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公开(公告)号：KR1020060097672A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020060022476
申请日：2006-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블Abstract translation: 本发明的用于半导体加工的成膜设备包括用于将处理气体供应到处理区域中的处理气体供应系统。 工艺气体供应系统包括：气体混合罐，用于混合第一和第三处理气体以形成混合气体;混合气体供应管线，用于将混合气体从混合气罐供应到处理区域; 第二处理气体供应系统，具有用于向处理区域供应第二处理气体的第二处理气体供应管路，以及分别设置在混合气体供应管路和第二处理气体供应管路中的第一开关阀和第二开关阀 的。 控制单元控制第一打开阀和第二打开阀的打开和关闭，以便以脉冲方式交替地将混合气体和第二处理气体供给到处理区域。
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公开(公告)号：KR100890684B1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：KR1020050068174
申请日：2005-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/507
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 도핑 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 불순물을 함유하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물의 막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정은 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구-
公开(公告)号：KR1020070016071A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020060072425
申请日：2006-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/02274 , H01L21/67017 , H01L21/67098 , H01L21/683
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101010072B1
公开(公告)日：2011-01-24
申请号：KR1020050052786
申请日：2005-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45523 , Y10T117/1024
Abstract: 반도체 처리용의 성막 장치는, 피처리 기판 상에 박막을 퇴적하기 위한 원료 가스를 처리 용기 내에 공급하는 원료 가스 공급계와, 박막 중에 불순물을 도입하기 위한 도핑 가스와 도핑 가스를 희석하기 위한 희석 가스와의 혼합 가스를 처리 용기 내에 공급하는 혼합 가스 공급계를 포함한다. 혼합 가스 공급계는 도핑 가스 및 희석 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하기 위해 처리 용기 외에 배치된 가스 혼합 탱크와, 상기 혼합 탱크로부터 처리 용기 내에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크에 도핑 가스를 공급하는 도핑 가스 공급계와, 가스 혼합 탱크에 희석 가스를 공급하는 희석 가스 공급계를 포함한다.
배기 노즐, 처리 용기, 성막 장치, 압력 제어 밸브, 진공 펌프, 배기계-
公开(公告)号：KR1020060048790A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050068174
申请日：2005-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/507
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 도핑 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 불순물을 함유하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물의 막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정은 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구-
公开(公告)号：KR100980126B1
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020060072425
申请日：2006-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구-
公开(公告)号：KR100967238B1
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：KR1020060022476
申请日：2006-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블-
公开(公告)号：KR1020060048435A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050052786
申请日：2005-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45523 , Y10T117/1024
Abstract: 반도체 처리용의 성막 장치는, 피처리 기판 상에 박막을 퇴적하기 위한 원료 가스를 처리 용기 내에 공급하는 원료 가스 공급계와, 박막 중에 불순물을 도입하기 위한 도핑 가스와 도핑 가스를 희석하기 위한 희석 가스와의 혼합 가스를 처리 용기 내에 공급하는 혼합 가스 공급계를 포함한다. 혼합 가스 공급계는 도핑 가스 및 희석 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하기 위해 처리 용기 외에 배치된 가스 혼합 탱크와, 상기 혼합 탱크로부터 처리 용기 내에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크에 도핑 가스를 공급하는 도핑 가스 공급계와, 가스 혼합 탱크에 희석 가스를 공급하는 희석 가스 공급계를 포함한다.
배기 노즐, 처리 용기, 성막 장치, 압력 제어 밸브, 진공 펌프, 배기계
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