公开(公告)号：KR100886273B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种良好的等离子体处理以获得等离子体装置，并与假设除了高频电源施加直流电压的电容耦合型的等离子体处理装置的等离子体处理方法。

公开(公告)号：KR1020060105675A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.