公开(公告)号：KR1020000048210A

公开(公告)日：2000-07-25

申请号：KR1019990058574

申请日：1999-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  다치바나미쓰히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/14 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: A filming method of tungsten film is provided to enlarge a particle diameter of a tungsten crystalline particle(grain) or to reduce a non-resistant value by being the whole flux of gas per 1minute over 100% of a processing container capacity. CONSTITUTION: A nuclear crystalline(48) of tungsten is grown on a surface of a processed body under a filming gas contained a tungsten element. The processed body is exposed under a gas contained a boron for a short time. A tungsten film(50) is formed by growing the nuclear crystalline(48) under the filming gas, a hydrogen gas and the gas contained the boron of hydrogen dilution. When a diborane gas of 5% hydrogen dilution is used as the gas contained the boron, its flux is over 0.58% for the whole flux of gas. A thickness of the nuclear crystalline layer is under 50nm in the growing process of nuclear crystalline. The whole flux of each gas per 1minute is set over 100% of a capacity of a processing container in a vacuum processor in the filming process of tungsten.

Abstract translation: 目的：提供钨膜的成膜方法以增加钨晶粒（颗粒）的粒径，或者通过在处理容器容量的100％以上，每1分钟通过全部气体流量来降低不耐受值。 构成：在包含钨元素的成膜气体下，在加工体的表面上生长钨的核结晶（48）。 处理体在含有硼的气体短时间下暴露。 通过在成膜气体下生长核晶体（48），氢气和含有氢稀释硼的气体形成钨膜（50）。 当使用5％氢稀释的乙硼烷气体作为含硼的气体时，对于整个气体通量，其通量超过0.58％。 在核结晶生长过程中，核晶层的厚度在50nm以下。 在钨的成膜过程中，每1分钟的每种气体的整个通量设定在真空处理器中处理容器的容量的100％以上。

公开(公告)号：KR100521702B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1019990058574

申请日：1999-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  다치바나미쓰히로

IPC: C23C16/00

Abstract: 비저항치를 작게 할 수 있는 텅스텐막의 성막방법을 제공한다.
진공처리장치(2)내에서 피처리체(W)의 표면에 텅스텐막(50)을 성막함에 있어서, 상기 피처리체의 표면에, 텅스텐원소를 함유하는 성막가스의 존재하에서 텅스텐의 핵결정(48)을 성장시키는 핵결정 성장공정과, 이 공정후에, 상기 피처리체를 수소희석의 보론함유가스의 분위기에 단시간 노출시키는 보론노출공정과, 이 공정후에, 텅스텐원소를 함유하는 성막가스와 수소가스와 수소희석의 보론함유가스의 존재하에서 상기 핵결정을 성장시켜 텅스텐막을 형성하는 텅스텐 성막공정을 구비하도록 구성한다. 이에 따라, 텅스텐막의 비저항치를 작게 한다.

公开(公告)号：KR100610416B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1019990046706

申请日：1999-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  요네자와사토시 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코 ,  다치바나미쓰히로 ,  호소다게이조

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051

Abstract: 텅스텐원자를 포함하는 제1원료가스를 피처리체에 접촉시키고, 또한 질소원자를 포함하는 제2원료가스를 피처리체에 접촉시키지 않은 전공정과, 제1원료가스와 제2원료가스를 사용하여, 피처리체에 질화텅스텐막을 형성하여 반도체장치를 제조하는 성막공정을 구비한 반도체장치의 제조방법이다. 이 방법에 의하면, 성막후의 열처리시에 있어서의 막박리를 방지할 수가 있다.

公开(公告)号：KR1020000029332A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990046706

申请日：1999-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  요네자와사토시 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코 ,  다치바나미쓰히로 ,  호소다게이조

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051

Abstract: PURPOSE: A producing method of a semiconductor is provided to remove a sub generated object generated from WF6 and NH3 gas by washing on the spot and keeping a filming chamber unit at a proper temperature that the sub generated object is not remained. CONSTITUTION: A method for producing a semiconductor includes a process for contacting a first material gas including a tungsten atom to a processed body and not contacting a second material gas including a nitride atom to the processed body and a filming process for producing the semiconductor device by forming a nitride tungsten film in the processed body using the first and second raw material gas. Herein, the process pressure of the processed body in the process is 0.1 to 20 Torr, and the temperature of the processed body is 300 to 500°C. Thereby, the nitride tungsten film is prevented from being peeled off from a lower layer on a heat process after filming.

Abstract translation: 目的：提供半导体的制造方法，通过现场清洗和将成膜室单元保持在不产生副生成物体的适当温度下，除去由WF6和NH3气体产生的副生成物。 构成：一种制造半导体的方法包括使包含钨原子的第一材料气体与加工体接触并且不与包含氮化物原子的第二材料气体接触到加工体的方法，以及通过以下步骤制造半导体器件的成膜方法： 使用第一和第二原料气体在加工体中形成氮化钨膜。 这里，处理体的处理压力为0.1〜20托，加工体的温度为300〜500℃。 由此，能够防止氮化钨膜在成膜后的热处理中从下层剥离。

公开(公告)号：KR100375343B1

公开(公告)日：2003-05-09

申请号：KR1019960006211

申请日：1996-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  다치바나미쓰히로 ,  다나카스미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/481

Abstract: An anti-adhesion film, which is difficult for the deposited film to adhere thereto, is formed on the inner surface of a process chamber. A process gas is supplied from a gas supply unit to that position in the process chamber which is opposed to a table, whereupon a metal film or metallic compound film is deposited on the surface of the object. In the film deposition process, the anti-adhesion film serves considerably to reduce the build-up of the metal film deposited on the inner surface of the process chamber, especially that surface of the gas supply unit which is opposed to the table. Although at least a maintenance operation such as wet cleaning is necessary, therefore, the frequency of such operation can be lowered substantially, so that the operating efficiency of the apparatus can be improved.

Abstract translation: 在处理室的内表面上形成难以附着沉积膜的防粘附膜。 处理气体从气体供应单元供应到处理室中的与台相对的位置，于是金属膜或金属化合物膜沉积在物体的表面上。 在薄膜沉积过程中，防粘连薄膜的作用相当大，以减少沉积在处理室内表面上的金属薄膜的积聚，特别是气体供应单元的与台面相对的表面。 因此，至少需要进行湿式清洁等维护作业，因此能够大幅度地降低这种作业的频度，能够提高作业效率。

公开(公告)号：KR1019960035787A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019960006211

申请日：1996-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  다치바나미쓰히로 ,  다나카스미

IPC: H01L21/205

Abstract: 그 표면에 성막이 부착하기 어려운 성막부착 방지막을 처리실의 내부 표면에 형성한다. 처리 가스는, 가스 공급부로부터 처리실 내의 재치대에 대향하는 위치로 공급되어 금속막 혹은 금속화합물이 피처리체의 표면에 퇴적된다. 성막 처리 중에, 성막부착 방지막은 처리실의 내부 표면, 특히 재치대와 대향하는 가스 공급부의 표면에 퇴적되는 금속막의 부착을 현저히 감소시킨다. 최소한 웨트 클리닝과 같은 유지 작업이 필요한 경우라도, 따라서 그러한 작업의 빈도를 현저히 감소시킬 수 있어서, 장치의 가동율을 개선할 수 있다.