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1.OPTICAL ELEMENT, LITHOGRAPHIC APPARATUS INCLUDING SUCH AN OPTICAL ELEMENT, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY 审中-公开
Title translation: 光学元件,包括这种光学元件的光刻设备,器件制造方法及其制造的器件公开(公告)号:WO2009106291A1
公开(公告)日:2009-09-03
申请号:PCT/EP2009/001299
申请日:2009-02-24
Applicant: ASML NETHERLANDS B V , SOER, Wouter, Anthon , BANINE, Vadim, Yevgenyevich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , VAN HERPEN, Maarten, Marinus, Johannes, Wilhelmus , YAKURIN, Andrey, Mikhailovich
Inventor: SOER, Wouter, Anthon , BANINE, Vadim, Yevgenyevich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , VAN HERPEN, Maarten, Marinus, Johannes, Wilhelmus , YAKURIN, Andrey, Mikhailovich
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: An optical element includes a first layer (4) that includes a first material, and is configured to be substantially reflective for radiation of a first wavelength and substantially transparent for radiation of a second wavelength. The optical element includes a second layer (2) that includes a second material, and is configured to be substantially absorptive or transparent for the radiation of the second wavelength. The optical element includes a third layer (3) that includes a third material between the first layer and the second layer, and is substantially transparent for the radiation of the second wavelength and configured to reduce reflection of the radiation of the second wavelength from a top surface of the second layer facing the first layer. The first layer is located upstream in the optical path of incoming radiation with respect to the second layer in order to improve spectral purity of the radiation of the first wavelength.
Abstract translation: 光学元件包括包括第一材料的第一层(4),并且被配置为基本反射第一波长的辐射并且对于第二波长的辐射基本上是透明的。 光学元件包括第二层(2),其包括第二材料,并且被配置为对于第二波长的辐射是基本吸收或透明的。 光学元件包括第三层(3),其包括在第一层和第二层之间的第三材料,并且对于第二波长的辐射基本上是透明的,并且被配置为减少第二波长的辐射从顶部 第二层的表面面向第一层。 为了提高第一波长的辐射的光谱纯度,第一层相对于第二层位于入射辐射的光路中的上游。
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公开(公告)号:TWI692993B
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:TW104100987
申请日:2015-01-12
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 俄林斯 馬可斯 法蘭西斯 安東尼奧斯 , EURLINGS, MARKUS FRANCISCUS ANTONIUS , 克理門司 尼可 安東尼司 傑科伯司 瑪麗亞 , KLEEMANS, NIEK ANTONIUS JACOBUS MARIA , 凡 迪及西爾當克 安東尼爾斯 喬漢尼司 喬瑟夫司 , VAN DIJSSELDONK, ANTONIUS JOHANNES JOSEPHUS , 霍夫札 羅門 馬克 , HOFSTRA, RAMON MARK , 諾德曼 奧斯卡 法蘭西斯 喬瑟夫 , NOORDMAN, OSCAR FRANCISCUS JOZEPHUS , 法姆 田 南 , PHAM, TIEN NANG , 凡 沙特 珍 伯納德 波萊奇莫斯 , VAN SCHOOT, JAN BERNARD PLECHELMUS , 王俊程 , WANG, JIUN CHENG , 張 衛民 , ZHANG, KEVIN WEIMIN
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3.極紫外線(EUV)輻射源及用於將一雷射光束提供至經組態用於產生EUV光之一腔室的方法 有权
Simplified title: 极紫外线(EUV)辐射源及用于将一激光光束提供至经组态用于产生EUV光之一腔室的方法公开(公告)号:TWI681692B
公开(公告)日:2020-01-01
申请号:TW104139984
申请日:2015-11-30
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 張 衛民 , ZHANG, KEVIN WEIMIN , 普維斯 麥可 安東尼 , PURVIS, MICHAEL ANTHONY , 拉法斯 羅伯特 傑 , RAFAC, ROBERT JAY , 夏夫甘納斯 亞歷山德 安東尼 , SHAFGANS, ALEXANDER ANTHONY
IPC: H05G2/00
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公开(公告)号:TWI679492B
公开(公告)日:2019-12-11
申请号:TW104137750
申请日:2015-11-16
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 凡 丹 慕蘭 佛利茲 , VAN DER MEULEN, FRITS , 詹森 馬騰 馬吉斯 馬利努斯 , JANSEN, MAARTEN MATHIJS MARINUS , 阿瑟瑞多 喬治 瑪紐爾 , AZEREDO LIMA, JORGE MANUEL , 布朗司 德克 瑟華提思 傑卓達 , BROUNS, DERK SERVATIUS GERTRUDA , 布魯吉 馬克 , BRUIJN, MARC , 戴克斯 傑洛恩 , DEKKERS, JEROEN , 簡森 保羅 , JANSSEN, PAUL , 卡默 羅納 哈莫 剛瑟 , KRAMER, RONALD HARM GUNTHER , 可魯依寧嘉 馬提亞斯 , KRUIZINGA, MATTHIAS , 蘭博根 羅博特 嘉博爾 瑪利亞 , 里恩德斯 馬汀斯 漢德利克斯 安東尼斯 , LEENDERS, MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 凡 登 波許 吉瑞特 , VAN DEN BOSCH, GERRIT , 凡 路 吉羅美 法蘭西歐斯 斯洛凡 凡吉兒 , 凡布魯吉 畢兒翠斯 路意斯 瑪莉 喬瑟夫 凱翠恩 , VERBRUGGE, BEATRIJS LOUISE MARIE-JOSEPH KATRIEN , 提 克拉克 安居落 賽薩 彼得 , DE KLERK, ANGELO CESAR PETER , 迪恩斯 賈寇巴斯 瑪麗亞 , DINGS, JACOBUS MARIA , 詹森 摩理斯 理奧納多斯 裘漢那斯 , JANSSEN, MAURICE LEONARDUS JOHANNES , 克利斯坦 羅蘭德 賈寇巴斯 裘漢那斯 , KERSTENS, ROLAND JACOBUS JOHANNES , 克斯特 馬汀那斯 裘瑟夫 瑪麗亞 , KESTERS, MARTINUS JOZEF MARIA , 路斯 米契兒 , LOOS, MICHEL , 米德兒 吉爾特 , MIDDEL, GEERT , 瑞吉德爾斯 斯洛維斯特 瑪修斯 , REIJNDERS, SILVESTER MATHEUS , 索爾席特 法蘭克 裘漢那斯 克利斯坦 , THEUERZEIT, FRANK JOHANNES CHRISTIAAN , 凡 理玟努根 安妮 裘漢那斯 威爾赫瑪斯 , VAN LIEVENOOGEN, ANNE JOHANNES WILHELMUS
IPC: G03F1/62
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公开(公告)号:TWI679491B
公开(公告)日:2019-12-11
申请号:TW104137749
申请日:2015-11-16
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V. , 荷蘭商ASML控股公司 , ASML HOLDING N. V.
Inventor: 可魯依寧嘉 馬提亞斯 , KRUIZINGA, MATTHIAS , 詹森 馬騰 馬吉斯 馬利努斯 , JANSEN, MAARTEN MATHIJS MARINUS , 阿瑟瑞多 喬治 瑪紐爾 , AZEREDO LIMA, JORGE MANUEL , 寶賈特 艾瑞克 威廉 , BOGAART, ERIK WILLEM , 布朗司 德克 瑟華提思 傑卓達 , BROUNS, DERK SERVATIUS GERTRUDA , 布魯吉 馬克 , BRUIJN, MARC , 布魯斯 理查 喬瑟夫 , BRULS, RICHARD JOSEPH , 戴克斯 傑洛恩 , DEKKERS, JEROEN , 簡森 保羅 , JANSSEN, PAUL , 卡馬利 莫哈瑪德 瑞莎 , KAMALI, MOHAMMAD REZA , 卡默 羅納 哈莫 剛瑟 , KRAMER, RONALD HARM GUNTHER , 蘭博根 羅博特 嘉博爾 瑪利亞 , 里恩德斯 馬汀斯 漢德利克斯 安東尼斯 , LEENDERS, MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , 里普森 馬修 , LIPSON, MATTHEW , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 黎昂斯 喬瑟夫H , LYONS, JOSEPH H , 露克司 史蒂芬 , ROUX, STEPHEN , 凡 登 波許 吉瑞特 , VAN DEN BOSCH, GERRIT , 凡 登 海吉坎特 山德 , VAN DEN HEIJKANT, SANDER , 凡 得 葛絡夫 珊卓拉 , VAN DER GRAAF, SANDRA , 凡 丹 慕蘭 佛利茲 , VAN DER MEULEN, FRITS , 凡 路 吉羅美 法蘭西歐斯 斯洛凡 凡吉兒 , 凡布魯吉 畢兒翠斯 路意斯 瑪莉 喬瑟夫 凱翠恩 , VERBRUGGE, BEATRIJS LOUISE MARIE-JOSEPH K
IPC: G03F1/62
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公开(公告)号:TWI666654B
公开(公告)日:2019-07-21
申请号:TW104124119
申请日:2015-07-24
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 塞奈凱里米恩 法漢 , SENEKERIMYAN, VAHAN , 普維斯 麥可A , PURVIS, MICHAEL A. , 丁 捷 , DING, JIE
IPC: G21K5/00
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7.用於補償一曝光誤差的方法、元件製造方法、基板台、微影裝置、控制系統、用於量測反射率的方法、及用於量測一極紫外線輻射劑量的方法 有权
Simplified title: 用于补偿一曝光误差的方法、组件制造方法、基板台、微影设备、控制系统、用于量测反射率的方法、及用于量测一极紫外线辐射剂量的方法公开(公告)号:TWI663481B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:TW104113094
申请日:2015-04-23
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 貝瑞登森 克里斯提耶納斯 威爾漢瑪斯 裘漢斯 , BERENDSEN, CHRISTIANUS WILHELMUS JOHANNES , 麥卡爾斯 麥塞爾 , BECKERS, MARCEL , 卡泰恩司 亨利克斯 裘塞夫 , CASTELIJNS, HENRICUS JOZEF , 葛雷茲 荷伯特斯 安東尼斯 , GERAETS, HUBERTUS ANTONIUS , 克佛耶茲 安卓尼斯 亨瑞克 , KOEVOETS, ADRIANUS HENDRIK , 李維榭 李昂 馬汀 , LEVASIER, LEON MARTIN , 史洽普 彼得 , SCHAAP, PETER , 史崔弗科 包伯 , STREEFKERK, BOB , 特洛普 塞弗烈德 亞歷山德 , TROMP, SIEGFRIED ALEXANDER
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号:TWI650045B
公开(公告)日:2019-02-01
申请号:TW103129530
申请日:2014-08-27
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 艾瑟夫 亞歷山大I , ERSHOV, ALEXANDER I. , 伯克 傑瑞米 , BURKE, JEREMY
IPC: H05G2/00
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公开(公告)号:TWI650044B
公开(公告)日:2019-02-01
申请号:TW103128168
申请日:2014-08-15
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
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公开(公告)号:TWI643418B
公开(公告)日:2018-12-01
申请号:TW104102119
申请日:2015-01-22
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 張 凱文 , ZHANG, KEVIN , 里班伯格 克里斯托 , LIEBENBERG, CHRISTO , 史查夫甘斯 亞歷山大 , SCHAFGANS, ALEXANDER
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