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公开(公告)号:CN113169017B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN201980064424.5
申请日:2019-09-30
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 披露了一种用于操作多束式粒子束系统的方法,该方法包括:生成多个粒子束,使得它们各自穿过完好的或有缺陷的多极元件;将这些粒子束聚焦在预定平面中;确定用于这些多极元件的偏转元件的激励;使用所确定的激励来激励完好的这些多极元件的偏转元件;以及对于有缺陷的多极元件的偏转元件修改所确定的激励,并且使用经修改的激励来激励这些有缺陷的多极元件的偏转元件;其中,该修改包括向所确定的激励添加校正激励,其中,这些校正激励对于该有缺陷的多极元件的所有偏转元件是相同的。
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公开(公告)号:CN115699245A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202180039305.1
申请日:2021-04-29
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 提供了一种多束带电粒子检查系统和一种操作多束带电粒子检查系统的方法,用于具有高通过量和高分辨率以及高可靠性的晶片检查。该方法和多束带电粒子束检查系统配置成从多个传感器数据中提取一组控制信号来控制多束带电粒子束检查系统,从而维持成像规范,包括在晶片检查任务期间晶片台的移动。特别地,该系统操作为使得时间间隔Tr与图像采集的时间间隔Ts1和/或Ts2重叠。
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公开(公告)号:CN115244645A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202180018794.2
申请日:2021-03-09
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 提供了多射束带电粒子显微镜的多射束光栅单元——诸如多射束生成单元、多射束偏转单元——的某些改进。改进包括多射束光栅单元的设计、制造和调整,包括特定形状和尺寸的孔。改进能够以更高的精度生成多射束生成和多射束偏转或消像散。这些改进与多射束带电粒子显微镜的常规应用相关,例如其中需要高可靠性和高再现性以及低机器对机器的偏差的半导体检验和审查中。
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公开(公告)号:CN113169017A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980064424.5
申请日:2019-09-30
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 披露了一种用于操作多束式粒子束系统的方法,该方法包括:生成多个粒子束,使得它们各自穿过完好的或有缺陷的多极元件;将这些粒子束聚焦在预定平面中;确定用于这些多极元件的偏转元件的激励;使用所确定的激励来激励完好的这些多极元件的偏转元件;以及对于有缺陷的多极元件的偏转元件修改所确定的激励,并且使用经修改的激励来激励这些有缺陷的多极元件的偏转元件;其中,该修改包括向所确定的激励添加校正激励,其中,这些校正激励对于该有缺陷的多极元件的所有偏转元件是相同的。
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