Abstract:
A method of processing a wafer is presented that includes creating a pre-processing measurement map using measured metrology data for the wafer including metrology data for at least one isolated structure on the wafer, metrology data for at least one nested structure on the wafer, bi-layer mask data, and BARC layer data. At least one pre-processing prediction map is calculated for the wafer. A pre-processing confidence map is calculated for the wafer. The pre-processing confidence map includes a set of confidence data for the plurality of dies on the wafer. A prioritized measurement site is determined when the confidence data for one or more dies is not within the confidence limits. A new measurement recipe that includes the prioritized measurement site is then created. ® KIPO & WIPO 2009
Abstract:
웨이퍼 상의 하나 이상의 격리된 구조(isolated structure)에 대한 계측 데이터, 웨이퍼 상의 하나 이상의 중첩된 구조(nested structure)에 대한 계측 데이터, 이중층 마스크 데이터(bi-layer mask data), 및 BARC층 데이터를 비롯한 웨이퍼에 대한 측정된 계측 데이터를 사용하여 전처리 측정 맵을 생성하는 단계를 포함하는 웨이퍼를 처리하는 방법이 제공된다. 웨이퍼에 대해 적어도 하나의 전처리 예측 맵이 계산된다. 웨이퍼에 대해 전처리 신뢰도 맵이 계산된다. 전처리 신뢰도 맵은 웨이퍼 상의 복수의 다이에 대한 일련의 신뢰도 데이터를 포함한다. 하나 이상의 다이에 대한 신뢰도 데이터가 신뢰도 한계 내에 있지 않을 때, 우선순위 부여된 측정 사이트가 결정된다. 이어서, 우선순위 부여된 측정 사이트를 포함하는 새로운 측정 레시피가 생성된다. 웨이퍼, 예측 맵, 신뢰도 맵, 전처리, 후처리, 측정 사이트
Abstract:
PURPOSE: A high-frequency power coupling system using multiple RF(Radio Frequency) power coupling elements for the control of plasma characteristics is provided to improve uniformity of RF energy. CONSTITUTION: An RF electrode(12) couples RF power to the plasma in a plasma processing system(10). Multiple power coupling elements(14,16a-16d) electrically couple RF power to multiple power coupling points on the RF electrode. The multiple power coupling elements include a central element(14) located at the center of the RF electrode and m number of surrounding elements(16a-16d), where m is an integer bigger than 1, located away from the center of the RF electrode. A first surrounding RF power signal is coupled to a first surrounding element(16a). A second surrounding RF power signal is coupled to a second surrounding element(16c). [Reference numerals] (18) RF power system; (24) Impedance load