公开(公告)号：KR1020150137004A

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：KR1020150071542

申请日：2015-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 몬덴다이치

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 스루풋을대폭으로저하시키는일 없이전자의이동도를더 향상시킬수 있는실리콘층의결정화방법을제공한다. 기판 S에있어서노출하는산화규소층(55)의표면에 SPM 세정이나 APM 세정을실시하여, CVD에의해산화규소층(55)상에비정질실리콘으로이루어지는실리콘층(56)을형성하고, 기판 S를마이크로파처리장치(10)의챔버(11)의내부에반입하고, 기판 S에마이크로파를전방위로부터조사하여기판 S를가열하는마이크로파가열을실행하고, 그후, 기판 S를가열로의내부에반입하여기판 S의실리콘층(56)을히터등에의해가열하는통상가열을실행하고, 실리콘층(56)을비정질실리콘층으로부터폴리실리콘층으로변성시킨다.

Abstract translation: 本发明提供一种硅层的结晶方法，其可以更好地提高电子的迁移率，而不会大大降低生产量。 通过在衬底（S）的暴露的氧化硅层（55）的表面上进行SPM洗涤或APM洗涤，通过CVD在氧化硅层（55）上形成由非晶硅构成的硅层（56）。 通过将S引入到微波处理装置（10）的室（11）中并以全方位的方式对微波照射S来进行用于加热S的微波加热。 之后，通过将S引入加热炉中，通过加热器等加热S的硅层（56）的典型的热量，并且将硅层（56）从非晶硅 层。

公开(公告)号：KR1020140147018A

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020140071472

申请日：2014-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 몬덴다이치 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  미야가와요시히로 ,  야마시타쥰 ,  이케다다로 ,  모토무라유키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B6/70 ,  H05B6/74 ,  H05B6/80

CPC classification number: H05B6/74 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

Abstract: The present invention provides a microwave heating apparatus and a heating method, capable of uniformly and effectively heating an object to be processed. The microwave heating apparatus (1) includes a phase control unit (7) configured to change a phase of a standing wave of a microwave introduced into a process container (2) by a microwave introduction unit (3). The phase control unit (7) includes a recessed portion recessed more than an inner surface (13b) of a bottom portion (13) of the processing container (2). The phase control unit (3) is formed of the bottom portion (13), and a fixing plate (27) installed at a lower surface of the bottom portion (13) from the outer side of the process container (2). The phase of the standing wave in the process container (2) is changed by the incidence and reflection of the microwave in the recessed portion of the phase control unit (7) surrounded by a metallic wall.

Abstract translation: 本发明提供一种微波加热装置和加热方法，能够均匀有效地加热待加工物体。 微波加热装置（1）包括相位控制单元（7），其被配置为通过微波引入单元（3）改变引入到处理容器（2）中的微波的驻波的相位。 相位控制单元（7）包括比处理容器（2）的底部（13）的内表面（13b）凹陷的凹部。 相位控制单元（3）由底部（13）和从处理容器（2）的外侧安装在底部（13）的下表面处的固定板（27）形成。 处理容器（2）中的驻波的相位通过由金属壁包围的相位控制单元（7）的凹部中的微波的入射和反射而改变。

公开(公告)号：KR1020140129301A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：KR1020147026992

申请日：2013-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  이케다다로 ,  가베요시로 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  야마시타쥰 ,  반마사카즈 ,  몬덴다이치 ,  마에니시마사요시 ,  야마자키료지

IPC: H05B6/74 ,  H05B6/72 ,  H01L21/268

CPC classification number: H05B6/707 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

Abstract: 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 어닐 처리 동안, 복수의 지지 핀(16)에 의해 웨이퍼 W를 지지하여, 회전 구동부(17)를 구동시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 수평 방향으로 소정의 속도로 회전시킨다. 복수의 지지 핀(16)은, 승강 구동부(18)를 구동시키는 것에 의해, 샤프트(14)와 함께 상하 방향으로 승강하여, 웨이퍼 W의 높이 위치를 가변으로 조절한다. 고전압 전원부(40)로부터 마그네트론(31)에 대해서 전압을 인가하여 마이크로파를 생성하고, 도파관(32), 투과창(33)을 거쳐서, 처리 용기(2)내에서 회전하는 웨이퍼 W의 상방의 공간에 도입한다. 처리 용기(2)에 도입된 마이크로파는, 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 조사되어, 주울 가열, 자성 가열, 유도 가열 등의 전자파 가열에 의해, 웨이퍼 W가 신속히 가열된다.

公开(公告)号：KR1020120069755A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020127011264

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 몬덴다이치 ,  나카무라히데오 ,  기타가와주니치

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/788

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/04 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 실리콘 표면과 실리콘 화합물층이 노출된 피처리체에 대해, 선택적으로 실리콘을 높은 질화 레이트와 높은 질소 도즈량으로 플라즈마 질화 처리하는 방법이 제공된다. 선택적 플라즈마 질화 처리는 처리 압력을 66.7Pa이상 667Pa이하의 범위내로 설정하고, 탑재대(2)의 전극(42)에 고주파 전원(44)으로부터 피처리체의 면적당 0.1W/㎠ 이상 1.2W/㎠ 이하의 고주파 전력을 공급하여 실행한다. 이 고주파 전력에 의해서 웨이퍼(W)에 바이어스 전압이 인가되고, 높은 Si/SiO
2 선택비가 얻어진다.