公开(公告)号：KR1019960009234A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019492

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박병선 ,  오용호 ,  유형준

IPC: H01L29/812

Abstract: 본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 선폭으로 T-게이트 패턴을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 방법은 미세선폭의 해상도를 향상시키기 위해 포지트브형 포토레지스트(positive type photoresist)를 사용하여 고립선(isolated line)의 형성한 후 저온 CVD방법으로 절연막을 증착하고, 이어 레지스트 패턴을 제거하는 패턴반전(pattern reversal)공정을 사용한다.
본 발명은 미세한 게이트 선폭을 패턴반전공정을 사용하여 보다 용이하게 실현할 수 있는 공정으로, 종래의 전자빔 리소그래피를 이용한 T-게이트 형성방법에 비하여는 포토리소그래피 기술을 사용하기 때문에 생산성 및 재현성이 우수하다.

公开(公告)号：KR1019960009233A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019489

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진희 ,  유형준

IPC: H01L29/812

Abstract: 본 발명은 HEMT 소자제작에 있어서 사용되는 T-게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 전자빔에 의한 이중 노광을 사용할 경우 전자빔 리소그래피의 단점인 처리량에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MIBK:IPA=1:1 현상액에서 60초 동안, PMMA 현상을 한후 섭씨 120도 열판에서 경화건조를 행하고 AZ5214E 레지스트(12)를 1.27um 도포한 후 연화건조(soft bake)를 120도에서 90초 동안 열판에서 행한 후, 250mW/㎠를 갖는 밀착기(contact printer)에서 20초 동안 수행한 후 게이트 금속막(5)을 1um 이하 원하는 두께만큼 증착하고서 리프트 오프 공정에 의해서 T-게이트를 형성하는 방법을 제공함으로써 T-게이트 헤드 부위의 단 면적이 크게되어 게이트 저항과 잡음을 최대한 줄일 수 있는 HEMT 소자제작이 가능하다.

公开(公告)号：KR100062202B1

公开(公告)日：1993-05-24

申请号：KR1019880011867

申请日：1988-09-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김호영 ,  김윤태 ,  유형준

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR100058715B1

公开(公告)日：1993-01-25

申请号：KR1019880017976

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 정기로 ,  이용일 ,  유형준

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR200066964Y1

公开(公告)日：1992-09-07

申请号：KR2019880022171

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김상호 ,  김호영 ,  김윤태 ,  이상수 ,  전치훈 ,  유형준

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR2019910005593Y1

公开(公告)日：1991-07-27

申请号：KR2019910000170

申请日：1991-01-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상호 ,  장원익 ,  전치훈 ,  유형준

IPC: H01L21/223

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019900010913A

公开(公告)日：1990-07-11

申请号：KR1019880017968

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장원익 ,  이용일 ,  김상호 ,  박성호 ,  유형준

IPC: H01L21/20

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019900010899A

公开(公告)日：1990-07-11

申请号：KR1019880017978

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이종현 ,  장원익 ,  김보우 ,  유형준 ,  배남진

IPC: H01J37/12 ,  H01J37/26

公开(公告)号：KR2019900013452U

公开(公告)日：1990-07-05

申请号：KR2019880022171

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김상호 ,  김호영 ,  김윤태 ,  이상수 ,  전치훈 ,  유형준

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR1020110085702A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：KR1020100005620

申请日：2010-01-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국과학기술원

Inventor： 김창선 ,  박장현 ,  노예철 ,  유상선 ,  최용창 ,  송홍주 ,  유형준

IPC: H03B5/20 ,  H03F3/70 ,  H03H19/00

CPC classification number: H03B5/1265 ,  H03B5/1206 ,  H03B5/1228

Abstract: PURPOSE: A switching capacitor is provided to use the difference between an inversion mode capacitor and an accumulation mode capacitor, thereby increasing resolution without additional costs. CONSTITUTION: An inverter(INV) receives and inverts a bit control signal. A first transistor(P1) comprises a drain, a source, and a body connected to a common node and a gate which receives output of an inverter. A second transistor(P2) includes a drain, a source, and a body which receive the control signal and a gate connected to the common node. The first and second transistors differently operate. The first and second transistors connect a drain, a source, and a body to efficiently adjust a capacitor value in a high frequency domain.

Abstract translation: 目的：提供开关电容器以使用反相模式电容器和累积模式电容器之间的差异，从而增加分辨率而不需要额外的成本。 构成：逆变器（INV）接收和反转位控制信号。 第一晶体管（P1）包括连接到公共节点的漏极，源极和接收反相器的输出的栅极。 第二晶体管（P2）包括接收控制信号的漏极，源极和主体以及连接到公共节点的栅极。 第一和第二晶体管的操作方式不同。 第一和第二晶体管连接漏极，源极和主体以有效地调节高频域中的电容器值。