公开(公告)号：KR1020050086831A

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020057009444

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935

Abstract: In the present plasma processing method, a certain process gas is supplied into a plasma production chamber (10) in which a substrate to be processed (W) is placed, and the process gas is changed into a plasma. A certain plasma process is then conducted on the substrate (W) with this plasma. By independently controlling the spatial distribution of the plasma density and the spatial distribution of the density of radicals in the plasma in relation to the substrate (W) using an opposed portion (34) facing to the substrate (W), a certain processing state can be attained along the entire surface of the substrate (W) to be processed.

Abstract translation: 在本等离子体处理方法中，将一定的处理气体供给到其中放置有待处理基板（W）的等离子体制造室（10）中，将处理气体变更为等离子体。 然后用该等离子体在衬底（W）上进行某种等离子体处理。 通过使用面对衬底（W）的相对部分（34）独立地控制等离子体密度的空间分布和等离子体中自由基的密度相对于衬底（W）的空间分布，某一处理状态可以 沿待处理的基板（W）的整个表面获得。

公开(公告)号：KR100652982B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020057009444

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935

Abstract: 플라즈마 처리 방법은 피처리 기판(W)이 배치된 플라즈마 생성 공간(10)내에 소정의 처리 가스를 공급하고, 처리 가스를 플라즈마화한다. 그리고, 플라즈마에 의해 기판(W)에 소정의 플라즈마 처리를 수행한다. 여기서, 기판(W)에 대향하는 대향부(34)에 의해, 기판(W)에 대하여 플라즈마의 밀도의 공간 분포와 플라즈마중의 래디컬의 밀도의 공간 분포를 독립적으로 제어하여, 기판(W)의 피처리면 전체에 걸쳐서 소정의 처리 상태를 얻는다.

Abstract translation: 在等离子体处理方法中，将预定的处理气体供应到设置有基板W的等离子体生成空间10中，并且处理气体被等离子体化。 然后，通过等离子体在衬底W上执行预定的等离子体处理。 在此，等离子体的密度的空间分布和等离子体中的自由基的密度的空间分布由与基板W相对的相对部34相对于基板W独立地控制， 在整个待处理表面上获得预定的处理状态。

公开(公告)号：KR100642157B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020057009443

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32587

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 진공 분위기를 갖도록 설정가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기(10)내에 배치되는 피처리 기판(W)과 대향하도록 링 형상으로 배치된 제 1 상부 전극(36)이 배치된다. 제 1 상부 전극(36)의 반경방향 내측에 이와 전기적으로 절연된 상태로 배치된 제 2 상부 전극(38)이 배치된다. 제 1 급전부(50)가 제 l 고주파 전원(52)으로부터의 제 1 고주파를, 제 1 전력값으로 제 1 상부 전극(36)에 공급한다. 제 1 급전부(50)로부터 분기된 제 2 급전부(76)가 제 1 고주파 전원으로부터의 상기 제 1 고주파를, 제 1 전력값보다도 작은 제 2 전력값으로 제 2 상부 전극(38)에 공급한다.

公开(公告)号：KR1020050086834A

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020057009448

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/31116

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a process chamber (10) which can be set to have a vacuum atmosphere. Upper electrodes (36, 38) are so arranged as to face a substrate to be processed (W) which is placed in the process chamber (10). A power supply unit having a first cylindrical conductor member (50) continuously connected to the upper electrode (36) in the circling direction supplies a first high-frequency wave from a first high-frequency power supply (52) to the upper electrode (36).

Abstract translation: 等离子体处理装置包括可设置为具有真空气氛的处理室（10）。 上电极（36,38）被布置为面对放置在处理室（10）中的待处理基板（W）。 在第一高频电源（52）向第一高频电源（52）向第一高频电源（52）提供第一高频波的电源单元，其具有在上下方向上与上电极（36）连续地连接的第一圆筒状的导体部件 ）。

公开(公告)号：KR100652983B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020057009448

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/31116

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 진공 분위기를 갖도록 설정가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기(10)내에 배치되는 피처리 기판(W)과 대향하도록 배치된 상부 전극(36, 38)이 배치된다. 상부 전극(36)에 원주방향으로 연속적으로 배치된 제 1 원통형 도전 부재(50)를 갖는 급전부가 제 1 고주파 전원(52)으로부터의 제 1 고주파를 상부 전극(36)으로 공급한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置具有能够设定为真空气氛的处理容器10。 设置与配置在处理容器10内的被处理基板W相对配置的上部电极36,38。 具有在上电极36上沿圆周方向连续设置的第一圆柱形导电构件50的电源单元将来自第一高频电源52的第一高频电力提供给上电极36。

公开(公告)号：KR1020050086830A

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020057009443

申请日：2003-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32587

Abstract: A plasma processing system comprising a processing container (10) which can be set to have a vacuum atmosphere. A first upper electrode (36) is arranged in a ring-shape oppositely to a substrate (W) being processed disposed in the processing container (10). A second upper electrode (38) is arranged on the radially inner side of the first upper electrode (36) while being insulated electrically therefrom. A first power supply section (50) supplies a first high frequency from a first high frequency power supply (52), at a first power level, to the first upper electrode (36). A second power supply section (76) branched from the first power supply section (50) supplies the first high frequency from the first high frequency power supply, at a second power level lower than the first power level, to the second upper electrode (38).

Abstract translation: 一种等离子体处理系统，包括可设置为具有真空气氛的处理容器（10）。 第一上电极（36）与处理容器（10）中处理的基板（W）相反地设置成环状。 第二上电极（38）布置在第一上电极（36）的径向内侧，同时与其电绝缘。 第一电源部分（50）将第一高频电源（52）的第一高频以第一功率电平提供给第一上电极（36）。 从第一电源部分（50）分支的第二电源部分（76）将来自第一高频电源的第一高频以比第一功率电平低的第二功率电平提供给第二上电极（38） ）。