액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
    2.
    发明公开
    액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 审中-实审
    液体加工设备,液体加工方法和储存介质

    公开(公告)号:KR1020150060556A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:KR1020140163311

    申请日:2014-11-21

    CPC classification number: H01L21/6708

    Abstract: 본발명은회전하고있는기판에노즐로부터처리액을공급하여액 처리를행할때에, 기판의중앙측과주연(周緣)측사이의온도차를억제하여, 기판의면 내에서균일성이높은처리를행하는것을도모하는것을목적으로한다. 본발명에따르면, 기판(W)을기판유지부(31)에유지시켜회전시키고, 노즐이동기구에의해메인노즐부(40a)의메인노즐(411A)을, 에칭액이기판(W)의중심에도달하는제1 위치와이 제1 위치보다도기판(W)의주연측의제2 위치사이에서이동시키면서에칭액을토출한다. 그리고제1 위치보다도기판의주연측의제3 위치에설정된서브노즐부(40b)의서브노즐(411B)로부터, 메인노즐(411A)보다도많은토출유량으로기판(W)에에칭액을토출한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是通过防止基板的边缘部分和中心部分之间的温度差,当将来自喷嘴的处理溶液供应到旋转基板时,在基板的表面上执行高均匀性的工艺 。 根据本发明,由基板保持部(31)保持基板(W)旋转。 喷嘴移动单元使主喷嘴部(40a)的主喷嘴(411A)移动到蚀刻液到达基板(W)的中心的第一位置与更靠近基板的边缘的第二位置 W)比第一个位置。 主喷嘴注入蚀刻溶液。 设置在基板的边缘的第三位置而不是第一位置的副喷嘴部分(40b)的副喷嘴(411B)将蚀刻溶液喷射到基板(W)。 副喷嘴的喷射量大于主喷嘴的喷射量。

    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독가능 기억 매체
    3.
    发明公开
    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독가능 기억 매체 审中-实审
    基板处理方法,基板处理装置和存储有基板处理程序的计算机可读存储介质

    公开(公告)号:KR1020160012919A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:KR1020150101130

    申请日:2015-07-16

    CPC classification number: H01L21/02041 H01L21/02057 H01L21/67051

    Abstract: 종래부터에칭처리한기판은폴리머제거액으로세정하고있다. 본발명에서는, 종래보다세정효과를향상시킬수 있는기판처리를제공한다. 본발명에서는, 에칭처리한기판(3)을폴리머제거액으로세정하는기판처리장치(1)(기판처리방법, 기판처리프로그램을기억한컴퓨터판독가능기억매체)에있어서, 상기기판(3)을폴리머제거액으로세정처리하기전에, 상기기판(3)에이소프로필알콜증기, 수증기, 순수및 이소프로필알콜, 암모니아수, 암모니아수및 이소프로필알콜중 임의의것을공급하는것으로했다.

    Abstract translation: 传统上通过聚合物去除液体来清洗蚀刻的基底。 本发明提供了与现有方法相比提高清洗效果的基板处理。 根据本发明,公开了一种用聚合物去除液清洗蚀刻的基板(3)的基板处理装置(基板处理方法和记录基板处理程序的计算机可读记录介质),其中异丙醇 蒸汽,水蒸气,去离子水和异丙醇,氨水和氨水和异丙醇在用聚合物除去液体清洗基材(3)之前,供给到基材(3)。

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