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公开(公告)号：KR1020050086831A
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020057009444
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: In the present plasma processing method, a certain process gas is supplied into a plasma production chamber (10) in which a substrate to be processed (W) is placed, and the process gas is changed into a plasma. A certain plasma process is then conducted on the substrate (W) with this plasma. By independently controlling the spatial distribution of the plasma density and the spatial distribution of the density of radicals in the plasma in relation to the substrate (W) using an opposed portion (34) facing to the substrate (W), a certain processing state can be attained along the entire surface of the substrate (W) to be processed.
Abstract translation: 在本等离子体处理方法中，将一定的处理气体供给到其中放置有待处理基板（W）的等离子体制造室（10）中，将处理气体变更为等离子体。 然后用该等离子体在衬底（W）上进行某种等离子体处理。 通过使用面对衬底（W）的相对部分（34）独立地控制等离子体密度的空间分布和等离子体中自由基的密度相对于衬底（W）的空间分布，某一处理状态可以 沿待处理的基板（W）的整个表面获得。
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公开(公告)号：KR1020020006461A
公开(公告)日：2002-01-19
申请号：KR1020010041436
申请日：2001-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68707 , B25J9/107 , H01L21/67742 , H01L21/67745
Abstract: PURPOSE: To provide a transfer mechanism for works which can avoid causing positional deviations by providing two kinds of holders different in constitution and selectively using them for the applications. CONSTITUTION: The work transfer mechanism has at least two holders 28A, 28B for holding a work. The holders are mutually different in constitution. One of the plurality of holders has e.g. at least three elastic material-made tapered receiving members 42 having tapered receiving surfaces for contacting the edge of the work and supporting it, and another holder has at least three elastic material-made plane receiving members having plane receiving surfaces for contacting the backside of the work and supporting it. These holders are selectively used to avoid the position deviation, and it is possible to transfer a work deviated in position as well as other works.
Abstract translation: 目的：提供一种可避免造成位置偏差的作业转移机制，提供两种不同构造的保持架，并选择性地将其用于应用。 规定：工作传送机构至少有两个用于保持工作的保持器28A，28B。 持有人的构成是相互不同的。 多个保持器中的一个具有例如 至少三个具有锥形接收表面的弹性材料制成的锥形接纳件42，用于接触工件的边缘并支撑它，另一个保持器具有至少三个弹性材料制成的平面接收元件，该平面接收元件具有接触表面的后侧 工作和支持。 这些保持器被选择性地用于避免位置偏离，并且可以传送偏离位置的作品以及其他作品。
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公开(公告)号：KR100652982B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020057009444
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 플라즈마 처리 방법은 피처리 기판(W)이 배치된 플라즈마 생성 공간(10)내에 소정의 처리 가스를 공급하고, 처리 가스를 플라즈마화한다. 그리고, 플라즈마에 의해 기판(W)에 소정의 플라즈마 처리를 수행한다. 여기서, 기판(W)에 대향하는 대향부(34)에 의해, 기판(W)에 대하여 플라즈마의 밀도의 공간 분포와 플라즈마중의 래디컬의 밀도의 공간 분포를 독립적으로 제어하여, 기판(W)의 피처리면 전체에 걸쳐서 소정의 처리 상태를 얻는다.
Abstract translation: 在等离子体处理方法中，将预定的处理气体供应到设置有基板W的等离子体生成空间10中，并且处理气体被等离子体化。 然后，通过等离子体在衬底W上执行预定的等离子体处理。 在此，等离子体的密度的空间分布和等离子体中的自由基的密度的空间分布由与基板W相对的相对部34相对于基板W独立地控制， 在整个待处理表面上获得预定的处理状态。
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公开(公告)号：KR100652983B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020057009448
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 진공 분위기를 갖도록 설정가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기(10)내에 배치되는 피처리 기판(W)과 대향하도록 배치된 상부 전극(36, 38)이 배치된다. 상부 전극(36)에 원주방향으로 연속적으로 배치된 제 1 원통형 도전 부재(50)를 갖는 급전부가 제 1 고주파 전원(52)으로부터의 제 1 고주파를 상부 전극(36)으로 공급한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置具有能够设定为真空气氛的处理容器10。 设置与配置在处理容器10内的被处理基板W相对配置的上部电极36,38。 具有在上电极36上沿圆周方向连续设置的第一圆柱形导电构件50的电源单元将来自第一高频电源52的第一高频电力提供给上电极36。
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公开(公告)号：KR100572910B1
公开(公告)日：2006-04-24
申请号：KR1020047012742
申请日：2003-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67772 , Y10S414/135 , Y10S414/137
Abstract: 반도체 처리 시스템(2)의 포트 구조(16A)에 있어서, 기립벽(52,54)에 형성된 포트(12A)에는 도어(20A)가 배치된다. 시스템의 외부에서 포트를 향하여 테이블(48)이 배치된다. 테이블상에는 피 처리 기판(W)의 개방형 카세트(18A)를 탑재하는 탑재영역(76)이 형성된다. 테이블에 대하여 회전 가능하게 후드(50)가 배치된다. 후드는 폐쇄위치에 있어서, 탑재영역 및 포트를 포위하는 폐쇄공간을 형성하고, 이것은 카세트를 수납하는 치수를 갖는다. 시스템의 내부로부터 후드내의 폐쇄공간으로 기체를 도입하도록, 기립벽 및 도어의 적어도 한쪽에 제 1 통기 구멍(58)이 형성된다. 폐쇄공간으로부터 외부로 기체를 배출하도록, 테이블에 제 2 통기 구멍(72)이 형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050086830A
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020057009443
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: A plasma processing system comprising a processing container (10) which can be set to have a vacuum atmosphere. A first upper electrode (36) is arranged in a ring-shape oppositely to a substrate (W) being processed disposed in the processing container (10). A second upper electrode (38) is arranged on the radially inner side of the first upper electrode (36) while being insulated electrically therefrom. A first power supply section (50) supplies a first high frequency from a first high frequency power supply (52), at a first power level, to the first upper electrode (36). A second power supply section (76) branched from the first power supply section (50) supplies the first high frequency from the first high frequency power supply, at a second power level lower than the first power level, to the second upper electrode (38).
Abstract translation: 一种等离子体处理系统，包括可设置为具有真空气氛的处理容器（10）。 第一上电极（36）与处理容器（10）中处理的基板（W）相反地设置成环状。 第二上电极（38）布置在第一上电极（36）的径向内侧，同时与其电绝缘。 第一电源部分（50）将第一高频电源（52）的第一高频以第一功率电平提供给第一上电极（36）。 从第一电源部分（50）分支的第二电源部分（76）将来自第一高频电源的第一高频以比第一功率电平低的第二功率电平提供给第二上电极（38） ）。
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公开(公告)号：KR100471519B1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：KR1019980015719
申请日：1998-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는, 목표 압력 범위의 상한을 갖는 가스로 채워진 반송 챔버와, 반송 챔버로 가스를 공급하기 위해 가스 공급원에 연결된 가스 공급 시스템과, 상기 반송 챔버 내로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배기 시스템과, 상기 반송 챔버에 연결된 제 1 및 제 2 진공 챔버와, 반송 챔버와 진공 챔버 사이에 위치하여, 반송 챔버와 진공 챔버를 서로 선택적으로 통하게 하는 제 1 및 제 2 게이트 밸브와, 제 1 진공 챔버로부터 제 1 게이트 밸브를 거쳐 반송 챔버로 피처리체를 전달하고, 반송 챔버로부터 제 2 게이트 밸브를 거쳐 제 2 진공 챔버로 피처리체를 전달하기 위한 전달 기구를 구비한다. 가스 공급 시스템 내에는 개폐 밸브가 마련되어 가스 공급원으로부터 반송 챔버로 가스를 선택적으로 공급하고, 개폐 밸브가 닫혔을 때, 목표 압력 범위의 상한에 따라 설정된 체적 및 압력을 갖는 가스가 가스 적재 공간에 저장되도록 개폐 밸브의 업스트림(upstream)에 한정되는 가스 적재 공간이 제공된다.
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公开(公告)号：KR100642157B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020057009443
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 진공 분위기를 갖도록 설정가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기(10)내에 배치되는 피처리 기판(W)과 대향하도록 링 형상으로 배치된 제 1 상부 전극(36)이 배치된다. 제 1 상부 전극(36)의 반경방향 내측에 이와 전기적으로 절연된 상태로 배치된 제 2 상부 전극(38)이 배치된다. 제 1 급전부(50)가 제 l 고주파 전원(52)으로부터의 제 1 고주파를, 제 1 전력값으로 제 1 상부 전극(36)에 공급한다. 제 1 급전부(50)로부터 분기된 제 2 급전부(76)가 제 1 고주파 전원으로부터의 상기 제 1 고주파를, 제 1 전력값보다도 작은 제 2 전력값으로 제 2 상부 전극(38)에 공급한다.
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公开(公告)号：KR1020040086389A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020047012742
申请日：2003-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67772 , Y10S414/135 , Y10S414/137
Abstract: 반도체 처리 시스템(2)의 포트 구조(16A)에 있어서, 기립벽(52,54)에 형성된 포트(12A)에는 도어(20A)가 배치된다. 시스템의 외부에서 포트를 향하여 테이블(48)이 배치된다. 테이블상에는 피 처리 기판(W)의 개방형 카세트(18A)를 탑재하는 탑재영역(76)이 형성된다. 테이블에 대하여 회전 가능하게 후드(50)가 배치된다. 후드는 폐쇄위치에 있어서, 탑재영역 및 포트를 포위하는 폐쇄공간을 형성하고, 이것은 카세트를 수납하는 치수를 갖는다. 시스템의 내부로부터 후드내의 폐쇄공간으로 기체를 도입하도록, 기립벽 및 도어의 적어도 한쪽에 제 1 통기 구멍(58)이 형성된다. 폐쇄공간으로부터 외부로 기체를 배출하도록, 테이블에 제 2 통기 구멍(72)이 형성된다.
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公开(公告)号：KR1019980081871A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：KR1019980015719
申请日：1998-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는, 목표 압력 범위의 상한가를 갖는 가스로 채워진 반송 챔버와, 반송 챔버로 가스를 공급하기 위해 가스 공급원에 연결된 가스 공급 시스템과, 상기 반송 챔버내로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배기 시스템과, 상기 반송 챔버에 연결된 제 1 및 제 2 진공 챔버와, 반송 챔버와 진공 챔버 사이에 위치하여, 반송 챔버와 진공 챔버를 서로 선택적으로 통하게 하는 제 1 및 제 2 게이트 밸브와, 제 1 진공 챔버로부터 제 1 게이트 밸브를 거쳐 반송 챔버로 피처리체를 전달하고, 반송 챔버로부터 제 2 게이트 밸브를 거쳐 제 2 진공 챔버로 피처리체를 전달하기 위한 전달 기구를 구비한다. 가스 공급 시스템 내에는 개폐 밸브가 마련되어 가스 공급원으로부터 반송 챔버로 가스를 선택적으로 공급하고, 개폐 밸브가 닫혔을 때, 목표 압력 범위의 상한가에 따라 설정된 용적 및 압력을 갖는 가스가 가스 적재 공간에 저장되도록 개폐 밸브의 업스트림(upstream)에 한정되는 가스 적재 공간이 제공된다.
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