포커스링, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
    1.
    发明公开
    포커스링, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법 有权
    聚焦环,等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号:KR1020060054137A

    公开(公告)日:2006-05-22

    申请号:KR1020050104040

    申请日:2005-11-02

    CPC classification number: H01J37/32642 H01L21/67069

    Abstract: 처리용기내의 탑재대에 탑재된 기판의 표면에 대해 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 기판의 주위를 둘러싸도록 포커스링이 설치된다. 포커스링은, 그 표면의 내측 부근에 있어서, 에칭처리시의 반응생성물이 포착되지 않을 정도로 평균표면조도 Ra가 작게 마무리가공된 제 1 영역을 갖고, 제 1 영역보다도 외측에는, 반응생성물이 포착될 정도로 평균표면조도 Ra가 크게 마무리가공된 제 2 영역을 갖는다. 제 1 영역 및 제 2 영역의 경계는, 포커스링을 플라즈마에칭장치에 조립하고, 기판에 대하여 플라즈마에 의해 에칭을 행한 때에 소모의 정도가 다른 부위보다 상대적으로 크게 변하는 부위이다.

    포커스링, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
    3.
    发明授权
    포커스링, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법 有权
    聚焦环,等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号:KR100686763B1

    公开(公告)日:2007-02-26

    申请号:KR1020050104040

    申请日:2005-11-02

    Abstract: 처리용기내의 탑재대에 탑재된 기판의 표면에 대해 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 기판의 주위를 둘러싸도록 포커스링이 설치된다. 포커스링은, 그 표면의 내측 부근에 있어서, 에칭처리시의 반응생성물이 포착되지 않을 정도로 평균표면조도 Ra가 작게 마무리가공된 제 1 영역을 갖고, 제 1 영역보다도 외측에는, 반응생성물이 포착될 정도로 평균표면조도 Ra가 크게 마무리가공된 제 2 영역을 갖는다. 제 1 영역 및 제 2 영역의 경계는, 포커스링을 플라즈마에칭장치에 조립하고, 기판에 대하여 플라즈마에 의해 에칭을 행한 때에 소모의 정도가 다른 부위보다 상대적으로 크게 변하는 부위이다.

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