웨이퍼 균일성 제어에서의 동적 계측 샘플링을 이용한 웨이퍼 처리 방법
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020080111105A

    公开(公告)日:2008-12-22

    申请号:KR1020087026270

    申请日:2007-01-24

    CPC classification number: H01L22/12

    Abstract: A method of processing a wafer is presented that includes creating a pre-processing measurement map using measured metrology data for the wafer including metrology data for at least one isolated structure on the wafer, metrology data for at least one nested structure on the wafer, bi-layer mask data, and BARC layer data. At least one pre-processing prediction map is calculated for the wafer. A pre-processing confidence map is calculated for the wafer. The pre-processing confidence map includes a set of confidence data for the plurality of dies on the wafer. A prioritized measurement site is determined when the confidence data for one or more dies is not within the confidence limits. A new measurement recipe that includes the prioritized measurement site is then created. ® KIPO & WIPO 2009

    Abstract translation: 提出了一种处理晶片的方法,其包括使用测量的晶片的测量数据创建预处理测量图,包括晶片上的至少一个隔离结构的测量数据,晶片上的至少一个嵌套结构的度量数据,bi 层掩模数据和BARC层数据。 为晶片计算至少一个预处理预测图。 计算晶片的预处理置信图。 预处理置信图包括晶片上的多个管芯的一组置信数据。 当一个或多个管芯的置信度数据不在置信限度内时,确定优先测量点。 然后创建包含优先测量站点的新测量配方。 ®KIPO&WIPO 2009

    웨이퍼 균일성 제어에서의 동적 계측 샘플링을 이용한 웨이퍼 처리 방법
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101311640B1

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:KR1020087026270

    申请日:2007-01-24

    CPC classification number: H01L22/12

    Abstract: 웨이퍼 상의 하나 이상의 격리된 구조(isolated structure)에 대한 계측 데이터, 웨이퍼 상의 하나 이상의 중첩된 구조(nested structure)에 대한 계측 데이터, 이중층 마스크 데이터(bi-layer mask data), 및 BARC층 데이터를 비롯한 웨이퍼에 대한 측정된 계측 데이터를 사용하여 전처리 측정 맵을 생성하는 단계를 포함하는 웨이퍼를 처리하는 방법이 제공된다. 웨이퍼에 대해 적어도 하나의 전처리 예측 맵이 계산된다. 웨이퍼에 대해 전처리 신뢰도 맵이 계산된다. 전처리 신뢰도 맵은 웨이퍼 상의 복수의 다이에 대한 일련의 신뢰도 데이터를 포함한다. 하나 이상의 다이에 대한 신뢰도 데이터가 신뢰도 한계 내에 있지 않을 때, 우선순위 부여된 측정 사이트가 결정된다. 이어서, 우선순위 부여된 측정 사이트를 포함하는 새로운 측정 레시피가 생성된다.
    웨이퍼, 예측 맵, 신뢰도 맵, 전처리, 후처리, 측정 사이트

    플라즈마 특성을 제어하기 위한 다수의 RF 파워 결합 소자를 이용한 고주파(RF) 파워 결합 시스템
    4.
    发明公开
    플라즈마 특성을 제어하기 위한 다수의 RF 파워 결합 소자를 이용한 고주파(RF) 파워 결합 시스템 审中-实审
    无线电频率耦合系统利用多个射频功率耦合元件控制等离子体性能

    公开(公告)号:KR1020130054216A

    公开(公告)日:2013-05-24

    申请号:KR1020120130575

    申请日:2012-11-16

    Abstract: PURPOSE: A high-frequency power coupling system using multiple RF(Radio Frequency) power coupling elements for the control of plasma characteristics is provided to improve uniformity of RF energy. CONSTITUTION: An RF electrode(12) couples RF power to the plasma in a plasma processing system(10). Multiple power coupling elements(14,16a-16d) electrically couple RF power to multiple power coupling points on the RF electrode. The multiple power coupling elements include a central element(14) located at the center of the RF electrode and m number of surrounding elements(16a-16d), where m is an integer bigger than 1, located away from the center of the RF electrode. A first surrounding RF power signal is coupled to a first surrounding element(16a). A second surrounding RF power signal is coupled to a second surrounding element(16c). [Reference numerals] (18) RF power system; (24) Impedance load

    Abstract translation: 目的:提供使用多个RF(射频)功率耦合元件来控制等离子体特性的高频功率耦合系统,以提高RF能量的均匀性。 构成:RF电极(12)在等离子体处理系统(10)中将RF功率耦合到等离子体。 多个功率耦合元件(14,16a-16d)将RF功率电耦合到RF电极上的多个功率耦合点。 多个功率耦合元件包括位于RF电极中心的中心元件(14)和m个周围元件(16a-16d),其中m是大于1的整数,远离RF电极的中心 。 第一周围RF功率信号耦合到第一周围元件(16a)。 第二周围RF功率信号耦合到第二周围元件(16c)。 (附图标记)(18)射频功率系统; (24)阻抗负载

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