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公开(公告)号：KR101772487B1
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020150030450
申请日：2015-03-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/10 , C01B25/02 , H01L29/417
Abstract: 흑린을기반으로하는트랜지스터는, 기판; 상기기판상에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극; 상기기판상에상기소스전극과상기드레인전극을연결하며, 흑린(Black Phosphorus)을포함하는채널층; 및상기흑린을포함하는채널층상에산화알루미늄(Al2O3)을포함하는패시베이션층을포함하는포함한다. 이에따라, 흑린의반응속도를제어하여전기적특성이우수하고저주파잡음이감소한고성능의트랜지스터를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101738343B1
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150030876
申请日：2015-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/02
Abstract: 본발명은직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브및 산처리된탄소나노튜브및 금속산화물전구체의용액을반응시켜침전물을얻는단계; 및상기침전물을산성용액에용해시켜금속산화물을제거하여직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브를얻는단계를포함하는나노링 형태의탄소나노튜브의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明包括由碳纳米管和酸处理过的碳纳米管和从20在直径至30nm的金属氧化物前体的纳米环形式的溶液反应获得沉淀物的工序; 并且将沉淀物溶解在酸性溶液中以除去金属氧化物以获得具有20至30nm直径的纳米管形状的碳纳米管。
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公开(公告)号：KR1020160095838A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020150017286
申请日：2015-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B1/02 , C01G19/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , H01L29/43 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50 , H01B1/08 , C01G45/02 , H01B5/14
Abstract: 본발명은상온증착시에도낮은표면거칠기, 낮은면저항및 높은투과율특성을갖는최적조성의망간주석산화물계투명전도성산화물(TCO) 및이를이용한다층투명도전막그리고그 제조방법에관한것으로서, 본발명에따른망간주석산화물계투명전도성산화물은 MnSnO(0
Abstract translation: 本发明涉及一种锰氧化锡透明导电氧化物（TCO），使用其的多层透明导电膜及其制造方法。 即使在室温下沉积，氧化锡锰TCO也具有较低的表面粗糙度，低的表面电阻和较高的渗透率。 根据本发明的锰氧化锡TCO具有Mn x Sn 1-x O（0
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公开(公告)号：KR1020150145639A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020140076000
申请日：2014-06-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0453 , C01B32/186 , C01B32/182 , C01B32/194 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은 10 nm 이하의그라핀나노분말을시드로이용하여시드크기이상인그라핀 (graphene) 시트로성장시키는방법에관한것이다. 또한본 발명에서는그라핀시트가 2 내지 20층적층된흑연시트 (graphite sheet)를제조할수 있다. 기판상에그라핀나노분말 (무질서하게분포)을준비한후, 화학증착장치에서탄화수소가스가포함된가스를이용하여 CVD 처리함에의해탄소시트 (즉, 그라핀및 흑연시트)를제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用石墨烯纳米粉末作为种子，将小于或等于10nm的石墨烯纳米粉末生长成尺寸大于或等于种子的石墨烯片的方法。 此外，本发明中的石墨烯片可以制造层叠有2〜20层的石墨烯片的石墨片。 通过在化学气相沉积装置中使用含有烃气体的气体，并且在将石墨烯纳米粉末（无序分散）制备在基底上之后，通过CVD处理可以制造碳片（石墨烯和石墨片）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150115318A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140040130
申请日：2014-04-03
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은반도체물질을핵으로하는핵-껍질구조의양자점과이를이용한광촉매및 광전기화학소자에관한것으로, 더욱상세하게는금속산화물반도체물질을핵으로하고껍질로서탄소나노구조체를도입하여핵-껍질구조의양자점을제조함으로써, 이를광촉매나광전기화학소자등으로이용할경우반도체물질의태양광에의한부식을방지하고, 핵-껍질사이에전하의이동으로전기화학적성능을향상시킴은물론반도체물질로인한환경오염과유해성문제도해결할수 있는새로운구조를갖는핵-껍질구조의양자점과이를이용한광촉매및 광전기화학소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有以半导体材料为核心的核 - 壳结构的量子点，以及使用该量子点的光催化剂和光电化学装置。 更具体地说，通过使用金属氧化物半导体材料作为芯并引入碳纳米结构作为壳，制造具有新的核 - 壳结构的量子点。 因此，本发明能够：在使用具有核 - 壳结构的量子点的情况下，防止半导体材料由于太阳光而被腐蚀; 通过芯和壳之间的电荷的移动来增强电化学性能; 解决半导体材料造成的环境污染和危害的问题。
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公开(公告)号：KR1020150107249A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020140029849
申请日：2014-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5056
Abstract: 본 발명은 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명전극 위에 고분자인 에톡시화된 폴리에틸렌이민(PEIE; Polyethylenimine ethoxylated)을 표면 개질층으로 이용하여 그 개질층에 함유된 아민기의 표면 쌍극자(surface dipole)와 양자점의 상호작용으로 인해 양자점 단일층을 형성하도록 구성함으로써, 투명전극을 음극으로 극치환시킨 인버티드(inverted) 구조로 전환하여 우수한 색 구현과 수명 연장이 가능하도록 개선한 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有使用聚合物表面改性层的量子点信号层的发光二极管，更具体地，涉及一种使用聚合物表面改性层的量子点单层的发光二极管，其被组织形成 通过在作为表面改性层的透明电极上使用作为聚合物的聚乙烯亚胺乙氧基化（PEIE）在重整层中包含的胺基团的表面偶极之间的相互作用进行量子点单层。 发光二极管的结构通过极性地替代透明电极的负极而被转换为倒置的结构，从而实现了优异的颜色实现和寿命延长。
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公开(公告)号：KR101432541B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020120076759
申请日：2012-07-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: D01F9/225 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/20 , C01P2004/17 , C08K3/04 , C08K3/043 , C08K5/20 , C08K7/06 , D01F9/145 , D01F9/16 , D01F9/22 , D10B2101/12 , Y10S977/734 , Y10S977/842
Abstract: 본 발명은 그라핀 탄소섬유 조성물 및 이를 이용한 고성능 탄소섬유의 제조방법에 관한 것으로, 나노크기 그라핀을 포함하여 그라핀 탄소섬유 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 고성능 탄소섬유(흑연섬유)의 흑연화 온도를 낮출 수 있는 탄소섬유의 제조방법을 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR101424603B1
公开(公告)日：2014-08-04
申请号：KR1020130108576
申请日：2013-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , C01B32/184 , C01B32/23 , H01L21/02527 , H01L21/02628 , H01L27/1292 , H01L29/0692 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78684
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a thin film transistor. The present invention provides a single-process method of manufacturing a thin film transistor which includes a step of preparing ink containing a solution in which graphene oxide, reduced graphene oxide, or the combination of the two is diffused; a step of forming the ink in a pattern on a substrate; a step of forming a source electrode and a drain electrode placed at the edge of the pattern by the coffee ring effect; and a step of forming a semiconductor channel between the source electrode and drain electrode.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。 本发明提供一种制造薄膜晶体管的单工艺方法，其包括制备含有氧化石墨烯，氧化还原型石墨烯或二者的组合扩散的溶液的油墨的步骤; 在基板上形成图案的墨水的步骤; 通过咖啡环效应形成位于图案边缘处的源电极和漏电极的步骤; 以及在源极和漏极之间形成半导体沟道的步骤。
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公开(公告)号：KR101401354B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120027776
申请日：2012-03-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B01J21/06 , C23C16/22 , H01L31/042 , B82B3/00
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 다층 나노 구조의 고투광율 광촉매 박막과 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 IV, V족 원소가 도핑된 나노 구조의 이산화티타늄을 중간층으로 하고 반사방지 특성을 가질 수 있도록 굴절율이 낮는 산화물이 상기 중간층의 상, 하부에 각각 적층되어 있는 다층 나노구조의 광촉매 박막과 이들 각 층을 기판상에 특정 조건으로 증착하여 제조함으로써, 투과도가 증가되고 친수성 및 유기물 분해 특성이 우수하여 태양전지, 디스플레이 등에 유용한 고투광율 광촉매 박막과 그 제조방법에 관한 것이다
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