and second substrate.

Abstract translation: 目的：提供采用相同能力的有源透镜和3d图像显示器来调节诸如屈光力之类的光学特性。 构成：有源透镜（100）包括如下：具有第一纳米电极单元（140）的第一基板（110） 形成在面向第一纳米电极单元的第二纳米电极单元（160）上的第二基板（190） 在第一基板和第二基板之间制备液晶层（150）。

公开(公告)号：KR1020100115220A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020090033845

申请日：2009-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  송이헌 ,  김창정 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78645

Abstract: PURPOSE: An inverter, a method of manufacturing the same and a logic circuit comprising an inverter are provided to implement a logic circuit including an inverter by using an oxide semiconductor. CONSTITUTION: An inverter, a method of manufacturing the same and a logic circuit comprising inverter comprises. First and second transistors which are connected with each other. The channel of the first transistor includes a lower and upper layer. The channel of the second transistor is same as one of the upper and lower layer.

Abstract translation: 目的：提供一种逆变器及其制造方法以及包括逆变器的逻辑电路，以通过使用氧化物半导体来实现包括逆变器的逻辑电路。 构成：逆变器及其制造方法以及包括逆变器的逻辑电路。 第一和第二晶体管彼此连接。 第一晶体管的沟道包括下层和上层。 第二晶体管的沟道与上层和下层中的一个相同。

公开(公告)号：KR1020100041530A

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：KR1020080100762

申请日：2008-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  전남대학교산학협력단

Inventor： 김창정 ,  정현담 ,  김상욱 ,  김선일 ,  이덕희

IPC: C08J5/22 ,  C08K5/544 ,  H01L29/786

CPC classification number: C08J5/22 ,  C08K5/544 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 실록산막및 이를포함하는산화물박막트랜지스터를개시한다. 개시된유기막은 Aminophenyltrimethoxysilane(APheTMS) 및 Aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)로형성된것으로산화물박막트랜지스터를포함하는전자소자에사용될수 있다.

Abstract translation: 目的：提供硅氧烷层以确保低的加工温度和对丙酮等有机溶剂的耐受性，并提高漏电流特性。 构成：通过氨基苯基三甲氧基硅烷和氨基丙基三甲氧基硅烷的缩聚形成硅氧烷层。 氨基苯基三甲氧基硅烷和氨基丙基三甲氧基硅烷的含量比为0.1:99.9mol％-99.9:0.1mol％。 氧化物薄膜晶体管包括形成在基板（10）上的栅极（11），栅极绝缘层（12），形成在栅极绝缘层上的沟道（13），源极（14a）和漏极（14b） 形成在通道的两端和形成在通道，源极和漏极上的硅氧烷层（15）。