公开(公告)号：KR1020100121418A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020100040860

申请日：2010-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토 ,  누노시게유

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

Abstract: PURPOSE: A film depositing method and a plasma film apparatus are provided to exhale the air inside the treatment container to be vacuum from periphery by including a pressure control valve and a vacuum pump. CONSTITUTION: A bottom part(24) of the treatment basin(22) is formed with an exhaust pipe(26) for discharging the air within the container. The exhaust pipe is connected with a vacuum exhausting system(28). The vacuum exhausting system comprises a ventilating passage(29) connected to the exhaust pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜沉积方法和等离子体薄膜装置，用于通过包括压力控制阀和真空泵从周围喷出处理容器内的空气以使其成为真空。 构成：处理池（22）的底部（24）形成有用于排出容器内的空气的排气管（26）。 排气管与真空排气系统（28）连接。 真空排气系统包括连接到排气管的通风通道（29）。

公开(公告)号：KR102065243B1

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：KR1020180044278

申请日：2018-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시자와히로아키 ,  후지이야스시 ,  다카하시츠요시 ,  홍석형 ,  야마자키가즈요시 ,  나카무라히데오 ,  누노시게유 ,  가미오다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

公开(公告)号：KR101217393B1

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020100040860

申请日：2010-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토 ,  누노시게유

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 본발명은피처리체의표면에형성되어있는오목부의내경이나폭이작아도, 박막의성막시의스텝커버리지를향상시키는것이가능한성막방법을제공하는것을과제로한다. 진공배기가가능하게이루어진처리용기(22) 내에오목부(6)를갖는절연층(4)이표면에형성된피처리체(W)를수용하고, 처리용기내에티탄을함유하는원료가스와환원가스를공급하여플라즈마 CVD법에의해가스를반응시켜피처리체에대하여티탄을함유하는박막을형성하는성막방법에있어서, 반응이원료가스의반응율속의반응상태가되도록원료가스와환원가스의각 유량을설정하도록구성한다. 이것에의해, 피처리체의표면에형성되어있는오목부의내경이나폭이작아지거나, 오목부의애스펙트비가커져도, 박막의성막시의스텝커버리지를향상시키는것이가능해진다.