公开(公告)号：KR1020130095283A

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101481924B1

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101291821B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020117021177

申请日：2010-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토다카라 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  요코야마오사무

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110124304A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020117021177

申请日：2010-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토다카라 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  요코야마오사무

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101347430B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020127006748

申请日：2010-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  이시자카다다히로 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120135913A

公开(公告)日：2012-12-17

申请号：KR1020127027053

申请日：2011-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  룰란조나단 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라 ,  하타노다츠오 ,  가와사키히로아키

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C23C14/025 ,  C23C14/18 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/42 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 오목부를 갖는 피처리체의 표면에 오목부를 매립하도록 박막을 형성하는 박막의 형성 방법으로서, 상기 오목부를 포함하는 상기 피처리체의 표면에 매립용의 금속막을 형성해서 상기 오목부를 매립하는 공정과, 상기 금속막을 덮도록 해서 상기 피처리체의 표면의 전면(全面)에 확산 방지용의 금속막을 형성하는 공정과, 상기 확산 방지용의 금속막이 형성된 상기 피처리체를 어닐하는 공정을 포함하는 박막의 형성 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120040749A

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：KR1020127006748

申请日：2010-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  이시자카다다히로 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.