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    플라즈마 처리 방법 및 장치
    5.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 및 장치 有权
    等离子体处理方法和装置

    公开(公告)号：KR1020050086831A

    公开(公告)日：2005-08-30

    申请号：KR1020057009444

    申请日：2003-11-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935

    Abstract: In the present plasma processing method, a certain process gas is supplied into a plasma production chamber (10) in which a substrate to be processed (W) is placed, and the process gas is changed into a plasma. A certain plasma process is then conducted on the substrate (W) with this plasma. By independently controlling the spatial distribution of the plasma density and the spatial distribution of the density of radicals in the plasma in relation to the substrate (W) using an opposed portion (34) facing to the substrate (W), a certain processing state can be attained along the entire surface of the substrate (W) to be processed.

    Abstract translation: 在本等离子体处理方法中，将一定的处理气体供给到其中放置有待处理基板（W）的等离子体制造室（10）中，将处理气体变更为等离子体。 然后用该等离子体在衬底（W）上进行某种等离子体处理。 通过使用面对衬底（W）的相对部分（34）独立地控制等离子体密度的空间分布和等离子体中自由基的密度相对于衬底（W）的空间分布，某一处理状态可以 沿待处理的基板（W）的整个表面获得。

    포커스 링 및 플라즈마 처리 장치
    6.
    发明公开
    포커스 링 및 플라즈마 처리 장치 有权
    聚焦环和等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020050025079A

    公开(公告)日：2005-03-11

    申请号：KR1020040070432

    申请日：2004-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642

    Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.

    Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。

    플라즈마 처리 장치 및 방법 그리고 플라즈마 생성용전극판
    8.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 방법 그리고 플라즈마 생성용전극판 有权
    等离子体处理系统和等离子体处理系统的电极板

    公开(公告)号：KR1020050086830A

    公开(公告)日：2005-08-30

    申请号：KR1020057009443

    申请日：2003-11-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  히로세준 ,  오가사와라마사히로 ,  히라노다이치 ,  사사키히로미츠 ,  요시다데츠오 ,  사이토미치시게 ,  이시하라히로유키 ,  오오야부준 ,  누마타고지

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32587

    Abstract: A plasma processing system comprising a processing container (10) which can be set to have a vacuum atmosphere. A first upper electrode (36) is arranged in a ring-shape oppositely to a substrate (W) being processed disposed in the processing container (10). A second upper electrode (38) is arranged on the radially inner side of the first upper electrode (36) while being insulated electrically therefrom. A first power supply section (50) supplies a first high frequency from a first high frequency power supply (52), at a first power level, to the first upper electrode (36). A second power supply section (76) branched from the first power supply section (50) supplies the first high frequency from the first high frequency power supply, at a second power level lower than the first power level, to the second upper electrode (38).

    Abstract translation: 一种等离子体处理系统，包括可设置为具有真空气氛的处理容器（10）。 第一上电极（36）与处理容器（10）中处理的基板（W）相反地设置成环状。 第二上电极（38）布置在第一上电极（36）的径向内侧，同时与其电绝缘。 第一电源部分（50）将第一高频电源（52）的第一高频以第一功率电平提供给第一上电极（36）。 从第一电源部分（50）分支的第二电源部分（76）将来自第一高频电源的第一高频以比第一功率电平低的第二功率电平提供给第二上电极（38） ）。

    플라즈마 처리장치
    9.
    发明公开
    플라즈마 처리장치 无效

    公开(公告)号：KR1020040103948A

    公开(公告)日：2004-12-09

    申请号：KR1020047013171

    申请日：2003-03-10

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오오야부준 ,  고시이시아키라

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32477

    Abstract: 처리실내에 있어서의 CF계 폴리머의 디포지션의 퇴적을 저감할 수 있는 플라즈마 처리장치가 제공된다. 플라즈마 에칭 처리장치(1)는, 내부에 처리실(2)을 형성하기 위해 직경이 하부에 있어서 크고 상부에 있어서 작은 플라즈마 처리용기(3)를 구비한다. 처리실(2)이 소정의 진공분위기로 감압되고, CF계 가스를 포함하는 처리 가스가 처리실(2)에 도입되면, 처리 가스가 플라즈마화되어, 반도체 웨이퍼(34)에 소망하는 미세 가공이 실시된다. 플라즈마에 의한 CF계 가스의 분해 성분으로부터 생성되는 CF계 폴리머의 고체입자가 비산하여 내벽(3b) 및 처리실내 부품의 표면에 고착하여 CF계 폴리머의 디포지션이 퇴적하는 것을 방지하기 위해서 플라즈마 처리용기(3)의 내벽(3b)의 표면에는 소정 면적에 걸쳐서 Y
    2 O
    3 용사 피막(41)이 피복되어 있다.

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