薄膜电路材料的激光成象
    83.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1203736C

    公开(公告)日:2005-05-25

    申请号:CN00128400.2

    申请日:2000-10-13

    Abstract: 薄膜电气组件的制造方法,包括在金属箔上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中。根据本发明的另一个方面,提供一种电路的制造方法,该方法包括:提供介电材料基底,在所述基底上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的导电材料层以便达到0.05-3微米的厚度,所述导电材料具有沸点,所述介电材料具有高于所述导电材料所述沸点的熔点或分解温度,并且向所述导电材料层的选定部分提供热能,以便汽化所述导电材料的选定部分,在所述基底上留下电路组件。

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