公开(公告)号：KR1020070016071A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/683

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR101161911B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：KR1020080084805

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이

IPC: H01L21/3065

Abstract: 복수매의 피처리체에 대하여 함께 플라즈마 처리를 실시하는 종형 플라즈마 처리 장치는 처리 가스를 플라즈마화하는 활성화 기구를 구비한다. 활성화 기구는 처리 영역에 대응하여 처리 용기에 설치되고 또한 처리 영역에 기밀하게 연통되는 플라즈마 생성 영역을 형성하는 세로로 긴 플라즈마 생성 박스와, 플라즈마 생성 박스에 배치된 ICP 전극과, 전극에 접속된 고주파 전원을 구비한다.
피처리체, 전극, 플라즈마 생성 박스, 플라즈마 생성 영역, 고주파 전원

Abstract translation: 用于对多个待处理物体执行等离子体处理的垂直型等离子体处理设备包括用于将处理气体转换为等离子体的激活机构。 致动机构具有较高的频率连接到ICP电极，和配置在该长等离子体生成盒和等离子体产生箱垂直的电极，以形成等离子体生成其中安装也气密地与所述处理区连通在处理容器对应于该处理区域的区域 电源。

公开(公告)号：KR1020070100125A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020070033092

申请日：2007-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이 ,  오리또고오이찌 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574

Abstract: A vertical plasma processing apparatus and a method for a semiconductor process are provided to improve the planar uniformity and/or inter-substrate uniformity of a plasma process on a wafer. A vertical plasma processing apparatus for a semiconductor process includes a film forming apparatus(2). The film formation apparatus(2) has a process field configured to be selectively supplied with a first process gas containing DCS(dichlorosilane) gas as a silane family gas, a second process gas containing ammonia(NH3) gas as a nitriding gas, and a purge gas comprising an inactive gas, such as N2 gas. The film formation apparatus is configured to form a silicon nitride film on target substrates by CVD in the process field.

Abstract translation: 提供了一种垂直等离子体处理装置和半导体工艺的方法，以改善晶片上的等离子体处理的平面均匀性和/或基板间均匀性。 用于半导体工艺的垂直等离子体处理装置包括成膜装置（2）。 成膜装置（2）具有被配置为选择性地供给含有作为硅烷族气体的DCS（二氯硅烷）气体的第一处理气体的处理场，含有作为氮化气体的氨（NH 3）气体的第二处理气体， 包括惰性气体（例如N 2气体）的净化气体。 成膜装置被配置为通过CVD在目标基板上形成氮化硅膜。

公开(公告)号：KR101122964B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020070033092

申请日：2007-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이 ,  오리또고오이찌 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574

Abstract: 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치는 간격을 두고 적층된 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역과, 처리 영역으로부터 벗어난 마진 공간을 갖는 처리 용기를 포함한다. 피처리 기판을 처리할 때, 처리 가스 공급계로부터의 처리 영역에 대한 처리 가스의 공급과, 블럭 가스 공급계로부터의 마진 공간에 대한 블럭 가스의 공급을 동시에 행함으로써 마진 공간으로의 처리 가스의 유입을 억제한다.
플라즈마 처리 장치, 처리 가스 공급계, 블럭 가스, 매니폴드, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR100980126B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR1020090023251A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020080084805

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67712 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32458

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to prevent the generation of particle and to improve the electron density by using the activating device for plasma. The vertical plasma processing apparatus performs the plasma processing about the processed article of the plural sheets. The vertical plasma processing apparatus comprises the activating device(60) for making the process gas plasma. The activating device is installed in the treatment vessel(14) corresponding to the process area. The activating device comprises the plasma-generating box(64), and the ICP electrode(66) and radio frequency power. The plasma-generating box forms the generation region of plasma in the process area. The ICP electrode is arranged in the plasma-generating box.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，以通过使用等离子体激活装置来防止颗粒的产生和提高电子密度。 垂直等离子体处理装置对多个片材的处理物进行等离子体处理。 垂直等离子体处理装置包括用于制造处理气体等离子体的激活装置（60）。 激活装置安装在对应于处理区域的处理容器（14）中。 激活装置包括等离子体产生箱（64）和ICP电极（66）和射频功率。 等离子体发生箱在过程区域中形成等离子体的产生区域。 ICP电极布置在等离子体发生箱中。