公开(公告)号：KR1020120060889A

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

公开(公告)号：KR101484652B1

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：KR1020120071707

申请日：2012-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  오츠카야스히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: (과제) 부착물의 발생을 억제 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 일 실시 형태의 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 도입부, 보유지지(保持) 부재 및, 포커스 링을 구비하고 있다. 처리 용기에 의해 구획 형성되는 처리 공간에 있어서, 도입부로부터 도입된 에너지에 의해, 가스 공급부로부터 공급된 처리 가스의 플라즈마가 발생된다. 이 처리 공간에, 피처리 기체를 보유지지하기 위한 보유지지 부재와 당해 보유지지 부재의 단면을 둘러싸도록 형성된 포커스 링이 배치되어 있다. 보유지지 부재의 단면과 포커스 링과의 사이에는, 350㎛ 이하의 간극이 구획 형성되어 있다.

Abstract translation: 发明内容本发明提供一种能够抑制析出物的产生的等离子体处理装置。

公开(公告)号：KR101324589B1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

公开(公告)号：KR1020130006317A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020120071707

申请日：2012-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  오츠카야스히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: Plasma treatment equipment is provided to suppress generation of attachment which is attached to the external unit of outage chuck by controlling a gap. CONSTITUTION: A treatment container has a segmented processing space. A gas supplier supplies treated gas to the processing space. An introduction unit imposes energy for generating plasma of the treatment gas. A possession supporting material(15) is provided to possess and support the treated gas. The possession supporting material has a surface of dielectric substance. The possession supporting member is formed within the processing space. A focus ring(17) is formed to surround cross section of the possession supporting material. A gap less than 350micrometers is segmented between the cross section of the possession supporting material and the focus ring.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理设备，以通过控制间隙来抑制附着到外部卡盘的单元的附件。 规定：处理容器具有分段的处理空间。 燃气供应商将处理过的气体提供给处理空间。 引入单元施加用于产生处理气体的等离子体的能量。 提供拥有支撑材料（15）以拥有和支撑经处理的气体。 所拥有的材料具有介电物质的表面。 所述支撑构件形成在处理空间内。 形成聚焦环（17）以围绕所有物质支撑材料的横截面。 在拥有支撑材料的横截面和聚焦环之间分割小于350微米的间隙。

公开(公告)号：KR1020090129948A

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：KR1020090051391

申请日：2009-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오츠카야스히로 ,  나카하시마사노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: PURPOSE: A gas ring, an apparatus for processing a semiconductor substrate, and a method of processing the semiconductor substrate are provided to form the amount of gas and liquid injected from each gas nozzle by keeping a distance between each nozzle and each branch point constant. CONSTITUTION: In a device, a gas ring(11) has a hook shape. Gas induction holes(12a,12b) introduce the gas from the outside to inside the gas ring. A plurality of gas outlets(18a-18h) inject the gas introduced from a gas induction hole. A plurality of branch lines are expanded along a hook shape to the gas outlet from the gas inlet. The distance from the gas inlets to a branch points are same. The gas ring has a round hook shape. A plurality of gas inlets are formed to be equimultiple. A resistance member of flow passage is same from each gas outlet to the branch point.

Abstract translation: 目的：提供一种气体环，半导体衬底的处理装置和半导体衬底的处理方法，以通过保持每个喷嘴与每个分支点之间的距离恒定来形成从每个气体喷嘴喷射的气体和液体的量。 构成：在装置中，气环（11）具有钩形。 气体导入孔（12a，12b）将气体从外部引入气体环内。 多个气体出口（18a-18h）注入从气体导入孔引入的气体。 多个分支线沿着钩形状从气体入口膨胀到气体出口。 从气体入口到分支点的距离是相同的。 气环具有圆形钩形状。 多个气体入口形成为等于多个。 流动通道的阻力构件从每个气体出口到分支点相同。