公开(公告)号：KR1020140000158A

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020130070236

申请日：2013-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  이토노리히로 ,  하치야요스케 ,  노가미준 ,  오오이시고타로 ,  간노이타루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: The purpose of the present invention is to smoothly remove a target layer without damaging a lower layer of the substrate. The substrate processing device (1) removes the target layer by supplying a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide on a substrate (3) in which the target layer is formed on the surface of the lower layer. The substrate processing device (1) includes a substrate processing chamber (16) for processing the substrate (3), a substrate maintaining member (12) installed at the substrate processing chamber (16) and formed to maintain the substrate (3), a mixture supply member (13) for supplying the mixture of the sulfuric acid and hydrogen peroxide on the substrate maintained by the substrate maintaining member (12) at temperatures and a mixing ratio of the hydrogen peroxide which does not damage the lower layer, and an OH group supply member (14) for supplying fluid containing of an OH group on the substrate (3). The OH group supply member (14) supplies the fluid containing of the OH group which does not damage the lower layer when the mixture and the OH group are mixed in the substrate (3).

Abstract translation: 本发明的目的是平滑地去除目标层而不损坏基底的下层。 基板处理装置（1）通过在下层的表面上形成有目标层的基板（3）上供给硫酸和过氧化氢的混合物来除去目标层。 基板处理装置（1）包括用于处理基板（3）的基板处理室（16），安装在基板处理室（16）上并形成为保持基板（3）的基板保持部件 混合物供应构件（13），用于在不损坏下层的过氧化氢的温度和混合比例下将硫酸和过氧化氢的混合物供给到由基板保持构件（12）保持的基板上，以及OH 用于在衬底（3）上提供含有OH基团的流体的组供应构件（14）。 当混合物和OH基团混合在基材（3）中时，OH基团供给部件（14）供给含有不损坏下层的OH基团的流体。

公开(公告)号：KR100760893B1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：KR1020067005750

申请日：2005-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간노이타루 ,  히로타유사쿠 ,  세키구치겐지 ,  나가야스히로시 ,  시모세쇼우이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B01F3/04049 ,  B05B7/0433 ,  B08B3/02 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 가스와 액체를 내부에서 혼합하고, 액적을 가스와 함께 분사하여 기판을 세정하는 기판 세정용 2 유체 노즐에서, 액적의 입자 지름과 속도를 균일화시키는 것을 목적으로 한다.
기판 세정용 2 유체 노즐에서, 가스를 공급하는 가스 공급로와, 액체를 공급하는 액체 공급로와, 내부에서 형성한 액적을 도출하는 도출로를 구비하고, 상기 도출로의 선단에 액적을 외부에 분사하기 위한 분사구를 형성하며, 상기 분사구의 단면적(Sb)을 상기 도출로의 단면적(Sa)보다 작게 형성하면서, 상기 가스 공급로의 출구의 단면적(Sc)을 상기 도출로의 단면적(Sa)보다 작게 형성하였다.

公开(公告)号：KR101828103B1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：KR1020130070236

申请日：2013-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  이토노리히로 ,  하치야요스케 ,  노가미준 ,  오오이시고타로 ,  간노이타루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은, 기판의하지층에손상을주지않고, 제거대상층을양호하게제거하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 하지층의표면에제거대상층을형성한기판(3)에황산과과산화수소수의혼합액을공급하여제거대상층을제거하는기판처리장치(1)에있어서, 기판(3)을처리하기위한기판처리실(16)과, 기판처리실(16)에설치되며, 기판(3)을유지하기위한기판유지수단(12)과, 기판유지수단(12)으로유지된기판에황산과과산화수소수의혼합액을하지층에손상을주지않는온도및 과산화수소수의혼합비로공급하는혼합액공급수단(13)과, 기판(3)에 OH기를포함하는유체를공급하는 OH기공급수단(14)을가지며, OH기공급수단(14)은, 혼합액과 OH기가기판(3) 상에서혼합되었을때에하지층에손상을주지않는양의 OH기를포함하는유체를공급하는것으로하였다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是令人满意地去除去除目标层而不损坏基板的基层。 衬底就目前来说，为在基板3上去除移除目标层通过供给混合液的硫酸和过氧化氢数目的本发明，以形成层的表面上的移除目标层的基板处理装置1，处理的基片（3）的 衬底保持装置12，其设置在衬底处理室16中，用于在由衬底保持装置12保持的衬底上保持衬底3以及硫酸和过氧化氢水溶液的混合液体; 用于将含有OH基的流体供给基板3的OH基供给装置14. OH基供给装置14向OH基供给装置14供给OH基供给装置14， 当混合液和OH基混合在基板（3）上时，提供含有不损伤底层的含OH基的流体。

公开(公告)号：KR1020160095638A

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：KR1020160012878

申请日：2016-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간노이타루

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 처리액에의한기판처리중의처리액농도를정확하게검출할수 있는기술을제공한다. 기판유지부(31)에수평으로유지된기판(W)에대하여처리액이공급되는기판처리장치(1)에있어서, 처리액통류부(53)는, 기판(W)과, 이기판(W)의주위에마련된회수컵(50) 사이에마련되며, 처리액이흐르는통류면을구비한다. 농도검출부(604)는, 투광부(61)로부터상기통류면에농도검출용의광을조사하고, 그반사광을수광부(62)에서수광한결과에기초하여, 상기처리액의농도를검출한다.

Abstract translation: 提供了一种用于在处理液体处理基板期间精确地检测处理液的浓度的技术。 在基板处理装置（1）中，处理液被供给到由基板保持单元（31）水平保持的基板（W），处理液通过部（53）包括设置在基板 W）和围绕衬底（W）的回收杯（50），使得处理液体在通过表面上流动。 用于浓度检测的光从光投射单元（61）投射到通过面，浓度检测单元（604）基于通过光接收来接收光的反射光的结果来检测处理液的浓度 单位（62）。

公开(公告)号：KR1020160024769A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020150116601

申请日：2015-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노나카준 ,  간노이타루

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: pH가 5∼9의범위내의미리정해진값인처리액을생성하고, 처리액을이용하여금속이노출된기판을처리한다. 기판액 처리방법은, 순수와, 이산화탄소와, 암모니아를포함하는 pH가 5∼9의범위내의미리정해진값인처리액을생성하는처리액생성공정과, 이생성된처리액을이용하여기판을처리하는액 처리공정을구비한다.

Abstract translation: 产生具有5至9范围内的预定pH的处理液体，并且通过使用处理液处理暴露金属的基板。 基板液体处理方法包括：处理液生成工序，其生成包含纯水，二氧化碳和氨的处理液，其规定pH在5〜9的范围内; 以及通过使用所生成的处理液处理基板的液体处理工艺。

公开(公告)号：KR1020060087580A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：KR1020067005750

申请日：2005-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간노이타루 ,  히로타유사쿠 ,  세키구치겐지 ,  나가야스히로시 ,  시모세쇼우이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B01F3/04049 ,  B05B7/0433 ,  B08B3/02 ,  Y10S134/902

Abstract: A two-fluid nozzle for cleaning substrate adapted to mix gas and liquid in the interior and spout the liquid drops together with the gas so as to clean substrates. It is intended, in this nozzle, to make uniform the particle sizes of the liquid strops and the speed. A two-fluid nozzle for cleaning substrate comprises a gas supply passage for supplying gas, a liquid supply passage for supplying liquid, and a lead-out passage for leading out the liquid drops formed in the interior, wherein the front end of the lead-out passage is formed with a spout port for spouting the liquid drops outside, the cross-sectional area (Sb) of the spout port is made smaller than that (Sa) of the lead-out passage, and the cross-sectional area (Sc) of the exit of the gas supply passage is made smaller than that (Sa) of the lead-out passage.

Abstract translation: 一种用于清洁衬底的双流体喷嘴，其适于在内部混合气体和液体，并与气体一起喷出液滴，以便清洁衬底。 在该喷嘴中，旨在使液体静止物的粒度和速度均匀。 用于清洁衬底的双流体喷嘴包括用于供应气体的气体供应通道，用于供应液体的液体供应通道和用于引出形成在内部中的液滴的引出通道，其中， 出口通道形成有用于将液滴喷射到外部的喷口，喷口的横截面积（Sb）小于引出通道的（Sa），横截面积（Sc ）使得气体供给通道的出口小于引出通道的（Sa）。