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公开(公告)号：KR100886273B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020060029766
申请日：2006-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种良好的等离子体处理以获得等离子体装置，并与假设除了高频电源施加直流电压的电容耦合型的等离子体处理装置的等离子体处理方法。
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公开(公告)号：KR1020060105675A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020060029766
申请日：2006-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.-
公开(公告)号：KR1020160078901A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020150183716
申请日：2015-12-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32009 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L21/67276 , H01L21/67742
Abstract: [과제] 위치검출기에대한기판의반송을억제하여, 처리량의향상을도모한다. [해결수단] 기판을처리하는프로세스모듈과, 기판의위치를검출하는위치검출기와, 동일한프로세스모듈내에서처리되는기판중에서, 설정된프로세스모듈의측정간격에따라서선택된기판의위치를측정하도록상기위치검출기를제어하는제어부를갖는기판처리장치가제공된다.
Abstract translation: 本发明是为了抑制位置检测器上的基板转印，促进了生产量的增加。 提供了一种基板处理装置，其包括用于处理基板的处理模块; 用于检测所述基板的位置的位置检测器; 以及控制单元，用于根据在相同处理模块内处理的基板之间的设定处理模块的测量距离来控制位置检测器来测量所选择的基板的位置。
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