公开(公告)号：KR1020100126513A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107023086

申请日：2009-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오사와유스케 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스가 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2) 내로 공급된다. 마이크로파가 챔버(2) 내로 공급되고, 마이크로파에 의해 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리체 기판 상에 실리콘 산화막이 형성된다. 희가스의 분압비는 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스의 전체 가스압의 10% 이상이며, 실리콘 화합물 가스와 산화 가스의 유효 흐름비(산화 가스/실리콘 화합물 가스)는 3 이상 11 이하이다.

公开(公告)号：KR1020080110521A

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：KR1020080055563

申请日：2008-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사코류이치 ,  오사와유스케

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: A damage recovering method of a low dielectric constant film and a method for fabricating semiconductor device are provided to suppress an oxidation of a reclaimed metal and generation of a pattern deletion and recover the electrical characteristic of a low dielectric constant film. A damage recovering method of a low dielectric constant film comprises the following steps. A damage functional group generated by a processing treatment in the surface of a low dielectric constant film is substituted for a hydrophobic functional group(ST.2). A damage component which exists beneath the dense layer generated by a replacement processing in the surface of the low dielectric constant film is recovered by using an ultraviolet ray heating processing(ST.3).

Abstract translation: 提供低介电常数膜的损伤恢复方法和制造半导体器件的方法，以抑制再生金属的氧化和产生图案缺失并恢复低介电常数膜的电特性。 低介电常数膜的损伤恢复方法包括以下步骤。 通过在低介电常数膜的表面处理处理产生的损伤官能团代替疏水官能团（ST.2）。 通过使用紫外线加热处理（ST.3）来回收在低介电常数膜的表面中通过置换处理而产生的致密层下方的损伤成分。

公开(公告)号：KR101018021B1

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020080055563

申请日：2008-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사코류이치 ,  오사와유스케

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 매립된 금속의 산화 및 패턴 결손의 발생을 억제하면서, 저유전율 절연막 자체의 전기적 특성을 충분히 회복시킬 수 있는 저유전율 절연막의 데미지 회복 방법을 제공하는 것이다.
저유전율 절연막의 표면에 가공 처리에 의하여 발생된 데미지성 관능기(官能基)를 소수성(疏水性) 관능기로 치환하고(ST. 2), 저유전율 절연막의 표면에 치환 처리에 의하여 발생된 덴스층의 아래에 존재하는 데미지 성분을 자외선 가열 처리를 이용하여 회복시킨다(ST. 3).

公开(公告)号：KR101234566B1

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：KR1020117019101

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  다나카요시노부

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 실리콘 산화막의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(34)의 표면 온도를 300℃ 이하로 유지한 상태로 실리콘 화합물 가스, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W)에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화막을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120059557A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020127006982

申请日：2010-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/66181

Abstract: 성막 방법은, 우선, 보지대(34) 상에 반도체 소자의 기초가 되는 피처리 기판(W)을 보지시킨다. 이어서, 피처리 기판(W) 상에 성막 가스를 흡착시킨다(도 6의 (A)). 이 후, 잉여로 흡착된 성막 가스를 제거하기 위하여 처리 용기(32) 내의 배기를 행한다(도 6의 (B)). 배기 후, 마이크로파에 의한 플라즈마 처리를 행한다(도 6의 (C)). 플라즈마 처리가 종료된 후, 미반응의 반응 가스 등을 제거하기 위하여 처리 용기(32) 내를 배기한다(도 6의 (D)). 이 단계(A ~ D)의 일련의 흐름을 원하는 막 두께가 될 때까지 반복한다.

公开(公告)号：KR101147920B1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：KR1020107023086

申请日：2009-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오사와유스케 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스가 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2) 내로 공급된다. 마이크로파가 챔버(2) 내로 공급되고, 마이크로파에 의해 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리체 기판 상에 실리콘 산화막이 형성된다. 희가스의 분압비는 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스의 전체 가스압의 10% 이상이며, 실리콘 화합물 가스와 산화 가스의 유효 흐름비(산화 가스/실리콘 화합물 가스)는 3 이상 11 이하이다.

公开(公告)号：KR1020110111487A

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：KR1020117019101

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  다나카요시노부

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 실리콘 산화막의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(34)의 표면 온도를 300℃ 이하로 유지한 상태로 실리콘 화합물 가스, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W)에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화막을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다.