公开(公告)号：KR101147920B1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：KR1020107023086

申请日：2009-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오사와유스케 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스가 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2) 내로 공급된다. 마이크로파가 챔버(2) 내로 공급되고, 마이크로파에 의해 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리체 기판 상에 실리콘 산화막이 형성된다. 희가스의 분압비는 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스의 전체 가스압의 10% 이상이며, 실리콘 화합물 가스와 산화 가스의 유효 흐름비(산화 가스/실리콘 화합물 가스)는 3 이상 11 이하이다.

公开(公告)号：KR1020110111487A

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：KR1020117019101

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  다나카요시노부

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 실리콘 산화막의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(34)의 표면 온도를 300℃ 이하로 유지한 상태로 실리콘 화합물 가스, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W)에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화막을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090129948A

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：KR1020090051391

申请日：2009-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오츠카야스히로 ,  나카하시마사노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: PURPOSE: A gas ring, an apparatus for processing a semiconductor substrate, and a method of processing the semiconductor substrate are provided to form the amount of gas and liquid injected from each gas nozzle by keeping a distance between each nozzle and each branch point constant. CONSTITUTION: In a device, a gas ring(11) has a hook shape. Gas induction holes(12a,12b) introduce the gas from the outside to inside the gas ring. A plurality of gas outlets(18a-18h) inject the gas introduced from a gas induction hole. A plurality of branch lines are expanded along a hook shape to the gas outlet from the gas inlet. The distance from the gas inlets to a branch points are same. The gas ring has a round hook shape. A plurality of gas inlets are formed to be equimultiple. A resistance member of flow passage is same from each gas outlet to the branch point.

Abstract translation: 目的：提供一种气体环，半导体衬底的处理装置和半导体衬底的处理方法，以通过保持每个喷嘴与每个分支点之间的距离恒定来形成从每个气体喷嘴喷射的气体和液体的量。 构成：在装置中，气环（11）具有钩形。 气体导入孔（12a，12b）将气体从外部引入气体环内。 多个气体出口（18a-18h）注入从气体导入孔引入的气体。 多个分支线沿着钩形状从气体入口膨胀到气体出口。 从气体入口到分支点的距离是相同的。 气环具有圆形钩形状。 多个气体入口形成为等于多个。 流动通道的阻力构件从每个气体出口到分支点相同。

公开(公告)号：KR101234566B1

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：KR1020117019101

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  다나카요시노부

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 실리콘 산화막의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(34)의 표면 온도를 300℃ 이하로 유지한 상태로 실리콘 화합물 가스, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W)에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화막을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100126513A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107023086

申请日：2009-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오사와유스케 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스가 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2) 내로 공급된다. 마이크로파가 챔버(2) 내로 공급되고, 마이크로파에 의해 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리체 기판 상에 실리콘 산화막이 형성된다. 희가스의 분압비는 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스의 전체 가스압의 10% 이상이며, 실리콘 화합물 가스와 산화 가스의 유효 흐름비(산화 가스/실리콘 화합물 가스)는 3 이상 11 이하이다.