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公开(公告)号：KR100188453B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019920004018
申请日：1992-03-11
Applicant: 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 다운플로우중에 배치된 피처리체에 처리를 하는 여러 개의 처리부에, 피처리체를 반송 및 실어서 이송하기 위한 장치는, 처리부간을 이동이 자유롭게 설치된 반송부와, 반송부를 이동시키는 제1구동기구와, 반송부에 이동이 자유롭게 설치되고, 처리부내에서 소정의 온도로 온도조정된 피처리체에 대하여 사용되는 제1아암과, 반송부에 이동이 자유롭게 설치되고, 온도조정된 피처리체 이외의 피처리체에 대하여 사용되는 제2아암과, 제1 및 제2아암을 각각 이동시키기 위한 제2구동기구를 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR100177591B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019930001597
申请日：1993-02-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67781 , H01L21/6838 , Y10S414/137 , Y10S414/141
Abstract: 웨이퍼에 레지스트를 도포·현상하는 장치는, 웨이퍼를 수용하는 여러 개의 캐리어 및 받아 건네는 대가 배설된 캐리어 스테이숀과, 여러 개의 처리 유니트를 가지는 처리부와, 상기 캐리어 스테이숀과 처리부 사이에서 배설된 반송 로보트를 구비한다. 상기 로보트는 상기 캐리어와 상기 받아 건네는 대 사이에서 웨이퍼를 반송하는 1개의 판형상 아암과, 상기 처리 유니트와 상기 받아 건네는 대 사이에서 웨이퍼를 반송하는 2개의 말굽형 포크를 구비한다. 상기 로보트는, 아암 및 포크를 상기 캐리어, 처리 유니트, 및 받아 건네는 대와 대향시키도록 반송로를 따라서 이동 가능하게 되어 있다.
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公开(公告)号：KR1019930018700A
公开(公告)日：1993-09-22
申请号：KR1019930001597
申请日：1993-02-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 웨이퍼에 레지스트를 도포·현상하는 장치는, 웨이퍼를 수용하는 여러개의 캐리어 및 받아 건내는 대가 배설된 캐리어 스테이숀과, 여러 개의 처리 유니트를 가지는 처리부와, 상기 캐리어 스테이숀과 처리부 사이에서 배설된 반송 로보트를 구비한다. 상기 로보트는 상기 캐리어와 상기 받아 건내는 대 사이에서 웨이퍼를 반송하는 1개의 판형상 아암과, 상기 처리 유니트와 상기 받아 건내는 대 사이에서 웨이퍼를 반송하는 2개의 말굽형 포크를 구비한다. 상기 로보트는, 아암 및 포크를 상기 캐리어, 처리 유니트, 및 받아 건내는 대와 대향시키도록 반송로를 따라서 이동가능하게 되어 있다.
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公开(公告)号：KR1019930006877A
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：KR1019920004018
申请日：1992-03-11
Applicant: 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 다운플로우중에 배치된 피처리체에 처리를 하는 여러 개의 처리부에, 피처리체를 반송 및 실어서 이송하기 위한 장치는, 처리부간을 이동이 자유롭게 설치된 반송부와, 반송부를 이동시키는 제1구동기구와, 반송부에 이동이 자유롭게 설치되고, 처리부내에서 소정의 온도로 온도조정된 피처리체에 대하여 사용되는 제1 아암과, 반송부에 이동이 자유롭게 설치되고, 온도조정된 피처리체 이외의 피처리체에 대하여 사용되는 제2아암과, 제1 및 제2아암을 각각 이동시키기 위한 제2 구동기구를 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR100596944B1
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：KR1019980002605
申请日：1998-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판의 표면에 바람직한 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트도포 현상방법 및 레지스트도포 현상장치에 관한 것으로, 레지스트도포 현상방법은 (a)기판에 형성할 레지스트도포막의 패턴선폭 및 막두께에 대한 각 설정 목표치 및 각각의 허용범위를 각각 설정하는 공정과, (b)기판의 표면에 포토레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정과, (c)기판에 형성된 포토레지스트도포막을 베이크하는 프리베이킹공정과, (d)베이크된 기판을 냉각하는 제 1 냉각공정과, (e)상기 포토레지스트 도포막을 패턴 노광하는 노광공정과, (f)패턴 노광된 레지스트 도포막에 형성된 잠상의 선폭을 측정하는 잠상선폭 측정공정과, (g)패턴 노광된 레지스트 도포막을 베이크하는 포스트베이킹공정과, (h)베이크된 기판을 냉각하는 제 2 냉각� �정과, (i)기판에 현상액을 뿌리고, 패턴 노광된 레지스트 도포막을 현상하는 현상공정과, (j)상기 잠상선폭 측정공정(f)에 있어서의 잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위내에 있는지를 판정하는 공정과, (k)잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위에서 벗어난다고 판정되었을 때에, 잠상선폭의 측정치와 상기 설정목표치와의 차를 구하고, 이 차에 따라서 상기 레지스트 도포공정(b)으로부터 현상공정(i)까지의 사이에 존재하는 각 처리조건의 보정량을 구하는 공정과, (l)구해진 보정량에 따라서 레지스트 도포공정(b), 노광공정(e), 포스트베이킹공정(g) 및 현상공정(i) 중에서 선택된 적어도 하나의 처리조건을 보정하는 공정을 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100489594B1
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1019970045568
申请日：1997-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
Abstract: 본 발명은 기설정된 제 1 위치에서 액체-공급 부재로부터 피처리체에 코팅액을 공급하여 피처리체상에 막을 형성하는 장치 및 방법을 제공한다. 제 1 위치에서 코팅액을 공급하기 전에 기설정된 제 2 위치에서 코팅액이 공급된다. 불순물-검출 장치는 제 2 위치에서 공급된 코팅액내에 함유된 불순물을 검출한다. 입자-카운팅 장치가 공급되며, 스위칭 장치가 코팅액의 소스로부터 액체-공급 부재로 연장되는 액체-공급 파이프상에 제공된다. 이 스위칭 장치는 액체-공급 부재와 불순물-검출 장치 사이에서 코팅액의 공급을 스위칭한다. 이와 같이 하여 코팅액내의 불순물이 모니터될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980024284A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970045568
申请日：1997-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
Abstract: 본 발명은 제 1 규정된 위치에서 액체-도포 부재로부터 객체에 코팅액을 도포함으로써 객체상에 막을 형성하는 장치 및 방법을 제공한다. 제 1 위치에서 코팅액을 도포하기 전에 제 2 규정된 위치에서 코팅액이 도포된다. 불순물-검출 장치는 제 2 위치에서 도포된 코팅액내에 함유된 불순물을 검출한다. 입자-카운팅 장치가 제공되며, 스위칭 장치가 코팅액의 소스로부터 액체-도포 부재로 연장되는 액체-공급 파이프상에 제공된다. 이 스위칭 장치는 액체-도포 부재와 불순물-검출 장치 사이에서 코팅액의 공급을 스위칭한다. 이와 같이 하여 코팅액내의 불순물이 모니터될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980070956A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019980002605
申请日：1998-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판의 표면에 바람직한 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트도포 현상방법 및 레지스트도포 현상장치에 관한 것으로, 레지스트도포 현상방법은 (a)기판에 형성할 레지스트도포막의 패턴선폭 및 막두께에 대한 각 설정 목표치 및 각각의 허용범위를 각각 설정하는 공정과, (b)기판의 표면에 포토레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정과, (c)기판에 형성된 포토레지스트도포막을 베이크하는 프리베이킹공정과, (d)베이크된 기판을 냉각하는 제 1 냉각공정과, (e)상기 포토레지스트 도포막을 패턴 노광하는 노광공정과, (f)패턴 노광된 레지스트 도포막에 형성된 잠상의 선폭을 측정하는 잠상선폭 측정공정과, (g)패턴 노광된 레지스트 도포막을 베이크하는 포스트베이킹공정과, (h)베이크된 기판을 냉각하는 제 2 냉각� �정과, (i)기판에 현상액을 뿌리고, 패턴 노광된 레지스트 도포막을 현상하는 현상공정과, (j)상기 잠상선폭 측정공정(f)에 있어서의 잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위내에 있는지를 판정하는 공정과, (k)잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위에서 벗어난다고 판정되었을 때에, 잠상선폭의 측정치와 상기 설정목표치와의 차를 구하고, 이 차에 따라서 상기 레지스트 도포공정(b)으로부터 현상공정(i)까지의 사이에 존재하는 각 처리조건의 보정량을 구하는 공정과, (l)구해진 보정량에 따라서 레지스트 도포공정(b), 노광공정(e), 포스트베이킹공정(g) 및 현상공정(i) 중에서 선택된 적어도 하나의 처리조건을 보정하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019980070540A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019980001063
申请日：1998-01-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 요시오카가즈토시
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명의 베이킹 장치는, 패턴노광된 레지스트막을 갖는 기판(W)을 둘러싸는 케이스(40)와, 이 케이스내의 기판을 가열하는 열판(41)과, H
2 O를 성분으로서 함유하는 가스를 케이스내에 공급하는 가스공급기구(50,58,69)를 구비하여, 열판으로 기판을 가열하고 있는 동안에 수분함유 가스를 케이스내에 도입하여 H
2 O 성분을 레지스트막에 작용시키고, 이로써 레지스트막의 노광부 또는 비노광부중 어느 한쪽을 알카리 가용(可溶)으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019980087509A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019980019768
申请日：1998-05-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 요시오카가즈토시
IPC: G03F7/26
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
레지스트 처리장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
노광장치와 같은 외부장치로부터 액처리계의 처리유니트내로의 이물질의 침입을 효과적으로 억제할 수 있고, 제품수율의 향상을 도모할 수 있는 레지스트 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명의 레지스트 처리장치는, 기판을 처리하기 위한 복수의 제 1 처리유니트와, 기판을 처리하기 위한 제 2 처리유니트와, 제 1 처리유니트의 각각에 대하여 기판을 각각 출납하기 위한 제 1 아암기구를 가진 제 1 반송유니트와, 이 제 1 처리유니트를 사이에 두고 제 1 반송유니트와 대향하는 위치에 설치되고, 복수의 제 1 처리유니트 중의 적어도 하나와 상기 제 2 처리유니트에 대하여 기판을 각각 출납하기 위한 제 2 아암기구를 가진 제 2 반송유니트와, 제 1 및 제 2 처리유니트 중의 적어도 한쪽에서 행하여진 처리에 계속하여 다음 처리를 행하기 위한 외부장치에 인접하여 설치되고, 이 외부장치와의 사이에서 제 l 아암기구에 의해 기판의 주고받음을 행하는 인터페이스부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판과 같은 피처리기판에 대하여 일련의 레지스트 처리에 사용됨.
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