公开(公告)号：KR1020040007351A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020030047603

申请日：2003-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  이와타마나부 ,  고시미즈치시오 ,  히구치후미히코 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타아사오 ,  이와마노부히로 ,  히가시우라츠토무 ,  장동셍 ,  나카야미치코 ,  무라카미노리카즈

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a method for correcting a variable impedance device are provided to perform a plasma process on a target substrate by using plasma in a semiconductor processing system. CONSTITUTION: An airtight process chamber(4) is used for accommodating a target substrate. A gas supply system supplies a process gas into the process chamber. An exhaust system exhausts an interior of the process chamber and sets the interior of the process chamber to a vacuum state. A first and a second electrode(6,18) are arranged in the process chamber to oppose each other. An RF field for turning the process gas into plasma by excitation is formed between the first and second electrodes. An RF power supply(14,28) is connected to the first or second electrode through a matching circuit and which supplies RF power. The matching circuit serves to automatically perform input impedance matching relative to the RF power. An impedance setting section(30) is connected, through an interconnection, to a predetermined member to be electrically coupled with the plasma in the plasma process, and which sets a backward-direction impedance as an impedance against an RF component input from the plasma to the predetermined member. The impedance setting section is capable of changing a value of the backward-direction impedance. A controller(32) is used for supplying a control signal concerning a preset value of the backward-direction impedance to the impedance setting section.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和校正可变阻抗装置的方法，以通过在半导体处理系统中使用等离子体来在目标基板上执行等离子体处理。 构成：密封处理室（4）用于容纳目标衬底。 气体供应系统将处理气体供应到处理室中。 排气系统排出处理室的内部并将处理室的内部设置为真空状态。 第一和第二电极（6,18）布置在处理室中以彼此相对。 在第一和第二电极之间形成用于通过激发将工艺气体转化成等离子体的RF场。 RF电源（14,28）通过匹配电路连接到第一或第二电极，并提供RF功率。 匹配电路用于自动执行相对于RF功率的输入阻抗匹配。 阻抗设定部（30）通过互连连接到等离子体处理中与等离子体电耦合的预定部件，并且将反向阻抗设定为针对从等离子体输入的RF分量的阻抗， 预定成员。 阻抗设定部能够改变反向阻抗的值。 控制器（32）用于向阻抗设定部分提供关于反向阻抗的预设值的控制信号。

公开(公告)号：KR1020120024686A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020117028659

申请日：2010-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  우메하라야스토시 ,  가타오카유키 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: A61K8/25 ,  A61K8/022 ,  A61K8/21 ,  A61K8/24 ,  A61K8/27 ,  A61Q11/00 ,  C03C3/062 ,  C03C3/097 ,  C03C3/112 ,  C03C4/0007 ,  C03C4/0021 ,  C03C4/0035 ,  C03C12/00 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67288

Abstract: 장치에 발생하는 이상을 정밀도 좋게 검출하는 이상 검출 시스템을 제공한다. 플라즈마 처리 장치(2)에 발생하는 이상을 검출하는 이상 검출 시스템(100)은, 이상의 발생에 기인하는 AE를 검출하는 복수의 초음파 센서(41)와, 초음파 센서(41)의 각 출력 신호를 각각 제1 신호와 제2 신호로 분배하는 분배기(65)와, 제1 신호를 예컨대 10 kHz로 샘플링하여, 정해진 특징을 검출했을 때에 트리거 신호를 발생시키는 트리거(52)와, 트리거 신호를 수신하여 트리거 발생 시각을 결정하는 트리거 발생 시각 카운터(54)와, 제2 신호를 예컨대 1 MHz로 샘플링한 샘플링 데이터를 작성하는 데이터 로거 보드(55)와, 샘플링 데이터 중 트리거 발생 시각 카운터(54)로부터 결정된 트리거 발생 시각을 기준으로 한 일정 기간에 상당하는 데이터의 파형 해석을 행함으로써 플라즈마 처리 장치(2)에 발생한 이상을 해석하는 PC(50)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020130007469A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120069186

申请日：2012-06-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야미치코 ,  오미네하루키 ,  즈나모토테츠 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for detecting an abnormal state are provided to improve the accuracy of determining abnormal discharges by detecting the abnormal discharges from sampling data. CONSTITUTION: A monitor(72) detects the operation while a wafer is separated and a return gate valve is opened. The monitor considers the operation as the movement that the wafer is separated. An obtaining unit(73) obtains a high frequency signal from a RF sensor, and an AE signal from an AE sensor. The obtaining unit detects acoustic emission generated from a process chamber. An interpreter(74) interprets the waveform patterns of the AE signal and high frequency signal. An abnormal state determining unit(75) determines whether or not abnormal discharges occur based on the result of interpreting the waveform patterns. [Reference numerals] (14) DC high voltage; (36) Return gate valve; (60) Directivity combining unit; (61) AE sensor; (62) Noise elimination filter; (71) Plasma processing controller; (72) Monitor; (73) Obtaining unit; (74) Interpreter; (75) Abnormal state determining unit; (76) Memory; (AA) Pin; (BB) Threshold

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测异常状态的方法和装置，以通过检测来自采样数据的异常放电来提高确定异常放电的精度。 构成：监视器（72）在晶片分离并且返回闸阀打开时检测操作。 显示器将操作视为晶片分离的运动。 获取单元（73）从RF传感器获得高频信号和从AE传感器获得的AE信号。 获取单元检测从处理室产生的声发射。 解释器（74）解释AE信号和高频信号的波形模式。 异常状态确定单元（75）基于解释波形图案的结果来确定是否发生异常放电。 （附图标记）（14）直流高压; （36）返闸阀; （60）方向性组合单元; （61）AE传感器; （62）消噪滤波器; （71）等离子处理控制器; （72）监控; （73）获取单位; （74）口译员 （75）异常状态判定单元; （76）记忆; （AA）针; （BB）阈值

公开(公告)号：KR101097025B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090027835

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

Abstract: 진공 가능한 처리용기내에서 제 1 전극과 제 2 전극을 소정의 간격을 두고 평행하게 배치하고, 상기 제 1 전극에 대향시켜 피처리 기판을 제 2 전극으로 지지하고, 상기 처리용기내를 소정의 압력으로 진공 배기하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 사이의 처리공간에 에천트 가스를 포함하는 제 1 처리 가스를 공급하고, 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극에 고주파를 인가하여 상기 처리공간에서 상기 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마 하에서 상기 기판상의 피가공막을 그 피가공막의 위에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭하는 플라즈마 처리 방법으로서, 상기 처리용기 내에 부재를 마련하는 공정과, 상기 처리용기내에서 상기 기판에 대해 상기 피가공막의 에칭 처리보다도 전에 실행되는 레지스트 개질 처리로서, 상기 � �리용기내를 소정의 압력으로 진공 배기하는 공정과, 상기 처리공간에 제 2 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극에 상기 고주파를 인가하여 상기 처리공간에서 상기 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴의 에칭 내성을 향상시키도록, 상기 처리용기내에서 상기 기판으로부터 떨어진 장소에서 플라즈마에 노출되는 상기 부재에 부극성의 직류 전압을 인가하고, 상기 부재로부터 방출된 전자를 상기 기판상의 레지스트 패턴에 주입하는 공정을 갖는, 플라즈마 처리 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101313912B1

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：KR1020117028659

申请日：2010-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  우메하라야스토시 ,  가타오카유키 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: A61K8/25 ,  A61K8/022 ,  A61K8/21 ,  A61K8/24 ,  A61K8/27 ,  A61Q11/00 ,  C03C3/062 ,  C03C3/097 ,  C03C3/112 ,  C03C4/0007 ,  C03C4/0021 ,  C03C4/0035 ,  C03C12/00 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67288

Abstract: 장치에 발생하는 이상을 정밀도 좋게 검출하는 이상 검출 시스템을 제공한다. 플라즈마 처리 장치(2)에 발생하는 이상을 검출하는 이상 검출 시스템(100)은, 이상의 발생에 기인하는 AE를 검출하는 복수의 초음파 센서(41)와, 초음파 센서(41)의 각 출력 신호를 각각 제1 신호와 제2 신호로 분배하는 분배기(65)와, 제1 신호를 예컨대 10 kHz로 샘플링하여, 정해진 특징을 검출했을 때에 트리거 신호를 발생시키는 트리거(52)와, 트리거 신호를 수신하여 트리거 발생 시각을 결정하는 트리거 발생 시각 카운터(54)와, 제2 신호를 예컨대 1 MHz로 샘플링한 샘플링 데이터를 작성하는 데이터 로거 보드(55)와, 샘플링 데이터 중 트리거 발생 시각 카운터(54)로부터 결정된 트리거 발생 시각을 기준으로 한 일정 기간에 상당하는 데이터의 파형 해석을 행함으로써 플라즈마 처리 장치(2)에 발생한 이상을 해석하는 PC(50)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101054558B1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：KR1020030047603

申请日：2003-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  이와타마나부 ,  고시미즈치시오 ,  히구치후미히코 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타아사오 ,  이와마노부히로 ,  히가시우라츠토무 ,  장동셍 ,  나카야미치코 ,  무라카미노리카즈

IPC: H01L21/02

Abstract: 플라즈마를 이용하여 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치는, 처리실 내에 서로 대향하도록 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극 사이에 처리 가스를 여기하여 플라즈마화 하는 RF 전계가 형성된다. 제 1 또는 제 2 전극에 매칭 회로를 거쳐서 RF 전력을 공급하는 RF 전원이 접속된다. 매칭 회로는, RF 전력에 대한 입력 임피던스의 매칭을 자동적으로 행한다. 플라즈마와 전기적으로 결합하는 소정 부재에 배선을 거쳐서 가변 임피던스 설정부가 접속된다. 임피던스 설정부는, 플라즈마로부터 소정 부재로 입력되는 RF 성분에 대한 임피던스인 역방향 임피던스를 설정한다. 임피던스 설정부에 대하여 역방향 임피던스의 설정값에 관한 제어 신호를 공급하기 위해서, 제어부가 배치된다.

公开(公告)号：KR1020090104779A

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：KR1020090027835

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a computer readable storage medium are provided to reinforce etching-resistance of a resistor pattern through a simple and effective resistor reformation. CONSTITUTION: A plasma processing method and a computer readable storage medium are comprised of the steps: preparing a member within a processing container; performing the processing container through an actuator vacuum-exhaustion by a certain pressure; supplying a second process gas to a process space; generating the plasma of the second process gases in a process space by supplying high frequency to a first electrode(60) or a second electrode; and supplying a negative electrode to part which is exposed by the plasma from a place far from the substrate inside the processing container to improve etching resistance of the resistor pattern.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和计算机可读存储介质，以通过简单且有效的电阻重构来增强电阻图案的耐腐蚀性。 构成：等离子体处理方法和计算机可读存储介质包括以下步骤：准备处理容器内的构件; 通过一定压力的致动器真空排气来执行处理容器; 向处理空间供应第二处理气体; 通过向第一电极（60）或第二电极提供高频来在工艺空间中产生第二工艺气体的等离子体; 并将负极提供给处理容器内远离基板的位置等离子体暴露的部分，以提高电阻图案的耐腐蚀性。