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    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    2.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020170017810A

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：KR1020160099920

    申请日：2016-08-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가가와고지 ,  가와노히사시 ,  아이바라메이토쿠 ,  요시다유키

    IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248

    Abstract: 본발명은, 요철패턴이표면에형성된기판으로부터, 요철패턴의오목부내에충전된, 승화성물질및 불순물을함유하는고형물을제거하고, 기판으로부터일단제거된승화성물질및 불순물의기판에의재부착을방지하는것을목적으로한다. 기판(W)의오목부내에충전된고형물이, 처리실(52) 내의분위기압력하, 제1 온도이상의온도에서승화하는고체상태의승화성물질과, 처리실(52) 내의분위기압력하, 제1 온도보다높은제2 온도이상의온도에서증발하는불순물을함유할때, 배기부(62) 및배기부(63) 중한쪽또는양쪽에의해처리실(52) 내의분위기를배출하면서, 기판가열부(57)에의해처리실(52) 내에배치된기판(W)을제2 온도이상의온도까지가열한다.

    Abstract translation: 为了从形成在基板的表面上的具有凹凸图案的基板上除去填充有凹凸图案的凹部的固体材料，并且通过使可升华物质溶液中的溶剂蒸发而形成 含有在等于或高于第一温度的温度升华的升华物质和在等于或高于第一温度的第二温度下蒸发的杂质，本发明提供了一种基板处理装置 以及将基板加热到等于或高于第二温度的温度的基板处理方法。

    기판 처리 장치
    4.
    发明公开
    기판 처리 장치 审中-实审
    基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020140065343A

    公开(公告)日：2014-05-29

    申请号：KR1020130140482

    申请日：2013-11-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아이우라카즈히로 ,  이토노리히로 ,  나카오히데토시 ,  시노하라카즈요시 ,  다나카사토루 ,  요시다유우키 ,  아이바라메이토쿠

    IPC: H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/68735

    Abstract: A substrate processing device prevents mist of a processing solution scattered from a wafer from returning to the wafer. The substrate processing device includes a rotary cup (20) surrounding a substrate (W) held in a substrate holding part (10), rotating with the substrate holding part, and guiding the processing solution scattered from the rotating substrate and a spinless outer cup (31) installed having a gap around the rotary cup and an inner space receiving the processing solution guided by the rotary cup. The height of the top of the rotary cup is higher than the height of the top of the outer cup. An outer protrusion (20c), extended in a circumferential direction and protruding toward an outer side of a radius direction of the rotary cup, is installed on an upper part of an outer surface of the rotary cup. The outer protrusion blocks the mist of the processing solution spattered from the gap of the outer cup to an upper part of the substrate.

    Abstract translation: 基板处理装置防止从晶片散射的处理溶液的雾返回到晶片。 基板处理装置包括旋转杯（20），其包围保持在基板保持部（10）中的基板（W），与基板保持部旋转，并且引导从旋转基板散射的处理液和无旋转外杯 31），其具有围绕旋转杯的间隙和容纳由旋转杯引导的处理溶液的内部空间。 旋转杯顶部的高度高于外杯顶部的高度。 在旋转杯的外表面的上部安装有沿圆周方向延伸并朝向旋转杯的半径方向的外侧突出的外突出部（20c）。 外部突起阻挡从外杯的间隙溅射到基底的上部的处理溶液的雾。

    기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
    6.
    发明公开
    기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 审中-实审
    液体加工设备和液体加工方法

    公开(公告)号：KR1020140148330A

    公开(公告)日：2014-12-31

    申请号：KR1020140074886

    申请日：2014-06-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이노우에시게히사 ,  나가야마다이스케 ,  마츠키가츠후미 ,  마스즈미다쿠로 ,  요시다유키 ,  아이바라메이토쿠 ,  기요세히로미 ,  우노다카시 ,  마루야마히로타카 ,  고야마가즈야 ,  나가자와다카시

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/683

    CPC classification number: B08B3/02 ,  H01L21/67051

    Abstract: An objective of the present invention is to provide an apparatus and a method of liquid processing a substrate, in which particles are suppressed from attaching to a substrate so that the substrate is satisfactorily processed. The liquid processing apparatus (1) of the present invention includes: a first processing liquid discharge unit (12) to discharge a first processing liquid in a form of liquid droplets, which contains pure water toward the surface of the substrate (13) ; and a second processing liquid discharge unit (13) to discharge a second processing liquid, which inverts a zeta electrical potential of a surface of the substrate (3) to a negative zeta potential, toward the surface of the substrate (3) processed by the first processing liquid in the form of the liquid droplets. For example, a pure water having carbon dioxide added is used as the first processing liquid and an SC-1 liquid is used as the second processing liquid.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种液体处理衬底的装置和方法，其中抑制颗粒附着到衬底上，使得衬底被令人满意地加工。 本发明的液体处理装置（1）包括：第一处理液体排出单元（12），其将含有纯水的液滴形式的第一处理液体朝向基板（13）的表面排出; 以及第二处理液体排出单元（13），用于将基板（3）的表面的ζ电位反转为负ζ电位的第二处理液朝向由所述基板（3）处理的基板（3）的表面 首先以液滴的形式处理液体。 例如，使用添加有二氧化碳的纯水作为第一处理液，使用SC-1液作为第二处理液。

    기판 처리 장치 및 노즐 세정 방법
    9.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 노즐 세정 방법 审中-实审
    基板加工设备和喷嘴清洁方法

    公开(公告)号：KR1020140141514A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：KR1020140065736

    申请日：2014-05-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가이요시히로 ,  이케다요시노리 ,  시노하라가즈요시 ,  오다데츠야 ,  다나카사토루 ,  요시다유키 ,  아이바라메이토쿠

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

    CPC classification number: B05B15/555 ,  C03C23/0075 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

    Abstract: 본 발명은 세정 성능을 향상시키고 아울러 소형화를 도모하는 것을 특징으로 한다.
    실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 토출하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 제1 노즐과 제2 노즐을 이동시키는 이동 기구와, 적어도 제2 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치를 구비한다. 노즐 세정 장치는, 세정조와, 오버플로조를 구비한다. 세정조는, 적어도 제2 노즐을 세정하기 위한 세정액을 저류하는 저류부와, 정해진 수위를 초과한 세정액을 저류부로부터 배출하는 오버플로부를 구비한다. 오버플로조는, 세정조에 인접하여 배치되고, 오버플로부로부터 배출되는 세정액을 받아 외부에 배출한다.

    Abstract translation: 本发明是为了提高清洗性能，确保小型化。 根据实施例的基板处理装置包括：第一喷嘴，将基板处理液喷射的第二喷嘴，使第一喷嘴和第二喷嘴移动的移动单元;以及喷嘴清洗装置，其至少清洗第二喷嘴 。 喷嘴清洁装置包括清洗槽和溢流槽。 清洗槽包括存储部分，其存储用于清洁至少第二喷嘴的清洁溶液和从存储部分排出在预定水位上流动的清洁溶液的溢流部分。 溢流槽与清洗槽相邻，将从溢流器排出的清洗液排出到外部。

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