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公开(公告)号:CN101373720B
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN200810215852.7
申请日:2006-07-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H05K3/423 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/15173 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/113 , H05K1/114 , H05K3/025 , H05K3/064 , H05K2203/016 , H05K2203/0733 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括:在支撑基片(70)上形成种子金属层(20a),在种子金属层(20a)上形成包括互连(18)的互连层(10),在形成互连层(10)之后除去支撑基片(70),以及在除去支撑基片之后,对种子金属层(20a)进行图形化以形成互连(20)。
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公开(公告)号:CN1949952B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN200610132159.4
申请日:2006-10-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H05K1/16 , H05K3/46 , H05K3/00 , H01L23/498 , H05K1/11
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H05K3/0023 , H05K3/205 , H05K3/4007 , H05K3/4644 , H05K2201/0367 , H05K2203/0733 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层配线板,具有:设置在第一表面和第二表面上的电极、交替地被层压的绝缘层和配线层、以及设置在绝缘层中且与配线层电连接的通孔。将设置在第二表面的第二电极嵌入暴露在所述第二表面的绝缘层中,且有暴露在所述第二表面的绝缘层所覆盖的第二配线层并不具有用于改善与绝缘层的粘着性的层。
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公开(公告)号:CN102194780A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110063767.5
申请日:2011-03-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L21/78 , H05K3/46
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/221 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子器件和电子器件的制造方法。在具有多层树脂互连层的电子器件中,期望减小其支撑衬底的翘曲。通过以下步骤来制造电子器件:在支撑衬底上形成包括通孔和第一绝缘部分的下层;以及在下层上形成中间层,所述中间层包括第一互连以及覆盖所述第一互连的第二绝缘部分。通过以下步骤来形成下层:在第一电路区域和围绕其的第一区域上形成第一绝缘部分;以及在第一电路区域上形成通孔。通过以下步骤来形成中间层:在第一电路区域上形成第一互连;形成第二绝缘部分的膜以覆盖下层;以及去除第一区域上的第二绝缘部分,使得露出下层部分的上表面的外围部分。
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公开(公告)号:CN102106198A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200980128956.7
申请日:2009-07-23
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/115 , H05K3/4644 , H05K2201/0352 , H05K2201/10674 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/063 , H05K2203/1469 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的半导体装置及其制造方法,半导体装置在布线基板中内置有窄间距、多引脚的半导体元件,能够不降低成品率而实现多层化。多个布线层及绝缘层层叠,半导体元件埋入于绝缘层,设于各绝缘层(15、18、21)的通孔(16、19、22)、或设于各布线层的布线(17、20、23)的至少一个具有与设于其他绝缘层或布线层的通孔或布线不同的剖面形状。
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公开(公告)号:CN101388373B
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN200810160807.6
申请日:2008-09-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L2924/00013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 一种确保微小通路下的连接可靠性的可靠性高的半导体装置及其制造方法,半导体装置具备:半导体基板(11);配置在半导体基板(11)上,并且具有至少1个以上的第1布线层、至少1个以上的第1绝缘层及第1通路的第1布线构造体(12);配置在第1布线构造体(12)上,并且具有至少1个以上的第2布线层(15)、至少1个以上的第2绝缘层(14)、第2通路(16)及第3通路(19)的第2布线构造体(17);以及设置在第2布线构造体(17)上的外部端子(18),其中,与第2布线构造体(17)的第2布线层(15)和外部端子(图1的18)接合的第2通路(16)在外部端子(18)侧的端部配置了接合界面(16a)。
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公开(公告)号:CN101604682B
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN200910151811.0
申请日:2007-10-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K3/0058 , H05K3/284 , H05K3/4682 , H05K2201/0195 , H05K2201/09527 , H05K2201/09972 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明一种电子器件,包括:第一互连层;第二互连层,其配备在所述第一互连层上并具有外部电极端子;以及第一导电插塞,其配备在所述第一互连层中,并且暴露在所述第二互连层侧上的所述第一互连层的表面上;其中形成所述第一互连层的树脂的热分解温度高于形成所述第二互连层的树脂;以及所述第二互连层侧上的所述第一导电插塞的端面的面积大于相对端面的面积。这样构建的电子器件允许采用比形成第一互连层具有更低热分解温度的树脂来形成第二互连层。因此,可以采用相对便宜的树脂用于该第二互连层,同时采用适于微处理的树脂用于该第一互连层。
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公开(公告)号:CN102118919A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN201010601613.2
申请日:2010-12-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H05K3/4682 , H01L21/4846 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H05K3/205 , H05K3/4644 , H05K3/4647 , H05K2201/09481 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/10545 , H05K2201/10674 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种电子器件和电子器件的制造方法。多层布线衬底具有其中层压第一布线层和第二布线层的构造,其中,第一布线层包括形成在第一绝缘膜中且形成为暴露在第二表面侧的多个第一导电部件,第二布线层包括在与第二表面相反的侧上的第一表面侧上形成的第二绝缘膜中形成的多个第二导电部件。多个第二导电部件分别直接连接到多个第一导电部件中的任一个或通过不同的导电材料连接到多个第一导电部件中的任一个。多个第一导电部件直接连接到多个第二导电部件中的任一个或通过不同的导电材料连接到多个第二导电部件中的任一个,但是包括没有形成与连接的第二导电部件连接的电流路径的虚导电部件。
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公开(公告)号:CN1976014B
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200610163649.0
申请日:2006-12-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/562 , H01L23/642 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2223/6622 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10155 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件,包括:互连构件,第一半导体芯片,第二半导体芯片,树脂层,无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触,且直接覆盖该后表面。而且,无机绝缘层在树脂层之上延伸。通孔电极穿过无机绝缘层和第一半导体芯片的半导体衬底。以面向下的方式在无机绝缘层上安装第二半导体芯片,该无机绝缘层覆盖最上层中的第一半导体芯片的背表面。
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公开(公告)号:CN101320716B
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN200810125539.4
申请日:2008-06-10
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L2221/68345 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/15174 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板,并提供剥离材料。然后,定位半导体元件使得电极端子面朝上,且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件;且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后,通过使用剥离材料,从半导体器件上剥离透明基板。因而,能够高精度地安装芯片,在制造过程中在基底上安装芯片期间不需要提供定位标记,并且能够容易地去除基底。结果,能够以低成本制造具有高密度和薄外形的半导体器件。
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公开(公告)号:CN102106198B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200980128956.7
申请日:2009-07-23
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/115 , H05K3/4644 , H05K2201/0352 , H05K2201/10674 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/063 , H05K2203/1469 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的半导体装置及其制造方法,半导体装置在布线基板中内置有窄间距、多引脚的半导体元件,能够不降低成品率而实现多层化。多个布线层及绝缘层层叠,半导体元件埋入于绝缘层,设于各绝缘层(15、18、21)的通孔(16、19、22)、或设于各布线层的布线(17、20、23)的至少一个具有与设于其他绝缘层或布线层的通孔或布线不同的剖面形状。
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