公开(公告)号：KR100939125B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐 함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR101270875B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020110098798

申请日：2011-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사키요시노리 ,  다카하시데츠로 ,  마에카와고지

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336

Abstract: [과제] 플라즈마 질화 처리에 의해 형성한 산화질화규소막으로부터의 N 이탈에 의한 막 중 질소 농도의 저하를 억제하여, 피처리체 간·로트 간의 질소 농도의 편차를 최소한으로 한다.
[해결수단] 절연막의 개질 방법은, 피처리체의 표면에 노출된 산화규소막을 플라즈마 질화 처리하여 산화질화규소막을 형성하는 질화 처리 공정과, 상기 산화질화규소막의 표면을 산화 처리하는 개질 공정을 행하고, 질화 처리 공정의 종료로부터 상기 개질 공정의 개시까지의 동안, 진공 분위기를 유지한다. 또한, 플라즈마 질화 처리는, 질화 처리 공정 직후의 산화질화규소막의 막 중 질소 농도를 N
C0 라고 하고, 개질 공정 후의 산화질화규소막의 막 중 질소 농도의 목표값을 N
CT 라고 했을 때, N
C0 >N
CT 가 되도록 행한다.

公开(公告)号：KR101389247B1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130023220A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090097219A

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。

公开(公告)号：KR1020120112234A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033251

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사키요시노리 ,  구로다다케시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/4983 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: PURPOSE: A plasma-nitriding method is provided to form a silicon nitride layer with improved compactness by reforming the silicon nitride layer at a temperature below film growth temperature with nitrogen-containing plasma. CONSTITUTION: A processing container has an opening on the top thereof. A loading table(2) loads a processed object(W) having a silicon nitride layer within the processing container. A heating means(5) heats the processed object. A microwave transmissive plate(28) simultaneously transmits microwaves and blocking an opening of the processing container. A gas introduction portion(15) introduces process gas within the processing container. An exhaust unit(24) exhausts the inside of the processing container. [Reference numerals] (19a) Inert gas supply source; (19b) Gas supply source containing nitrogen; (24) Exhaust device; (38) Microwave generation device; (39) Matching circuit; (50) Control unit; (5a) Heater power supply; (6) Thermoelement

Abstract translation: 目的：提供等离子体氮化方法以通过在含氮等离子体的低于膜生长温度的温度下重整氮化硅层来形成具有改善的紧密度的氮化硅层。 构成：处理容器在其顶部具有开口。 装载台（2）在处理容器内装载具有氮化硅层的加工对象（W）。 加热装置（5）加热被处理物体。 微波透射板（28）同时传输微波并阻挡处理容器的开口。 气体导入部（15）将处理气体引入处理容器内。 排气单元（24）排出处理容器的内部。 （附图标记）（19a）惰性气体供给源; （19b）含氮气体供应源; （24）排气装置; （38）微波发生装置; （39）匹配电路; （50）控制单元; （5a）加热器电源; （6）热元件

公开(公告)号：KR101005953B1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화 처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1020070072909A

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。

公开(公告)号：KR101364834B1

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：KR1020120033251

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사키요시노리 ,  구로다다케시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/4983 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 저온 ALD법으로 형성된 질화 규소막의 에칭 내성을 향상시킨다. 플라즈마 질화 처리 방법은 상부에 개구를 갖는 처리용기(1)와, 웨이퍼 W를 탑재하는 탑재대(2)와, 처리용기(1)의 개구를 막는 동시에 마이크로파를 투과시키는 마이크로파 투과판(28)과, 처리용기(1)내에 마이크로파를 도입하기 위한 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나(31)를 구비한 플라즈마 처리 장치(100)를 이용한다. 처리용기(1)내에, 질소함유 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼 Ｗ상의 질화 규소막을 플라즈마 질화 처리한다. 질화 규소막은 ALD법에 의해 400℃ 이하의 성막온도에서 성막된 질화 규소막이며, 플라즈마 질화 처리는 ALD법에 있어서의 성막온도를 상한으로 하는 처리온도에서 실행한다.

公开(公告)号：KR1020120112264A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033539

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오사키요시노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: PURPOSE: A method for forming a germanium oxide film and a material for an electronic device are provided to control unstable separation of the germanium oxide film by forming the germanium oxide film on a germanium board in which a High-k film is formed. CONSTITUTION: A processing container(11) receives a board supporter(12). A board supporter maintains a germanium oxide film substrate(W). A slot plate(14) is located on a dielectric microwave transmissive plate(13). A plurality of long holes(14a) is formed on the slot plate. A gas source(24) is connected to a gas nozzle(22) passing through a gas pipe line(23). [Reference numerals] (17) Microwave supply device; (24) Gas supply source

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氧化锗膜和电子器件的材料的方法，以通过在其中形成High-k膜的锗板上形成氧化锗膜来控制氧化锗膜的不稳定分离。 构成：处理容器（11）接收板支撑件（12）。 板支撑件保持氧化锗膜基底（W）。 狭槽板（14）位于电介质微波透射板（13）上。 多个长孔（14a）形成在槽板上。 气体源（24）连接到通过气体管线（23）的气体喷嘴（22）。 （附图标记）（17）微波供给装置; （24）供气源