公开(公告)号：KR1020140129301A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：KR1020147026992

申请日：2013-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  이케다다로 ,  가베요시로 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  야마시타쥰 ,  반마사카즈 ,  몬덴다이치 ,  마에니시마사요시 ,  야마자키료지

IPC: H05B6/74 ,  H05B6/72 ,  H01L21/268

CPC classification number: H05B6/707 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

Abstract: 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 어닐 처리 동안, 복수의 지지 핀(16)에 의해 웨이퍼 W를 지지하여, 회전 구동부(17)를 구동시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 수평 방향으로 소정의 속도로 회전시킨다. 복수의 지지 핀(16)은, 승강 구동부(18)를 구동시키는 것에 의해, 샤프트(14)와 함께 상하 방향으로 승강하여, 웨이퍼 W의 높이 위치를 가변으로 조절한다. 고전압 전원부(40)로부터 마그네트론(31)에 대해서 전압을 인가하여 마이크로파를 생성하고, 도파관(32), 투과창(33)을 거쳐서, 처리 용기(2)내에서 회전하는 웨이퍼 W의 상방의 공간에 도입한다. 처리 용기(2)에 도입된 마이크로파는, 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 조사되어, 주울 가열, 자성 가열, 유도 가열 등의 전자파 가열에 의해, 웨이퍼 W가 신속히 가열된다.