公开(公告)号：CN113169017B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201980064424.5

申请日：2019-09-30

Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司

Inventor： D.蔡德勒 ,  C.里德塞尔 ,  A.索马 ,  G.梅塔利迪斯 ,  J.雅各比 ,  S.舒伯特 ,  R.伦克 ,  U.比尔 ,  Y.萨罗夫 ,  G.库里杰

IPC: H01J37/317

Abstract: 披露了一种用于操作多束式粒子束系统的方法，该方法包括：生成多个粒子束，使得它们各自穿过完好的或有缺陷的多极元件；将这些粒子束聚焦在预定平面中；确定用于这些多极元件的偏转元件的激励；使用所确定的激励来激励完好的这些多极元件的偏转元件；以及对于有缺陷的多极元件的偏转元件修改所确定的激励，并且使用经修改的激励来激励这些有缺陷的多极元件的偏转元件；其中，该修改包括向所确定的激励添加校正激励，其中，这些校正激励对于该有缺陷的多极元件的所有偏转元件是相同的。

公开(公告)号：CN113169017A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980064424.5

申请日：2019-09-30

Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司

Inventor： D.蔡德勒 ,  C.里德塞尔 ,  A.索马 ,  G.梅塔利迪斯 ,  J.雅各比 ,  S.舒伯特 ,  R.伦克 ,  U.比尔 ,  Y.萨罗夫 ,  G.库里杰

IPC: H01J37/317

Abstract: 披露了一种用于操作多束式粒子束系统的方法，该方法包括：生成多个粒子束，使得它们各自穿过完好的或有缺陷的多极元件；将这些粒子束聚焦在预定平面中；确定用于这些多极元件的偏转元件的激励；使用所确定的激励来激励完好的这些多极元件的偏转元件；以及对于有缺陷的多极元件的偏转元件修改所确定的激励，并且使用经修改的激励来激励这些有缺陷的多极元件的偏转元件；其中，该修改包括向所确定的激励添加校正激励，其中，这些校正激励对于该有缺陷的多极元件的所有偏转元件是相同的。

公开(公告)号：CN115244645A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018794.2

申请日：2021-03-09

Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司

Inventor： Y.萨罗夫 ,  U.比尔 ,  H.弗里茨 ,  D.蔡德勒 ,  G.库里杰 ,  R.伦科 ,  A.G.梅杰 ,  C.里德塞尔

IPC: H01J37/147

Abstract: 提供了多射束带电粒子显微镜的多射束光栅单元——诸如多射束生成单元、多射束偏转单元——的某些改进。改进包括多射束光栅单元的设计、制造和调整，包括特定形状和尺寸的孔。改进能够以更高的精度生成多射束生成和多射束偏转或消像散。这些改进与多射束带电粒子显微镜的常规应用相关，例如其中需要高可靠性和高再现性以及低机器对机器的偏差的半导体检验和审查中。