반경화 폴리머/형광체 복합체 필름,이의 제조방법 및이의 용도
    81.
    发明授权
    반경화 폴리머/형광체 복합체 필름,이의 제조방법 및이의 용도 失效
    B阶聚合物/发光粉复合膜及其制造方法以及LED封装的应用

    公开(公告)号:KR100644881B1

    公开(公告)日:2006-11-14

    申请号:KR1020050031583

    申请日:2005-04-15

    Inventor: 백경욱

    Abstract: 본 발명은 반경화 폴리머/형광체 복합체 필름, 이의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것으로서 보다 상세하게는 형광체를 포함하는 필름에 있어서, 형광체, 폴리머 레진, 잠재성 경화제를 포함하며, LED에 사용되는 수백 마이크로 이하의 반경화 폴리머/형광체 복합체 필름, 이의 제조방법 및 반경화 폴리머/형광체 복합체 필름을 이용한 LED 패키지의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명의 폴리머/형광체 복합체 필름의 제조방법은 형광체를 포함하는 필름의 제조에 있어서,
    형광체와 분산제를 용매에 투입하여 형광체를 용매에 분산시키는 단계,
    형광체가 함유된 용매에 폴리머 레진과 잠재성 경화제를 투입하여 혼합 및 분산시켜 폴리머/형광체 복합체 슬러리를 얻는 단계,
    폴리머/형광체 복합체 슬러리를 이형 필름상에 도포하고 건조시켜 반경화된 폴리머/형광체 복합체 필름을 얻는 단계를 포함한다.

    솔더범프의 취성파괴를 방지하는 플립칩 접속방법
    82.
    发明公开
    솔더범프의 취성파괴를 방지하는 플립칩 접속방법 无效
    用于切屑焊接接头的方法可防止焊膏的脆性断裂

    公开(公告)号:KR1020060008025A

    公开(公告)日:2006-01-26

    申请号:KR1020040057678

    申请日:2004-07-23

    CPC classification number: H01L21/563 H01L23/488 H01L24/11

    Abstract: 본 발명은 플립칩 접속방법에 있어서, 리플로우 공정 중 냉각단계에서 솔더범프의 취성파괴를 방지할 수 있는 임계온도 이상으로 에이징하는 단계를 포함하는 플립칩 접속방법을 제공한다. 상기 접속방법에 의하면 플립칩 접속시 기판과 칩사이의 열팽창계수의 차이에 의해 발생하는 기판의 휘어짐에 의한 솔더범프의 취성파괴를 크게 줄일 수 있다.
    플립칩, 에이징, 무연솔더

    LE방법을 이용한 칩사이즈 패키지의 제조방법
    85.
    发明授权
    LE방법을 이용한 칩사이즈 패키지의 제조방법 失效
    使用该方法制造芯片尺寸包装的方法

    公开(公告)号:KR100253116B1

    公开(公告)日:2000-04-15

    申请号:KR1019970031375

    申请日:1997-07-07

    Inventor: 백경욱 장세영

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a chip size package by using a lamination and encapsulation technique is provided to improve reliability and to reduce manufacturing cost. CONSTITUTION: In the method, a wafer is sawed into strips each having four through six chips(1). The strips are disposed on a polymer film attached to a frame so that a front side of the chip(1) may face toward the polymer film. After the strips are laminated with the polymer film, a dam of high-viscous polymer is formed around the strips. The strips are then encapsulated with low-viscous polymer applied within the dam. Next, via holes are formed in the polymer film to expose chip pads on the front side of the chip(1), and then a thin metal layer is formed on the polymer film and in the via hole. The thin metal layer is then patterned to form I/O pads rerouted from the chip pads and arrayed in grid. Thereafter, solder balls(9) are formed on the respective I/O pads, and then a resultant structure is cut into individual packages.

    Abstract translation: 目的:提供通过使用层压和封装技术制造芯片尺寸封装的方法,以提高可靠性并降低制造成本。 构成:在该方法中,将晶片锯成条带,每条具有四个至六个芯片(1)。 条带设置在附接到框架上的聚合物膜上,使得芯片(1)的前侧可面向聚合物膜。 在将条与聚合物膜层压之后,在条带周围形成高粘度聚合物的坝。 然后用低粘度聚合物将条带封装在坝内。 接下来,在聚合物膜中形成通孔,以露出芯片(1)前侧的芯片焊盘,然后在聚合物膜和通孔中形成薄金属层。 然后将薄金属层图案化以形成从芯片焊盘重新路由并排列成格栅的I / O焊盘。 此后,在相应的I / O焊盘上形成焊球(9),然后将所得到的结构切成单独的封装。

    배향된 탄소 구조체를 갖는 복합 필름 및 그 제조 방법
    87.
    发明授权
    배향된 탄소 구조체를 갖는 복합 필름 및 그 제조 방법 有权
    复合膜包括对准的碳结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR101588104B1

    公开(公告)日:2016-01-25

    申请号:KR1020140012583

    申请日:2014-02-04

    Inventor: 백경욱 정승윤

    Abstract: 배향된탄소구조체를갖는복합필름의제조방법이제공된다. 상기방법은, 베이스막(base layer)을준비하는단계, 및상기베이스막 상에, 탄소구조체(carbon structure)가분산된복합필름(composite film)을형성하되, 상기복합필름은 B 스테이지(stage) 상태인것을포함한다.

    카메라 모듈의 기판 접합 장치
    89.
    发明授权
    카메라 모듈의 기판 접합 장치 有权
    用于将PCB连接到模块的装置

    公开(公告)号:KR101417252B1

    公开(公告)日:2014-07-08

    申请号:KR1020120019108

    申请日:2012-02-24

    Abstract: 본 발명은 열압착 방식과 초음파접합 방식을 결합하여 연성기판을 카메라모듈에 효과적으로 접합하기 위한 카메라모듈의 연성기판 접합 장치에 관한 것으로, 카메라모듈과 연성기판 사이에 배치된 전도성필름(ACF 필름)으로 열과 압력을 인가하여 전도성필름을 통해 카메라모듈과 연성기판을 접합시키는 열압착부; 상기 카메라모듈의 측면에 위치되며, 상기 열압착부의 작동 중 초음파 진동에너지를 카메라모듈의 측면에 직접 전달하여 전도성필름에 내재된 접속입자의 산화막을 제거하는 초음파접합부; 및 상기 열압착부와 초음파접합부를 개별 제어하며, 상기 열압착부를 통해 전도성필름의 열압착시, 상기 접속입자의 산화막을 제거하기 위하여 상기 초음파접합부를 작동시키는 메인 컨트롤러;를 제공한다.

    반도체 칩의 3D 적층 패키지 및 그 제조방법
    90.
    发明授权
    반도체 칩의 3D 적층 패키지 및 그 제조방법 有权
    三维堆叠半导体芯片封装及其制造方法

    公开(公告)号:KR101343343B1

    公开(公告)日:2013-12-19

    申请号:KR1020120000123

    申请日:2012-01-02

    Inventor: 백경욱 김일

    Abstract: 본발명은반도체칩의 3D 적층패키지및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는캐리어웨이퍼상단에에치스탑층(etch-stop layer)을형성하는제1 단계,상기에치스탑층상단에복수개의반도체칩들을일정간격으로본딩하는제2 단계, 상기반도체칩과반도체칩 사이에절연물을충진시킨후, 본딩된반도체칩들을박막화하는제3 단계, 상기반도체칩 상에다른반도체칩을적층하는제 4 단계, 상기에서일정간격으로적층된반도체칩들을개별적인반도체칩 패키지로분리하기위해상기절연물과상기에치스탑층를다이싱하는제5 단계; 및상기에서다이싱된캐리어웨이퍼의후면을그라인딩및 화학적기계적연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)공정중 어느하나이상으로에치스탑층까지연마하여반도체칩 3D 패키지를형성하는제6 단계를포함한다.

Patent Agency Ranking