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公开(公告)号：KR1020060135678A
公开(公告)日：2006-12-29
申请号：KR1020067012645
申请日：2005-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L21/67098 , H01L2924/00
Abstract: A method and system for trimming a feature on a substrate is described. During a chemical treatment of the substrate, the substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. An inert gas is also introduced, and the flow rate of the inert gas is selected in order to affect a target trim amount during the trimming of the feature.
Abstract translation: 描述了用于修整衬底上的特征的方法和系统。 在基板的化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基板暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流量以便在修整特征期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：KR101054558B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020030047603
申请日：2003-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이 , 이와타마나부 , 고시미즈치시오 , 히구치후미히코 , 시미즈아키타카 , 야마시타아사오 , 이와마노부히로 , 히가시우라츠토무 , 장동셍 , 나카야미치코 , 무라카미노리카즈
IPC: H01L21/02
Abstract: 플라즈마를 이용하여 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치는, 처리실 내에 서로 대향하도록 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극 사이에 처리 가스를 여기하여 플라즈마화 하는 RF 전계가 형성된다. 제 1 또는 제 2 전극에 매칭 회로를 거쳐서 RF 전력을 공급하는 RF 전원이 접속된다. 매칭 회로는, RF 전력에 대한 입력 임피던스의 매칭을 자동적으로 행한다. 플라즈마와 전기적으로 결합하는 소정 부재에 배선을 거쳐서 가변 임피던스 설정부가 접속된다. 임피던스 설정부는, 플라즈마로부터 소정 부재로 입력되는 RF 성분에 대한 임피던스인 역방향 임피던스를 설정한다. 임피던스 설정부에 대하여 역방향 임피던스의 설정값에 관한 제어 신호를 공급하기 위해서, 제어부가 배치된다.
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公开(公告)号：KR1019920021737A
公开(公告)日：1992-12-18
申请号：KR1019920008545
申请日：1992-05-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23F1/12
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR101200132B1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：KR1020067012645
申请日：2005-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 기판상의 피쳐(feature)를 트리밍(trimming)하기 위한 방법 및 시스템이 개시되어 있다. 기판의 화학 처리 중에, 표면 온도와 가스 압력을 포함하는 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기상 화학물에 기판을 노출시킨다. 또한, 불활성 가스를 주입하고, 피쳐의 트리밍 동안 타깃 트림량에 영향을 주도록 불활성 가스의 유량을 선택한다.-
公开(公告)号：KR1020040007351A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020030047603
申请日：2003-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이 , 이와타마나부 , 고시미즈치시오 , 히구치후미히코 , 시미즈아키타카 , 야마시타아사오 , 이와마노부히로 , 히가시우라츠토무 , 장동셍 , 나카야미치코 , 무라카미노리카즈
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a method for correcting a variable impedance device are provided to perform a plasma process on a target substrate by using plasma in a semiconductor processing system. CONSTITUTION: An airtight process chamber(4) is used for accommodating a target substrate. A gas supply system supplies a process gas into the process chamber. An exhaust system exhausts an interior of the process chamber and sets the interior of the process chamber to a vacuum state. A first and a second electrode(6,18) are arranged in the process chamber to oppose each other. An RF field for turning the process gas into plasma by excitation is formed between the first and second electrodes. An RF power supply(14,28) is connected to the first or second electrode through a matching circuit and which supplies RF power. The matching circuit serves to automatically perform input impedance matching relative to the RF power. An impedance setting section(30) is connected, through an interconnection, to a predetermined member to be electrically coupled with the plasma in the plasma process, and which sets a backward-direction impedance as an impedance against an RF component input from the plasma to the predetermined member. The impedance setting section is capable of changing a value of the backward-direction impedance. A controller(32) is used for supplying a control signal concerning a preset value of the backward-direction impedance to the impedance setting section.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和校正可变阻抗装置的方法，以通过在半导体处理系统中使用等离子体来在目标基板上执行等离子体处理。 构成：密封处理室（4）用于容纳目标衬底。 气体供应系统将处理气体供应到处理室中。 排气系统排出处理室的内部并将处理室的内部设置为真空状态。 第一和第二电极（6,18）布置在处理室中以彼此相对。 在第一和第二电极之间形成用于通过激发将工艺气体转化成等离子体的RF场。 RF电源（14,28）通过匹配电路连接到第一或第二电极，并提供RF功率。 匹配电路用于自动执行相对于RF功率的输入阻抗匹配。 阻抗设定部（30）通过互连连接到等离子体处理中与等离子体电耦合的预定部件，并且将反向阻抗设定为针对从等离子体输入的RF分量的阻抗， 预定成员。 阻抗设定部能够改变反向阻抗的值。 控制器（32）用于向阻抗设定部分提供关于反向阻抗的预设值的控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100175073B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019920004453
申请日：1992-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: SiO
2 막 위에 폴리 실리콘층이 형성된 반도체 웨이퍼의 폴리 실리콘층을 플라즈마 에칭할 때에 , 할로겐 원소 함유 가스에 산소 또는 질소를 함유하는 가스를 첨가한 처리 가스의 플라즈마를 생성시켜, 폴리 실리콘층의 소정 부분을 선택적으로 플라즈마중에 드러내어 에칭한다.-
公开(公告)号：KR100593826B1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020037013572
申请日：2002-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
Abstract: 에칭 가스로서 Cl
2 +O
2 의 가스를 사용하고, 플라즈마 에칭에 의해서 텅스텐 실리사이드층(104)을 에칭한다. 텅스텐 실리사이드층(104)의 에칭이 거의 종료한 시점에서 에칭 가스를 Cl
2 +O
2 +NF
3 로 변경하고, 플라즈마 에칭에 의한 오버에칭을 하고, 텅스텐 실리사이드층(104)의 하측에 형성된 폴리실리콘층(103)을 약간 균일하게 에칭한 상태로 에칭 공정을 종료한다. 이것에 의해서 종래에 비교하여 폴리실리콘층(103)의 잔막량을 균일화할 수 있고, 양질인 반도체 장치를 안정적으로 제조할 수 있다.
에칭, 드라이 에칭, 에칭 가스.Abstract translation: 作为蚀刻气体，Cl
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公开(公告)号：KR1020040035596A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020037013572
申请日：2002-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
Abstract: 에칭 가스로서 Cl
2 +O
2 의 가스를 사용하고, 플라즈마 에칭에 의해서 텅스텐 실리사이드층(104)을 에칭한다. 텅스텐 실리사이드층(104)의 에칭이 거의 종료한 시점에서 에칭 가스를 Cl
2 +O
2 +NF
3 로 변경하고, 플라즈마 에칭에 의한 오버에칭을 하고, 텅스텐 실리사이드층(104)의 하측에 형성된 폴리실리콘층(103)을 약간 균일하게 에칭한 상태로 에칭 공정을 종료한다. 이것에 의해서 종래에 비교하여 폴리실리콘층(103)의 잔막량을 균일화할 수 있고, 양질인 반도체 장치를 안정적으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100188455B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019920008545
申请日：1992-05-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23F1/12
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 본 발명은, 예를들면 반도체웨이퍼, 특히 폴리실리콘에 대하여 양호한 이방성 에칭을 행하기 위한 드라이 에칭방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 진공 챔버 내에 Br을 포함하는 제1가스와, Br 이외의 할로겐을 포함하는 제2가스, 예를들면 HBr가스 및 HCl가스로 이루어지는 혼합가스를 도입하며, 상부 고주파인가에 의해 전극(5,6) 사이에서 혼합가스를 플라즈마화함과 동시에, 필요에 따라서 자외선램프에 의해 자외선을 조사하고, 이에 의해 반도체웨이퍼에 대하여 에칭을 행한다. 피처리체인 반도체웨이퍼의 표면온도를 70~120℃의 범위를 유지하면서 혼합가스의 유량비를 제어하는 등, 최적조건에서 에칭을 행하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019920018858A
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019920004453
申请日：1992-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 내용 없음
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