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公开(公告)号：KR100801139B1
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020060087463
申请日：2006-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: 본 발명은 전류를 기반으로 구동될 수 있으며, 박막 트랜지스터에 의한 누설 전류를 방지할 수 있는 액티브-매트릭스 전계 방출 디스플레이를 제공하고자 한다.
본 발명의 전계 방출 디스플레이는, 형광체의 음극 발광이 발생하는 발광 소자부와, 상기 각 발광 소자부를 구동하기 위한 박막 트랜지스터부를 포함하는 다수개의 단위 픽셀; 상기 각 단위 픽셀에 스캔 신호를 인가하기 위한 전류 소스; 및 상기 각 단위 픽셀에 데이터 신호를 인가하기 위한 전압 소스를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 전류 소스의 온-전류(on-current)는 주어진 쓰기 시간(writing time)내에 스캔 행의 부하 저항(resistance) 및 용량(capacitance)을 감당할 수 있을 만큼 충분히 크며, 상기 전류 소스의 오프-전류(off-current)는 각 픽셀에서 전자 방출이 무시될 수 있을 정도로 낮은 값을 가진다. 또한, 상기 전압 소스(voltage source)에서 인가되는 데이터 신호의 펄스 크기(amplitude) 또는 펄스 폭을 변화시켜 디스플레이의 계조를 표현한다.
FED, 전계 방출 디스플레이, 액티브-매트릭스, 전류 구동, 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100752620B1
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020050119217
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 백색 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 청색 발광층; 상기 제1 청색 발광층 상에 형성되는 적색 발광층; 상기 적색 발광층 상에 형성되는 제2 청색 발광층; 및 상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 제2 전극을 포함한다. 이에 따라, 순도가 높은 백색 발광 특성을 얻을 수 있으며, 단순한 공정에 의해 양산성이 좋다.
백색 발광, 제1 청색 발광층, 제2 청색 발광층, 적색 발광층-
公开(公告)号：KR1020070061295A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060087463
申请日：2006-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: An active-matrix field emission pixel and an active-matrix field emission display are provided to improve contrast and uniformity of a display by applying a scan signal as a current source and a data signal as a voltage source. A field emission pixel includes a cathode, an anode, a field emission gate, and a thin film transistor part. The cathode includes a field emitter(320) for emitting electrons. The anode includes a phosphor for absorbing the electrons emitted from the field emitter. The field emission gate is formed between the anode and the cathode in order to generate a field emission potential. The thin film transistor part includes a source connected to a current source according to a scan signal, a gate(311) for receiving a high enable data signal, and a drain connected to the cathode.
Abstract translation: 提供有源矩阵场发射像素和有源矩阵场发射显示器，以通过将扫描信号作为电流源和数据信号作为电压源来提高显示的对比度和均匀性。 场发射像素包括阴极，阳极，场发射门和薄膜晶体管部分。 阴极包括用于发射电子的场致发射体（320）。 阳极包括用于吸收从场致发射体发射的电子的荧光体。 在阳极和阴极之间形成场致发射栅，以产生场发射电位。 薄膜晶体管部分包括根据扫描信号连接到电流源的源极，用于接收高使能数据信号的栅极（311）和连接到阴极的漏极。
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公开(公告)号：KR100723872B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020060015634
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/148
Abstract: 구조변화를 겪지 않고 균일한 박막을 유지하며, 고속 스위칭 동작이 가능한 메모리소자 및 그 동작방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 전자의 에너지 변화에 의해 급격하게 금속-절연체 전이를 하는 금속-절연체 전이 물질층에 콘택되고, 열에 의해 용융되어 전이 물질층에 도전성 경로를 형성하는 적어도 2개의 전극들을 포함한다.
금속-절연체 전이, 구조변화, 도전성 경로. 메모리-
公开(公告)号：KR100714129B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060023931
申请日：2006-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 강유전체의 특성을 가지면서도 크기가 대폭 줄어든 저온동시소성 적층형 초고주파 가변소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 가변소자는 각각에 도전패턴이 형성된 다수의 그린시트(green sheet)가 적층되고 각각의 도전패턴은 연결 컨택을 통해 연결되며, 그린시트들 중 적어도 하나는 강유전체 그린시트로 형성된다. 본 발명의 저온동시소성(Low Temperature Co-fired Ceramic:LTCC, ) 적층형 초고주파 가변소자는 인가되는 직류 전압에 대해 상이한 축전용량 특성을 보이는 강유전체층을 적층, 저온동시소성하여 기판에 수직한 방향으로 전압 가변 축전기를 구현함으로써, 설계의 다양성을 확보함과 동시에 소자 제작 공정의 단순화와 소자의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 그에 따라, 저가격화, 소형화뿐만 아니라 주파수/위상 가변 특성을 가진 초고주파 가변소자를 용이하게 실현할 수 있다.
초고주파 가변 소자, 강유전체, 저온동시소성, 주파수/위상 가변Abstract translation: 一种具有铁电特性并且尺寸大大减小的低温共烧多层超高频可变器件及其制造方法。 调节元件是层压，且每个导电图案的经由连接触点，其特征在于，所述生片的至少一个是铁电体生片的具有每个的导电图案形成的多个生片（生片）的连接。 低温共烧（低温共烧陶瓷：LTCC）本发明的，多层高频调整元件是铁电体层上的电压相对于表现出不同的电容特性的直流电压的方向垂直于所述层压施加，低温共烧到衬底 通过实施可变电容器，可以确保各种设计，简化器件制造工艺并大大减小器件尺寸。 因此，可以容易地实现具有可变频率/相位的超高频可变元件以及成本和尺寸的减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070014935A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020060015635
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/3245 , H01L21/67103 , H01L21/68728
Abstract: A wafer having an abrupt metal-insulator transition is provided to mass-produce wafers with a large diameter by applying heat while using a heater fixed by a plurality of fixing units to a wafer having an abrupt metal-insulator transition wherein the wafer is covered with a thermally opaque layer. An abrupt metal-insulator transition can be performed in a substrate. A metal layer is coated or deposited on the substrate by using paste with good electrical conductivity and thermal conductivity. The metal layer includes elements like Li, Be, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Ti, Pb, Bi, Po, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, U, Np, Pu and O or a multilayered thin film, alloy or a compound composed of the abovementioned elements.
Abstract translation: 提供了具有突变的金属 - 绝缘体转变的晶片，以通过在将由多个固定单元固定的加热器用于具有突然的金属 - 绝缘体转变的晶片的同时施加热量大量生产晶片，其中晶片被覆盖有 不透热层。 可以在衬底中进行突然的金属 - 绝缘体转变。 通过使用具有良好导电性和导热性的糊料将金属层涂覆或沉积在基底上。 金属层包括诸如Li，Be，C，Na，Mg，Al，K，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，Rb，Sr，Y， Zr，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Cs，Ba，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt，Au， Pb，Bi，Po，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Th，U，Np，Pu和O或多层薄膜，合金或 由上述元素组成的化合物。
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公开(公告)号：KR100639990B1
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1020050039098
申请日：2005-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/452
Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 급격한 금속-절연체 전이 소자의 전극을 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 적층막으로 구성한다. Ni(또는 Cr)/In은 저저항 콘택을 위한 것으로, 열처리 과정시 계면 반응에 의해 형성되는 화합물을 이용하여 급격한 금속-절연체 전이 물질막과 전극 사이의 포텐셜 배리어(potential barrier)를 낮추어 전류 유입 효율을 증가시킨다. 그리고, 고출력 소자 동작시 고온 동작시에도 열적으로 안정되게 하는 역할을 수행한다. Mo(또는 W)는 In과 Au 사이에 도입되어 소자 고온 동작 과정에서 Au의 열 확산에 의한 오믹 특성 저항을 방지한다. 본 발명에 따르면 전극 파탄이 없고 신뢰성이 우수한 급격한 금속-절연체 전이 소자를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060101208A
公开(公告)日：2006-09-22
申请号：KR1020060001677
申请日：2006-01-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본 발명은 정격신호전압보다 낮은 잡음신호를 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 잡음 방지 회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함한다. 본 발명은 소정 전압에서 급격한 금속-절연체 전이 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 전기전자시스템에 직렬로 연결함으로써, 저전압 잡음을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로, 노이즈 필터-
公开(公告)号：KR1020060083104A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050048868
申请日：2005-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01M2/34
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/348 , H01M10/052 , H01M10/443 , H01M2200/00 , H01M2200/106
Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막-
公开(公告)号：KR1020060066342A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020040104918
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/82 , H01L27/0808
Abstract: 수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 기판과, 상기 기판상에 형성된 신호선과, 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있는 복수의 가변 축전기와, 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에 형성되어 있는 전극을 포함한다. 상기 가변 축전기는 상기 기판상에 형성된 유전체막과, 상기 기판상에서 상기 유전체막의 양 측에 각각 형성된 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 구비하고, 상기 제1 축전기 전극, 유전체막, 및 제2 축전기 전극이 차례로 상기 기판에 평행하게 배열되어 있다.
가변 축전기, 초고주파 가변 소자, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, 수평 구조
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