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公开(公告)号：WO2017069314A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2015/011349
申请日：2015-10-27
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种集中太阳能发电的方法和系统，包括以下步骤：根据太阳追踪方法通过计算太阳的黄道来调整太阳能电池板， 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。 / p>
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公开(公告)号：KR101734077B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150188846
申请日：2015-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/068 , H01L31/046 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。 按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。 因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小， 因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。
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公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101711551B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR101294009B1
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：KR1020120000560
申请日：2012-01-03
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06 , H01L31/0236 , H01L31/042 , H01L33/22
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 광전자 소자의 활성층을 요철 또는 만곡형상으로 형성하여 활성층의 표면적을 증가시키고, 광 추출 효율 및 광 흡수 효율을 향상시키는 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 도전성 기판 상에 형성된 반도체 층. 반도체 층 상에 형성되며, 상부가 요철 또는 만곡 구조으로 이루어진 n형 반도체 층, n형 반도체 층 상에 형성되며, 요철 또는 만곡 구조으로 이루어진 활성층 및 활성층 상에 형성된 p형 반도체 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명에 따른 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 제조방법은 기판 상에 형성된 반도체 층의 상부에 n형 반도체 층을 형성하는 단계, n형 반도체 층의 상부에 레지스트(Resist)를 코팅하는 단계, 리소그래피(Lithography) 공정으로 레지스트를 요철 또는 만곡 구조로 패터닝하는 단계, 패터닝된 레지스트를 식각하여 n형 반도체 층에 요철 또는 만곡형상을 형성한 후, 버퍼 층을 형성하는 단계, 버퍼 층의 상부에 요철 또는 만곡 구조의 활성층을 형성하는 단계 및 활성층의 상부에 p형 반도체 층을 형성하여 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
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公开(公告)号：KR101180894B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020110008715
申请日：2011-01-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 전자 수용층과 전자 도너층의 계면 면적을 증가시켜 높은 에너지 변환효율을 가지는 유기 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기 태양전지는 양극; 상기 양극 상에 형성되고 상면에 규칙적인 패턴이 형성된 전자 수용층; 상기 전자 수용층 상에 형성된 전자 도너층; 및 상기 전자 도너층 상에 형성된 음극을 포함하고, 상기 패턴은 2개의 단으로 이루어지고 단면 형상이 T자인 복수의 기둥을 포함한다.
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公开(公告)号：KR100962110B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080049697
申请日：2008-05-28
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 기판 상에 광신호를 전기적신호로 변환시키는 광전변환층을 형성하고, 광신호를 광전변환층으로 통과시키고 광전변환층에서 생성되는 캐리어의 장벽이 되는 윈도우층을 광전변환층 상에 형성한다. 그리고 윈도우층 상에 윈도우층과 오믹 접합을 이루는 오믹 콘택층을 형성하고, 오믹 콘택층 상의 일부 영역에 식각 마스크를 형성한 후, 식각 마스크를 이용하여 식각 마스크가 형성되지 않은 영역에 위치하는 오믹 콘택층을 식각한다. 그리고 식각 마스크를 산화에 대한 하드 마스크로 이용하여 오믹 콘택층을 식각함에 따라 표면이 노출된 영역에 위치하는 윈도우층을 산화시켜 무반사 코팅층을 형성한 후, 식각 마스크를 제거하고, 오믹 콘택층 상에 전도성 물질로 이루어진 상부 전극을 형성하고, 기판 하측에 전도성 물질로 이루어진 하부 전극을 형성한다. 본 발명에 따르면, 무반사 코팅층을 별도의 사진식각 공정을 이용하지 않고 형성시킴으로써, 종래에 비해 한 번의 사진식각 공정을 줄일 수 있게 되어 공정 시간 및 비용을 단축할 수 있게 된다.
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8.发明授权스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权因此，使用步骤3-D阻挡图案和发光二极管的发光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR101419525B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120153425
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 발광 다이오드 소자에 있어서, 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상층에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 제1레지스트층을 패터닝하여 제1블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계와, 상기 제1블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제1블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계와, 상기 제1블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 제1블락킹 패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 제1블락킹 패턴 형성 후 제2레지스트층을 형성하는 제5단계와, 상기 제2레지스트층을 패터닝하여 제2블락킹 마스크를 형성하는 제6단계와, 상기 제2블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제2블락킹 패턴층을 증착하는 제7단계와, 상기 제2블락킹 마스크를 제거하여, 기판 상층에 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역에 � �텝형으로 형성되며, 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역을 완전히 덮는 상부 영역을 가지는 "┰" 형태의 3차원 제2블락킹 패턴을 형성하는 제8단계와, 상기 제2블락킹 패턴 형성 후, 반도체층을 증착하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판 상에 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 형성하여 반도체층 형성시 발생하는 결함을 줄여서 발광 다이오드 소자의 효율을 개선시키는 이점이 있다.
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020140083535A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153420
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: A technological subject matter of the present invention is to provide a method of fabricating a semiconductor light emitting diode device using a 3-D blocking pattern and a semiconductor light emitting diode device fabricated by the same. The method of fabricating the semiconductor light emitting diode device includes a first step of forming a resist layer on a top of a substrate; a second step of forming a 3-D blocking mask by patterning the resist layer; a third step of depositing a blocking pattern layer on the 3-D blocking mask; a fourth step of forming a 3-D blocking pattern in a ″T″ shape on a top of the substrate by removing the 3-D blocking mask; and a fifth step of depositing a semiconductor layer after the 3-D blocking pattern is formed. Thus, the present invention has an advantage of improving efficiency of the light emitting diode device by reducing defects occurring when forming the semiconductor layer by forming the 3-D blocking pattern on the top of the substrate.
Abstract translation: 本发明的技术主题是提供一种制造使用3-D阻挡图案的半导体发光二极管器件和由其制造的半导体发光二极管器件的方法。 制造半导体发光二极管器件的方法包括在衬底的顶部上形成抗蚀剂层的第一步骤; 通过图案化抗蚀剂层形成3-D阻挡掩模的第二步骤; 在3-D阻挡掩模上沉积阻挡图案层的第三步骤; 通过去除3-D阻挡掩模在衬底的顶部上形成“T”形的3-D阻挡图案的第四步骤; 以及在形成3-D阻挡图案之后沉积半导体层的第五步骤。 因此，本发明具有通过在衬底的顶部形成3-D阻挡图案来减少形成半导体层时发生的缺陷而提高发光二极管器件效率的优点。
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公开(公告)号：KR1020090123554A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049697
申请日：2008-05-28
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a solar cell is provided to reduce a process time and a process cost by forming an anti-reflective coating layer without an additional photolithography process. CONSTITUTION: A photoelectric conversion layer(520) to covert an optical signal to an electrical signal is formed on a substrate(510). A window layer(530) is formed on the photoelectric conversion layer. The window layer is a barrier of the carrier generated in the photoelectric conversion layer and passes the optical signal through the photoelectric conversion layer. An ohmic contact layer(540) making the ohmic contact with the window layer is formed on the window layer. The ohmic contact layer is etched using an etching mask. An anti-reflective coating layer(550) is formed by oxidizing the window layer in the exposed surface by etching the ohmic contact layer using the etching mask as a hard mask about the oxidation. A top electrode(560) made of the conductive material is formed on the ohmic contact layer. A bottom electrode(570) made of the conductive material is formed on the lower part of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池的方法，通过在没有额外的光刻工艺的情况下形成抗反射涂层来缩短处理时间和工艺成本。 构成：将光信号转换为电信号的光电转换层（520）形成在基板（510）上。 在光电转换层上形成窗口层（530）。 窗口层是在光电转换层中产生的载流子的屏障，并使光信号通过光电转换层。 在窗口层上形成与窗口层形成欧姆接触的欧姆接触层（540）。 使用蚀刻掩模蚀刻欧姆接触层。 通过使用蚀刻掩模作为围绕氧化的硬掩模蚀刻欧姆接触层来对暴露表面中的窗口层进行氧化来形成抗反射涂层（550）。 由导电材料制成的顶部电极（560）形成在欧姆接触层上。 由导电材料制成的底部电极（570）形成在基板的下部。
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