公开(公告)号：KR1020110028250A

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：KR1020107022042

申请日：2009-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시겐이치 ,  나카야마요우이치 ,  가이고조 ,  시라사카겐지

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 기판 배치대의 강온 방법은, 제1 기판 배치대(2b)와, 제1 기판 배치대(2b)가 내부에 설치되고, 제1 기판 배치대(2b)에 기판(W)을 배치한 상태에서 미리 정해진 처리를 수행하는 하나 이상의 처리실(1b)과, 처리실(1b)에 기판(W)을 반송하는 기판 반송 장치(31)와, 기판 반송 장치(31)가 내부에 설치된 반송실과, 기판(W)을 냉각하기 위한 제2 기판 배치대(6a)를 갖는 기판(W) 처리 시스템을 이용한다. 기판 배치대의 강온 방법은, 기판 반송 장치(31)에 의해, 제1 기판 배치대(2b)에 배치된 기판(W)을 제2 기판 배치대(6a)에 반송하는 제1 이송 공정과, 기판 반송 장치(31)에 의해, 제2 기판 배치대(6a)에 배치된 기판(W)을 제1 기판 배치대(2b)에 반송하는 제2 이송 공정을 포함한다. 제1 이송 공정과 제2 이송 공정을 반복함으로써, 제1 기판 배치대(2b)에 배치된 기판(W)에 의해 제1 기판 배치대(2b)의 열을 흡열함으로써, 제1 기판 배치대(2b)를 강온시킨다.

公开(公告)号：KR101227809B1

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：KR1020107022042

申请日：2009-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시겐이치 ,  나카야마요우이치 ,  가이고조 ,  시라사카겐지

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 기판 배치대의 강온 방법은, 제1 기판 배치대(2b)와, 제1 기판 배치대(2b)가 내부에 설치되고, 제1 기판 배치대(2b)에 기판(W)을 배치한 상태에서 미리 정해진 처리를 수행하는 하나 이상의 처리실(1b)과, 처리실(1b)에 기판(W)을 반송하는 기판 반송 장치(31)와, 기판 반송 장치(31)가 내부에 설치된 반송실과, 기판(W)을 냉각하기 위한 제2 기판 배치대(6a)를 갖는 기판(W) 처리 시스템을 이용한다. 기판 배치대의 강온 방법은, 기판 반송 장치(31)에 의해, 제1 기판 배치대(2b)에 배치된 기판(W)을 제2 기판 배치대(6a)에 반송하는 제1 이송 공정과, 기판 반송 장치(31)에 의해, 제2 기판 배치대(6a)에 배치된 기판(W)을 제1 기판 배치대(2b)에 반송하는 제2 이송 공정을 포함한다. 제1 이송 공정과 제2 이송 공정을 반복함으로써, 제1 기판 배치대(2b)에 배치된 기판(W)에 의해 제1 기판 배치대(2b)의 열을 흡열함으로써, 제1 기판 배치대(2b)를 강온시킨다.

公开(公告)号：KR100886273B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种良好的等离子体处理以获得等离子体装置，并与假设除了高频电源施加直流电压的电容耦合型的等离子体处理装置的等离子体处理方法。

公开(公告)号：KR100845990B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：KR1020060028343

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마요우이치 ,  모리사와다이스케

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67276

Abstract: 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버와, 기판을 복수의 프로세스 챔버로 또는 복수의 프로세스 챔버로부터 반입/반출하는 반송부를 포함하는 기판 처리 장치는, 반송 이력 기록부와, 프로세스 이력 기록부와, 알람 이력 기록부를 포함한다. 반송 이력 기록부는 반송부에 의한 기판의 반송에 관한 이력 정보를 각각의 기판에 관련지어, 기판의 반송에 관한 이력 정보를 제 1 이력 정보로서 기록한다. 프로세스 이력 기록부는 각각의 복수의 프로세스 챔버에서 기판의 프로세스 상태에 관한 이력 정보를 처리될 각각의 기판에 관련지어, 프로세스 상태에 관한 이력 정보를 제 2 이력 정보로서 기록한다. 알람 이력 기록부는 반송부와 프로세스 챔버 중 적어도 하나에서 발생되는 알람에 관한 이력 정보를 각각의 기판에 관련지어, 알람에 관한 이력 정보를 제 3 이력 정보로서 기록한다.

公开(公告)号：KR1020060105518A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060028343

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마요우이치 ,  모리사와다이스케

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67276

Abstract: 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버와, 기판을 복수의 프로세스 챔버로 또는 복수의 프로세스 챔버로부터 반입/반출하는 반송부를 포함하는 기판 처리 장치는, 반송 이력 기록부와, 프로세스 이력 기록부와, 알람 이력 기록부를 포함한다. 반송 이력 기록부는 반송부에 의한 기판의 반송에 관한 이력 정보를 각각의 기판에 관련지어, 기판의 반송에 관한 이력 정보를 제 1 이력 정보로서 기록한다. 프로세스 이력 기록부는 각각의 복수의 프로세스 챔버에서 기판의 프로세스 상태에 관한 이력 정보를 처리될 각각의 기판에 관련지어, 프로세스 상태에 관한 이력 정보를 제 2 이력 정보로서 기록한다. 알람 이력 기록부는 반송부와 프로세스 챔버 중 적어도 하나에서 발생되는 알람에 관한 이력 정보를 각각의 기판에 관련지어, 알람에 관한 이력 정보를 제 3 이력 정보로서 기록한다.

公开(公告)号：KR101197183B1

公开(公告)日：2012-11-02

申请号：KR1020107016218

申请日：2008-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시켄이치 ,  나카야마요우이치 ,  시키케이이치로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B19/4148 ,  G05B2219/31418 ,  G05B2219/34306 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67276 ,  Y02P70/163 ,  Y02P70/605

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대하여 소정의 처리를 행하는 처리 시스템으로서, 피처리체를 처리하는 하나 이상의 처리 장치와, 상기 처리 장치를 제어하는 콘트롤러를 구비하고, 상기 콘트롤러는 상기 콘트롤러의 전원이 차단될 때에 상기 처리 장치를 구성하는 복수의 엔드 디바이스를 모두 정지시킨 정지 상태와, 상기 복수의 엔드 디바이스의 일부 또는 전부에서 피처리체에 대한 처리를 행할 준비가 이루어진 대기 상태 중 어느 하나의 상태로 선택적으로 제어할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 시스템이다.

公开(公告)号：KR1020100109931A

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020107016218

申请日：2008-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시켄이치 ,  나카야마요우이치 ,  시키케이이치로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B19/4148 ,  G05B2219/31418 ,  G05B2219/34306 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67276 ,  Y02P70/163 ,  Y02P70/605

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대하여 소정의 처리를 행하는 처리 시스템으로서, 피처리체를 처리하는 하나 이상의 처리 장치와, 상기 처리 장치를 제어하는 콘트롤러를 구비하고, 상기 콘트롤러는 상기 콘트롤러의 전원이 차단될 때에 상기 처리 장치를 구성하는 복수의 엔드 디바이스를 모두 정지시킨 정지 상태와, 상기 복수의 엔드 디바이스의 일부 또는 전부에서 피처리체에 대한 처리를 행할 준비가 이루어진 대기 상태 중 어느 하나의 상태로 선택적으로 제어할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 시스템이다.

公开(公告)号：KR1020060105675A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.