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公开(公告)号:KR101434054B1
公开(公告)日:2014-08-25
申请号:KR1020120149112
申请日:2012-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H05B6/6402 , H05B6/6426 , H05B6/70 , H05B6/707 , H05B6/72 , H05B6/806
Abstract: 전력의 이용 효율 및 가열 효율에 우수하고, 피처리체에 대하여 균일한 처리를 실행할 수 있는 마이크로파 가열 처리 장치 및 처리 방법을 제공한다. 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(2)의 천장부(11)에서, 4개의 마이크로파 도입 포트(10)는, 각각, 그 장변과 단변이 4개의 측벽부(12A, 12B, 12C, 12D)의 내벽면에 평행해지고, 또한 서로 90° 각도를 변경한 회전 위치에 배치되어 있다. 각 마이크로파 도입 포트(10)는 각각의 장변에 수직인 방향으로 평행 이동시켰을 경우에, 평행한 장변을 갖는 다른 마이크로파 도입 포트(10)에 겹치지 않도록 배치되어 있다.
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公开(公告)号:KR1020130076725A
公开(公告)日:2013-07-08
申请号:KR1020120149112
申请日:2012-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H05B6/6402 , H05B6/6426 , H05B6/70 , H05B6/707 , H05B6/72 , H05B6/806
Abstract: PURPOSE: A microwave heating apparatus and processing method are provided to carry out uniform heating of a target object, thereby reducing loss of the microwaves. CONSTITUTION: In a microwave heating apparatus, four microwave introduction ports (10) are arranged at positions spaced apart from each other at an angle of about 90° in a ceiling portion (11) of a processing chamber in such a way that the long sides (12A-12D) and the short sides thereof are in parallel to inner surfaces of four sidewalls. The microwave introduction ports are disposed in such a way that each of the microwave introduction ports are not overlapped with another microwave introduction port whose long sides are in parallel to the long sides of the corresponding microwave introduction port.
Abstract translation: 目的:提供微波加热装置和处理方法,以对目标物体进行均匀加热,从而减少微波的损失。 构成:在微波加热装置中,四个微波导入口(10)配置在处理室的顶部(11)中以大约90°的角度彼此间隔开的位置,使得长边 (12A-12D),其短边与四个侧壁的内表面平行。 微波引入端口以这样的方式设置,使得每个微波引入端口不与其长边平行于相应微波导入口的长边的另一个微波导入口重叠。
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公开(公告)号:KR100908514B1
公开(公告)日:2009-07-20
申请号:KR1020070067435
申请日:2007-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32275 , H01J2237/0206
Abstract: 게이트 밸브(26)는, 처리 챔버(1)의 개구(25)의 형상에 맞춰 직사각형 형상으로 구성되고, 개구(25)보다 큰 치수를 갖는 판 형상의 밸브체(26a)를 갖고 있다. 밸브체(26a)에는, 처리 챔버(1)의 바깥쪽에 접촉, 가압되어 기밀하게 밀봉하기 위한 기밀 밀봉 부재(26d)가 마련된다. 이 기밀 밀봉 부재(26d)의 외주부에는, 기밀 밀봉 부재(26d)의 주위를 둘러싸도록, 홈 형상으로 형성된 마이크로파 반사 기구(26e)가 마련된다.
Abstract translation: 闸阀包括矩形形状的板形阀元件以适应处理室的开口的形状并且具有大于开口的尺寸。 在阀芯上设置密封部件,该密封部件通过与处理室的外侧抵接并按压而进行气密密封。 微波反射机构设置在气密密封部件的外周部上,该微波反射机构形成为槽状以包围气密密封部件的周围。
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公开(公告)号:KR1020140129301A
公开(公告)日:2014-11-06
申请号:KR1020147026992
申请日:2013-02-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05B6/74 , H05B6/72 , H01L21/268
CPC classification number: H05B6/707 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/68792 , H05B6/6411 , H05B6/806 , H05B2206/044
Abstract: 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 어닐 처리 동안, 복수의 지지 핀(16)에 의해 웨이퍼 W를 지지하여, 회전 구동부(17)를 구동시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 수평 방향으로 소정의 속도로 회전시킨다. 복수의 지지 핀(16)은, 승강 구동부(18)를 구동시키는 것에 의해, 샤프트(14)와 함께 상하 방향으로 승강하여, 웨이퍼 W의 높이 위치를 가변으로 조절한다. 고전압 전원부(40)로부터 마그네트론(31)에 대해서 전압을 인가하여 마이크로파를 생성하고, 도파관(32), 투과창(33)을 거쳐서, 처리 용기(2)내에서 회전하는 웨이퍼 W의 상방의 공간에 도입한다. 처리 용기(2)에 도입된 마이크로파는, 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 조사되어, 주울 가열, 자성 가열, 유도 가열 등의 전자파 가열에 의해, 웨이퍼 W가 신속히 가열된다.
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公开(公告)号:KR1020080005095A
公开(公告)日:2008-01-10
申请号:KR1020070067435
申请日:2007-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32275 , H01J2237/0206
Abstract: A microwave plasma processing device and a gate valve for the microwave plasma processing device are provided to decrease a discharge due to a leakage of a microwave by preventing the microwave from leaking out of a chamber while discharging a plasma. A microwave plasma processing device includes a process chamber(1), a microwave input unit, a valve member(26a), a ventilating member(24), a sealing member, and a microwave reflector(26e). The process chamber includes an opening, through which an object to be processed is received and outputted. The microwave input unit introduces a microwave into the process chamber. The valve member opens and closes the opening. The ventilating member sucks in the process chamber using a vacuum condition. When the opening is closed by the valve member, the sealing member tightly encloses an interface between an outer area from the opening and the valve member. When the opening is closed by the valve member, the microwave reflector is arranged to surround the opening and reflect the microwave, which is leaked from the opening to outside.
Abstract translation: 提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理装置的闸阀,以通过在排出等离子体的同时防止微波从室内泄漏而减少微波泄漏引起的放电。 微波等离子体处理装置包括处理室(1),微波输入单元,阀构件(26a),通风构件(24),密封构件和微波反射器(26e)。 处理室包括开口,待处理对象被接收和输出。 微波输入单元将微波引入处理室。 阀构件打开和关闭开口。 通风部件使用真空条件吸入处理室。 当开口被阀构件封闭时,密封构件紧密地包围在开口的外部区域和阀构件之间的界面。 当开口被阀构件关闭时,微波反射器被布置成围绕开口并且反射从开口泄漏到外部的微波。
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